Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES/ZETEXN-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 26757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.71 грн
25+26.41 грн
50+21.72 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.64 грн
14+30.91 грн
50+21.69 грн
100+18.61 грн
250+15.46 грн
500+13.54 грн
1000+11.97 грн
2000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 TUBE 4K
на замовлення 41251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 20.8A; 3.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20.8A
Power dissipation: 3.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6068SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+39.09 грн
515+27.54 грн
521+27.23 грн
648+21.10 грн
1043+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 12567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
14+22.36 грн
100+15.23 грн
500+14.03 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.42 грн
20+39.52 грн
25+39.09 грн
100+26.55 грн
250+24.31 грн
500+18.75 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 227500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.66 грн
5000+10.13 грн
7500+9.96 грн
12500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7DiodesDMN6069SFG-7 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.87 грн
6000+16.10 грн
10000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vgss 25A Idm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 38230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+41.66 грн
100+31.09 грн
500+22.93 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+46.97 грн
100+36.02 грн
500+26.73 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.44 грн
6000+19.22 грн
15000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+46.97 грн
100+36.02 грн
500+26.73 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.44 грн
6000+19.22 грн
10000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6069SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070LCA6-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V-60V X2-TSN1510-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+9.48 грн
9000+9.11 грн
15000+8.38 грн
21000+7.78 грн
30000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7
Код товару: 143691
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 56754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
12+26.92 грн
100+18.37 грн
500+13.11 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.17 грн
25+37.90 грн
50+31.27 грн
100+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.96 грн
13+34.40 грн
100+22.52 грн
500+17.95 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.94 грн
18+43.10 грн
25+42.69 грн
100+28.74 грн
250+26.35 грн
500+19.67 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6070SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.3 A, 3.3 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.69 грн
476+29.81 грн
481+29.51 грн
618+22.13 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 36099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6070SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.3 A, 3.3 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
на замовлення 173665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.38 грн
100+15.36 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.28 грн
5000+8.14 грн
7500+7.73 грн
12500+6.64 грн
17500+6.57 грн
25000+6.32 грн
62500+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13DiodesMOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 9519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
20+15.18 грн
100+6.28 грн
500+5.75 грн
1000+5.10 грн
2000+4.76 грн
5000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
20000+5.28 грн
30000+5.15 грн
50000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.48 грн
20000+4.43 грн
30000+4.38 грн
50000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes Inc./ZetexN-MOSFE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.44 грн
6000+5.36 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
9000+4.73 грн
24000+4.59 грн
45000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMN6075S-13 DMN6075S-7 DIODES TDMN6075S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 20980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.47 грн
25+15.32 грн
50+12.52 грн
100+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 144548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
31+13.71 грн
50+9.47 грн
100+8.06 грн
500+5.65 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
9000+4.73 грн
24000+4.59 грн
45000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.08 грн
100+15.33 грн
500+10.84 грн
1000+9.69 грн
2000+8.73 грн
5000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.88 грн
100+11.54 грн
500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.