Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 317500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.76 грн
7500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 910000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 14793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.59 грн
25+32.25 грн
50+26.57 грн
100+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.4A; 1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.01 грн
17+25.26 грн
18+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 910000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSSQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.95 грн
5000+10.92 грн
12500+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.04 грн
25+32.61 грн
50+26.85 грн
100+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.67 грн
37+20.48 грн
38+20.37 грн
100+16.96 грн
250+15.62 грн
500+13.31 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.25 грн
27000+11.19 грн
54000+10.41 грн
81000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
696+20.37 грн
807+17.59 грн
811+17.49 грн
913+14.97 грн
1106+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+11.74 грн
9000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.63 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.02 грн
81000+19.21 грн
162000+17.87 грн
243000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.28 грн
6000+17.11 грн
9000+15.99 грн
30000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+11.74 грн
9000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.32 грн
100+24.26 грн
500+17.49 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SVTQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+9.72 грн
9000+9.26 грн
15000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+55.57 грн
100+43.35 грн
500+33.60 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.51 грн
11+72.90 грн
25+72.21 грн
100+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.40 грн
5000+25.07 грн
12500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.29 грн
14+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+60.80 грн
25+51.12 грн
50+42.35 грн
100+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6066SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.12W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.81 грн
10000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 235000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.52 грн
7500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
на замовлення 67211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 4.12W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 4.12W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 10819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.80 грн
25+37.51 грн
50+30.94 грн
100+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.02 грн
5000+16.46 грн
10000+15.32 грн
15000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252, 2.5K Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3Q-13-52Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 16W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 16W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES/ZETEXN-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.