Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN61D9UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7
Код товару: 127397
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.00 грн
20+16.27 грн
100+8.97 грн
1000+4.07 грн
3000+3.52 грн
9000+2.69 грн
24000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14030000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.42 грн
500+6.47 грн
1000+4.72 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 11348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.51 грн
30+10.88 грн
100+4.90 грн
1000+4.00 грн
2500+3.45 грн
10000+3.18 грн
50000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.21 грн
100+8.92 грн
500+6.20 грн
1000+5.50 грн
2000+4.91 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.48 грн
54+14.98 грн
100+9.42 грн
500+6.47 грн
1000+4.72 грн
5000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.65 грн
54+15.06 грн
100+9.50 грн
500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.50 грн
500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
30+10.25 грн
100+6.86 грн
500+4.93 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3704+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.51 грн
30+10.88 грн
100+4.90 грн
1000+4.35 грн
3000+3.31 грн
9000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
6000+3.66 грн
9000+3.47 грн
15000+3.06 грн
21000+2.94 грн
30000+2.83 грн
75000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+5.57 грн
9000+5.28 грн
15000+4.65 грн
21000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.62 грн
37+22.31 грн
100+9.83 грн
500+7.70 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.13 грн
34+22.83 грн
38+20.05 грн
100+10.16 грн
250+9.31 грн
500+8.85 грн
1000+7.25 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 31099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
17+18.89 грн
100+10.42 грн
500+7.39 грн
1000+5.66 грн
3000+4.49 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+20.36 грн
1386+10.23 грн
1401+10.12 грн
1416+9.66 грн
1631+7.76 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.83 грн
500+7.70 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.80 грн
100+11.26 грн
500+7.90 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 9359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
19+17.31 грн
100+7.59 грн
500+7.11 грн
1000+5.45 грн
5000+5.32 грн
10000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.89 грн
30000+5.60 грн
50000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+21.09 грн
100+10.62 грн
500+8.83 грн
1000+6.87 грн
2000+6.15 грн
5000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1212-3 T&R 10K
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
23+14.37 грн
100+7.87 грн
500+4.90 грн
1000+3.80 грн
2500+3.38 грн
5000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
6000+3.11 грн
9000+2.92 грн
15000+2.54 грн
21000+2.43 грн
30000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 19456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4336+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0LFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 89237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+13.69 грн
27+11.19 грн
100+7.78 грн
250+6.46 грн
500+5.64 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.54A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.17 грн
6000+5.37 грн
9000+5.09 грн
15000+4.47 грн
21000+4.29 грн
30000+4.11 грн
75000+3.67 грн
150000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.16 грн
29+28.19 грн
100+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
на замовлення 203071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.98 грн
100+10.67 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0SFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
20+16.59 грн
100+7.11 грн
500+6.63 грн
1000+6.01 грн
3000+4.00 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
на замовлення 96419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
20+15.18 грн
100+7.42 грн
500+5.81 грн
1000+4.04 грн
2000+3.50 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.32 грн
55+14.82 грн
250+6.83 грн
1000+3.86 грн
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 105694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.73 грн
58+5.56 грн
100+3.18 грн
1000+2.69 грн
2500+2.42 грн
10000+2.28 грн
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.98 грн
30000+2.82 грн
50000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 61340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.17 грн
1000+3.31 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7
Код товару: 191676
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 17706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.77 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 26935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.58 грн
44+18.69 грн
100+10.79 грн
500+6.88 грн
1000+3.45 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.53 грн
44+9.47 грн
50+8.31 грн
100+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7DiodesN-CH 60V 0.38A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
6000+3.25 грн
9000+3.06 грн
15000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 201462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.20 грн
23+14.21 грн
100+5.80 грн
1000+4.00 грн
3000+3.24 грн
9000+2.62 грн
24000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 26935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
500+6.88 грн
1000+3.45 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0U-7 3D2DIODES/ZETEXN-MOSFET 0.38A 60V 0.38W 2Ω DMN62D0U-13 DMN62D0U-7 TDMN62d0u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
13+25.09 грн
100+12.36 грн
1000+6.28 грн
2500+5.45 грн
10000+4.28 грн
20000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.06 грн
100+11.14 грн
500+8.52 грн
1000+6.32 грн
2000+5.32 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.97 грн
29+26.22 грн
100+9.83 грн
250+8.99 грн
500+8.55 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.49 грн
500+5.90 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1294+10.96 грн
1307+10.85 грн
1321+10.74 грн
2200+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 1294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7DiodesMOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 125839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.13 грн
34+9.53 грн
100+5.59 грн
1000+3.59 грн
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.52 грн
30000+6.20 грн
50000+5.27 грн
100000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 268288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+23.26 грн
100+11.75 грн
500+9.77 грн
1000+7.60 грн
2000+6.81 грн
5000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-13Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+6.30 грн
9000+5.67 грн
30000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
16+18.92 грн
100+11.34 грн
500+9.85 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
16+19.85 грн
100+11.53 грн
1000+7.59 грн
3000+6.42 грн
9000+6.28 грн
24000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 152203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.56 грн
100+7.85 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
2000+4.28 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.71 грн
20000+3.25 грн
30000+3.09 грн
50000+2.73 грн
70000+2.63 грн
100000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.69 грн
28+11.43 грн
100+5.73 грн
500+4.00 грн
1000+3.80 грн
3000+2.90 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2672898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+12.04 грн
100+5.12 грн
500+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.10 грн
6000+3.58 грн
9000+3.21 грн
15000+2.94 грн
21000+2.92 грн
30000+2.64 грн
75000+2.47 грн
150000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 470mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 470mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.21 грн
100+8.91 грн
500+6.20 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]