Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN6041SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+9.72 грн
9000+9.26 грн
15000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+55.57 грн
100+43.35 грн
500+33.60 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.40 грн
5000+25.07 грн
12500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.51 грн
11+72.90 грн
25+72.21 грн
100+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+48.76 грн
100+32.13 грн
500+23.42 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.29 грн
14+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.81 грн
10000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 235000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.52 грн
100+23.01 грн
500+16.53 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.12W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.42 грн
500+18.77 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
на замовлення 67211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.24 грн
10+35.17 грн
100+21.26 грн
500+16.64 грн
1000+13.46 грн
2500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.02 грн
5000+16.46 грн
10000+15.32 грн
15000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.12W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.13 грн
50+36.16 грн
100+26.42 грн
500+18.77 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+38.74 грн
100+22.99 грн
500+19.26 грн
1000+16.36 грн
2500+14.50 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13-52Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.00 грн
50+39.95 грн
250+28.91 грн
1000+23.26 грн
2000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.95 грн
250+28.91 грн
1000+23.26 грн
2000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.64 грн
14+30.91 грн
50+21.69 грн
100+18.61 грн
250+15.46 грн
500+13.54 грн
1000+11.97 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.06 грн
8000+9.77 грн
12000+9.33 грн
20000+8.28 грн
28000+8.00 грн
40000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.55 грн
50+31.81 грн
250+23.68 грн
1000+20.04 грн
2000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES/ZETEXN-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 TUBE 4K
на замовлення 41251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
11+31.44 грн
100+17.60 грн
500+13.39 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 49517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.54 грн
100+18.97 грн
500+13.52 грн
1000+12.14 грн
2000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.81 грн
250+23.68 грн
1000+20.04 грн
2000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.24 грн
18+45.02 грн
100+27.71 грн
500+21.54 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.71 грн
500+21.54 грн
1000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 20.8A; 3.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20.8A
Power dissipation: 3.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 228699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
14+22.36 грн
100+15.23 грн
500+14.03 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+39.09 грн
515+27.54 грн
521+27.23 грн
648+21.10 грн
1043+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 227500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.66 грн
5000+10.13 грн
7500+9.96 грн
12500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.42 грн
20+39.52 грн
25+39.09 грн
100+26.55 грн
250+24.31 грн
500+18.75 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 12567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
14+24.21 грн
100+13.19 грн
500+11.53 грн
1000+10.98 грн
2500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+58.75 грн
100+32.31 грн
500+20.02 грн
1000+14.77 грн
2500+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.73 грн
10+41.12 грн
100+26.72 грн
500+20.99 грн
1000+16.22 грн
3000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7DiodesMOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+41.66 грн
100+31.09 грн
500+22.93 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.87 грн
6000+16.10 грн
10000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.20 грн
10+34.61 грн
100+20.64 грн
500+16.29 грн
1000+14.91 грн
2000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+46.97 грн
100+36.02 грн
500+26.73 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+48.35 грн
100+27.61 грн
500+21.40 грн
1000+19.33 грн
3000+15.88 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.44 грн
6000+19.22 грн
15000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+46.97 грн
100+36.02 грн
500+26.73 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.44 грн
6000+19.22 грн
10000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070LCA6-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V-60V X2-TSN1510-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
12+28.10 грн
100+17.05 грн
500+12.91 грн
1000+11.46 грн
3000+10.49 грн
6000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+9.48 грн
9000+9.11 грн
15000+8.38 грн
21000+7.78 грн
30000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7
Код товару: 143691
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 56754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
12+26.92 грн
100+18.37 грн
500+13.11 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
на замовлення 12906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.80 грн
100+21.87 грн
500+15.70 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.94 грн
18+43.10 грн
25+42.69 грн
100+28.74 грн
250+26.35 грн
500+19.67 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.38 грн
5000+11.81 грн
7500+11.26 грн
12500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 36099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.30 грн
10+33.26 грн
100+20.16 грн
500+13.81 грн
2500+10.77 грн
5000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.69 грн
476+29.81 грн
481+29.51 грн
618+22.13 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]