Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF610PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.87 грн
17+50.18 грн
100+39.43 грн
500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.87 грн
10+49.47 грн
100+33.80 грн
500+26.60 грн
1000+23.32 грн
2000+20.53 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
50+67.19 грн
100+60.21 грн
500+45.00 грн
1000+41.30 грн
2000+38.19 грн
5000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF610PBF-BE3. - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.31 грн
14+61.42 грн
25+57.76 грн
50+50.38 грн
100+43.64 грн
500+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SSiliconixN-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF610SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610S2497Harris CorporationDescription: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1050+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.24 грн
500+60.37 грн
1000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.11 грн
10+90.43 грн
100+80.24 грн
500+60.37 грн
1000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.11 грн
10+89.13 грн
100+69.69 грн
500+55.72 грн
1000+51.25 грн
2000+50.49 грн
5000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.54 грн
50+78.40 грн
100+70.43 грн
500+52.99 грн
1000+48.77 грн
2000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.11 грн
10+117.24 грн
100+69.69 грн
500+52.65 грн
800+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.54 грн
10+103.03 грн
100+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF611Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF612Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF613HARRISIRF613
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF613Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614Harris CorporationDescription: ADVANCED POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
695+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 695 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614HARRISIRF614
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614
Код товару: 7922
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Uds,V: 250 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,5
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614-005PBFIOR2006
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614BFP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBFIR
на замовлення 30088 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF614PBF - N CHANNEL MOSFET, 250V, 2.7A TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.42 грн
10+112.42 грн
25+106.72 грн
50+93.05 грн
100+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614PBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.12 грн
10+96.36 грн
100+64.59 грн
500+61.66 грн
1000+44.55 грн
10000+43.85 грн
25000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
10+110.44 грн
100+75.49 грн
500+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614SPBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET D2-PA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614STRPBFIR
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp
на замовлення 799 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
3+126.27 грн
10+103.59 грн
100+71.92 грн
250+66.27 грн
500+56.49 грн
800+51.32 грн
2400+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF614STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6150Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 16-FlipFet™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6150Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 16-FlipFet™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6156Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
Supplier Device Package: 6-FlipFet™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-FlipFet™
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620(MFET,N-CH,50W,200V,5A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620
Код товару: 7923
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STMN-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201
Код товару: 46582
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8555 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 27A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620N
Код товару: 30164
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFSTMN-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.16 грн
50+29.09 грн
100+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF
Код товару: 102083
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.31 грн
13+66.72 грн
100+59.55 грн
500+43.80 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.76 грн
10+51.36 грн
50+45.39 грн
100+41.86 грн
250+37.57 грн
500+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.87 грн
199+71.25 грн
250+61.54 грн
500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishay SiliconixN-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+71.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.86 грн
10+64.48 грн
100+39.38 грн
500+35.26 грн
1000+30.44 грн
2000+27.02 грн
10000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.33 грн
50+57.02 грн
100+50.95 грн
500+37.82 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.03 грн
10+86.26 грн
100+62.53 грн
500+52.62 грн
1000+41.60 грн
2000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.86 грн
10+64.48 грн
100+41.06 грн
500+34.01 грн
1000+30.65 грн
2000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.33 грн
50+57.02 грн
100+50.95 грн
500+37.82 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF620PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.86 грн
13+65.42 грн
100+47.90 грн
500+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRF620PBF. - N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.89 грн
14+62.65 грн
100+42.04 грн
500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620R4587HARRISIRF620R4587
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]