Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN6070SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 173665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6070SY-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 4065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF | на замовлення 9470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 81 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V | на замовлення 19692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF | на замовлення 144548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Inc./Zetex | N-MOSFE Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7 S67. | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMN6075S-13 DMN6075S-7 DIODES TDMN6075S-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4905 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075S-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K | на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | на замовлення 11909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K | на замовлення 7616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 536060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 501V-650V | на замовлення 16356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 530000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 83459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V | на замовлення 25704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H3D5SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H3D5SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H3D5SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H80DHFF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H80DHFF-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 501V to 650V SOT23F 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN60H80DHFF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 28020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 257 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 1.6A, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 509980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 22800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 509980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 6280 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A | на замовлення 335960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 257 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-13-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 579000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 48091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 609000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 56354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 26630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140L-7-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140L-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3 Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 Gate charge: 8.6nC On-state resistance: 0.17Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 4527 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 58980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

