Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.09W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 740pC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA | на замовлення 9992 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26 | на замовлення 35350 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.09W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 740pC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.09W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 740pC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 Код товару: 148365
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.8 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson | на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.09W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 740pC Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.8 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9U-7 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.38A, 60V, SOT2 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms | на замовлення 360939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 440mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 440mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-13 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 3K | на замовлення 128900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UV-13 | Diodes Incorporated | Description: DMN61D9UV-13 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UV-7 | Diodes Incorporated | Description: DMN61D9UV-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-7 Код товару: 127397
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | на замовлення 9179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 11348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 440mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 14030000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 440mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 440mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 440mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 115783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 3723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75mA; Idm: 1A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75mA Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K | на замовлення 14770 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN62D0LFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin X1-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | на замовлення 9998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1006-3 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75mA; Idm: 1A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75mA Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH X1-DFN1212-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family X1-DFN1212-3 T&R 10K | на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss | на замовлення 19456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V | на замовлення 54170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0SFD-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN62D0SFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.2 pF @ 25 V | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN62D0SFD-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.54A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|