Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB80N06S3L-06infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S3L-06Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S3L-08infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4-05Infineon
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.65 грн
100+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.86 грн
100+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+103.85 грн
500+93.47 грн
1000+86.19 грн
10000+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L-07Infineon
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L05ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V,60V)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.38 грн
141+100.89 грн
179+79.30 грн
200+72.19 грн
500+60.95 грн
1000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.55 грн
114+124.09 грн
159+89.10 грн
500+72.14 грн
1000+59.35 грн
2000+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.40 грн
100+64.97 грн
500+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+103.26 грн
500+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N07S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO263-3
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+132.27 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N07S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2-07infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2-07
Код товару: 105233
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2-07InfineonMOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1
Код товару: 118496
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.61 грн
10+254.82 грн
100+183.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L-07infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L-07
Код товару: 94524
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
10+246.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S406ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S406ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+104.75 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S406ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P3L-04infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4-05ATMA1Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P405ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+178.73 грн
100+125.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]