Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.02 грн
10+235.76 грн
100+215.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+394.03 грн
100+318.76 грн
250+317.66 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943OTUonsemiBipolar Transistors - BJT PNP 250V 15A 150W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.30 грн
10+233.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943OTUOn SemiconductorPNP, TO-264, Uce=250V, Ic=17A, hFE=80...160, Ft=30MHz, -50...+150 (FJL4215) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 250V 17A HPM F2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: HPM F2
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+254.81 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUonsemiBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 150W
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUOn SemiconductorTRANS PNP 250V 17A TO-264-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1943RTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1943RTU - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1944
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1944-T111-1GMITSOT89
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1944-T113-1GMITSOT89
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1945
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1946
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1947
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA195NECCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1950PANASONIC
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952R-QROHM08+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLROHM SemiconductorArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+205.60 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60V 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQROHM1020+ TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+205.60 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1952TLQ(p/b)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1953TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954-ATOSHIBASOT-323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954-A(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954-A(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -12V USM -0.5A -0.03V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954-A/GATOSHIBASOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954-B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954-B(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954/GBTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.5A LN -12V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FV-ATOSHIBASOT723
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.29 грн
19+15.78 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3ZToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3ZToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3ZToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Frequency - Transition: 130MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.29 грн
19+15.78 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA196NECCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962TOS00+ Z-16CIA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962
Код товару: 34491
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962onsemi PNP/15A/230V TO-3P 130W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962-OToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962-O(Q)ToshibaTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962-O(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962-O(Q)ToshibaTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962-O(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962-O(Q)ToshibaTrans GP BJT PNP 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962/2SC5242
Код товару: 56800
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962/2SC5242-O(Q)TOS08+;
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 130W
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962OTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962OTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.63 грн
30+205.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+242.26 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962OTU
Код товару: 156249
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+216.86 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.77 грн
500+270.48 грн
1000+256.37 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.77 грн
500+270.48 грн
1000+256.37 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+216.86 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1962RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+285.77 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1964
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1965-S-TL-ESanyo Electric2SA1965-S-TL-E
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.02 грн
10000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1965-S-TL-ESanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1969
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA197NECCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.49 грн
10+39.68 грн
100+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1971(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 400V 0.5A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1971(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.76 грн
100+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1972
Код товару: 37256
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
Гранична частота fT, МГц: 35 МГц
Напруга Uке, В: 400 В
Напруга Uкб, В: 400 В
Струм Iк, А: 0,5 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 450
у наявності: 66 шт
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1972(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 400V 0.5A LSTM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1972(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]