Продукція > APT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GN60BGMICROSEMITO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GN60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+973.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GN60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.76 грн
3+300.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GN60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/230ns
Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 325 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
100+311.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B2DF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 50 A TO-247 MAX
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1354.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1354.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 150A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns
Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60B2DQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/83ns
Switching Energy: 465µJ (on), 637µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60BG
Код товару: 73211
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60BGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 50 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JMicrosemiTrans IGBT Module N-CH 600V 100A 329000mW
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3321.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JDF2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JDF2APTPOWER MOS 7 IGBT, 600 V, 100 A, SOT-227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 525 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60LDLGMicrosemiPower IGBT, 600V, 50A, TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60LDLGMICROSEMITO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT50GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60LDLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 150A 625W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns
Switching Energy: 456µJ (on), 635µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120B2Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120B2Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 117A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/237ns
Switching Energy: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 445 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 117 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 694 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120JD30Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120JD30Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 417 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120JD30Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120JD30Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120LMicrosemiIGBT NPT 1200V 117A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120LMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GR120LMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 117A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/237ns
Switching Energy: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 445 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 117 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 694 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDLGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDLGMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 93A 415W TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDLGMicrosemiPower IGBT, 600V, 50A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDQ2GMicrosemiTrans IGBT Chip N-CH 600V 93A 415000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDQ2GMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT LOW FREQUENCY - COMBI APT50GS60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 93A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/225ns
Switching Energy: 755µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 93 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 415 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GS60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 93A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/225ns
Switching Energy: 755µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 93 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 415 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDLGMicrosemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 106A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 694 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1272.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDLGMICROSEMITO247-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT50GT120
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDQ2GMICROSEMIкількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns
Switching Energy: 2330µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns
Switching Energy: 2330µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.72 грн
100+853.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JRDQ2
Код товару: 177867
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JRDQ2Microchip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JRDQ2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 72A 379W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 379 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JU2MICROSEMISOT227/POWER MODULE - IGBT APT50
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 347 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 347 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120JU3MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120LRDQ2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 106A 694W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120LRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 106A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 694 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120LRDQ2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120LRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 50A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-264 (L)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns
Switching Energy: -, 2.33mJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1296.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120LRGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRDQ2GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRDQ2GMICROSEMITO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT50GT60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRDQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 446 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 446 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JFLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, 0.03_OHM, SOT-227
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JFLLMicrochip TechnologyMOSFET Modules FG, FREDFET, 500V, 0.03_OHM, SOT-227
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JFLL 
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9007.36 грн
5+8277.63 грн
10+8058.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7227.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMICROSEMIISOTOP®POWER MOSFET - MOS7
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS7 500 V 38 mOhm SOT-227
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7408.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M38JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5677.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JFLLMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS 7 500 V 50 mOhm SOT-227
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 71A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 71A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 71A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10550 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4320.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JLLMICROSEMIISOTOP-4/71 A, 500 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER MOSFET APT50M50
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, 0.050_OHM, SOT-227
на замовлення 52 шт:
термін постачання 286-295 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVFRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 77A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1000 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5038.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT50M50
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVFRMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS5 500 V 50 mOhm SOT-227
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVFR
Код товару: 39287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 77A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 500V 77A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10643.72 грн
5+8657.24 грн
10+8454.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT50M50JVR
Код товару: 111088
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.