Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7942DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.50 грн
10+195.28 грн
100+159.98 грн
500+127.81 грн
1000+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7943DP-T1SI03/01+
на замовлення 6358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7943DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DPVISHAY05+
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-E3
Код товару: 106236
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DPVISHAY05+
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DPVISHAY09+
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.57 грн
6000+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.051ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.051ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+92.60 грн
100+73.73 грн
500+58.54 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
на замовлення 16869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
на замовлення 16869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.64 грн
10+195.13 грн
100+137.50 грн
500+105.94 грн
1000+98.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3 транзистор
Код товару: 208669
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.94 грн
10+184.69 грн
100+132.48 грн
500+102.07 грн
1000+94.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7956DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 150V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.088ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DPVISHAY09+
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960SI06+
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7960DP-T1-E3 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 9.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.4
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-E3VishayMOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DFFRVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-E3
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7252DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7252DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7964DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7970DPVISHAY09+
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7970DP-T1-E3VISHAY
на замовлення 26016 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7970DP-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7972DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 22W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]