Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN6070SFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.57 грн
25+39.07 грн
50+32.24 грн
100+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.51 грн
13+34.72 грн
100+22.73 грн
500+18.11 грн
1000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.82 грн
18+43.01 грн
25+42.59 грн
100+28.68 грн
250+26.29 грн
500+19.63 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 36099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.59 грн
476+29.74 грн
481+29.45 грн
618+22.09 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 173665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.61 грн
100+15.50 грн
500+11.16 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13DiodesMOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.37 грн
5000+8.21 грн
7500+7.80 грн
12500+6.70 грн
17500+6.63 грн
25000+6.38 грн
62500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6070SY-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.47 грн
20000+4.42 грн
30000+4.38 грн
50000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.32 грн
100+6.34 грн
500+5.80 грн
1000+5.15 грн
2000+4.81 грн
5000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.37 грн
20000+5.27 грн
30000+5.14 грн
50000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMN6075S-13 DMN6075S-7 DIODES TDMN6075S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
9000+4.72 грн
24000+4.58 грн
45000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+5.35 грн
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
на замовлення 144548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes Inc./ZetexN-MOSFE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
9000+4.72 грн
24000+4.58 грн
45000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 20980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.64 грн
25+15.46 грн
50+12.64 грн
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.87 грн
31+13.84 грн
50+9.56 грн
100+8.13 грн
500+5.70 грн
1000+5.45 грн
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 606 @ 20, 1, Qg, нКл = 12,3, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1...3 В, Р, Вт = 1,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
9000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075S-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.30 грн
100+15.47 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.81 грн
5000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
9000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 7616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes Zetex60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6075SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+23.10 грн
100+11.65 грн
500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 536060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
23+13.51 грн
100+9.10 грн
500+6.58 грн
1000+5.93 грн
2000+5.37 грн
5000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 501V-650V
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.83 грн
20000+4.30 грн
30000+4.12 грн
50000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 83459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
23+13.51 грн
100+9.10 грн
500+6.58 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+4.95 грн
9000+4.71 грн
15000+4.17 грн
21000+4.02 грн
30000+3.87 грн
75000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H080DS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V
на замовлення 25704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H3D5SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H3D5SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H3D5SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H4D5SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H4D5SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H4D5SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H80DHFF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H80DHFF-7Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN60H80DHFF-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 501V to 650V SOT23F 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.50 грн
20000+4.29 грн
30000+4.21 грн
50000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.50 грн
20000+4.29 грн
30000+4.21 грн
50000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.32 грн
25+16.06 грн
50+13.12 грн
100+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 509980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1658+5.31 грн
2000+5.22 грн
5000+4.84 грн
10000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 1658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
на замовлення 335960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 509980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2381+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 2381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 1.6A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-13-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
9000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+4.90 грн
12000+4.71 грн
18000+4.50 грн
30000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 114562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.34 грн
25+15.19 грн
50+12.38 грн
100+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 609000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+4.90 грн
12000+4.71 грн
18000+4.50 грн
30000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7DiodesMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]