Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN4R3-30PL,127
Код товару: 192081
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN4R3-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+92.09 грн
100+60.96 грн
250+60.75 грн
500+51.64 грн
1000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+167.74 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+167.74 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+113.90 грн
100+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+167.74 грн
1000+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.53 грн
10+104.03 грн
50+78.72 грн
100+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 90W
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Drain-source voltage: 40V
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 95A
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+86.53 грн
100+49.64 грн
500+39.00 грн
1000+31.76 грн
1500+28.65 грн
9000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2338 pF @ 25 V
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.06 грн
50+69.37 грн
100+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 9.4mΩ
Power dissipation: 90W
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 392A
Drain-source voltage: 40V
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperiaMOSFETs PSMN4R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+78.28 грн
100+47.77 грн
500+38.80 грн
1500+33.69 грн
3000+32.38 грн
9000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R3-40MSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.30 грн
15+56.54 грн
100+44.30 грн
500+34.03 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2338 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.81 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.81 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.81 грн
500+201.99 грн
1000+191.36 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+158.56 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN4R3-80ES - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
500+292.95 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
500+292.95 грн
1000+277.59 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN4R3-80PS - 120A, 80
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+113.39 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R3-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+240.55 грн
100+170.51 грн
500+145.66 грн
1000+122.88 грн
2500+115.98 грн
5000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
500+292.95 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS127Rochester Electronics, LLCDescription: PSMN4R3-80PS - N-CHANNEL 80V, ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS127Rochester Electronics, LLCDescription: PSMN4R3-80PS - N-CHANNEL 80V, ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN4R4-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
10+38.82 грн
100+23.40 грн
500+19.61 грн
1500+16.29 грн
3000+13.88 грн
9000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+56.94 грн
1000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 623 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+131.41 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.75 грн
10+203.20 грн
50+157.82 грн
100+134.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+131.07 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.12 грн
1600+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+281.14 грн
500+266.96 грн
1000+251.61 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN4R4-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.16 грн
10+189.74 грн
100+118.05 грн
500+95.96 грн
800+86.29 грн
2400+83.53 грн
4800+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 529 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.14 грн
5+186.14 грн
10+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R4-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.49 грн
10+250.48 грн
50+227.12 грн
100+189.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R4-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.53 грн
10+229.43 грн
100+162.92 грн
500+138.76 грн
1000+116.67 грн
2500+111.14 грн
5000+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
500+292.95 грн
1000+277.59 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.41 грн
10+204.09 грн
100+165.10 грн
500+137.72 грн
1000+117.93 грн
2000+111.04 грн
5000+104.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PSNexperiaMOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.15 грн
50+52.31 грн
100+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115NexperiaMOSFETs N-channel 40 V 4.5 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.36 грн
10+45.97 грн
100+27.27 грн
500+24.85 грн
1000+23.89 грн
1500+16.43 грн
3000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.78 грн
100+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaMOSFETs PSMN4R5-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.41 грн
10+114.32 грн
100+67.65 грн
500+57.51 грн
800+50.95 грн
2400+48.19 грн
4800+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.14 грн
1600+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+114.37 грн
100+88.59 грн
500+68.95 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R5-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+96.06 грн
100+69.72 грн
500+64.20 грн
1000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6009 pF @ 40 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
10+161.24 грн
50+124.06 грн
100+105.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6009 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperiaMOSFETs NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+111.14 грн
100+73.18 грн
1500+72.49 грн
3000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 70.4A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+135.76 грн
100+81.46 грн
500+62.34 грн
800+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.25 грн
10+189.27 грн
50+173.97 грн
100+133.12 грн
250+111.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+124.22 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.56 грн
10+127.14 грн
25+114.67 грн
100+106.36 грн
250+101.38 грн
500+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+197.27 грн
500+186.64 грн
1000+177.19 грн
10000+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+88.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+124.22 грн
100+102.31 грн
250+99.85 грн
500+90.82 грн
1000+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.92 грн
10+125.94 грн
100+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+102.15 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+102.40 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R6-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.13 грн
10+156.40 грн
100+111.84 грн
500+100.10 грн
1000+82.15 грн
2500+81.46 грн
5000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 7704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+144.49 грн
100+104.75 грн
500+81.86 грн
1000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+213.93 грн
25600+196.43 грн
38400+183.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 436000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+213.93 грн
217600+196.43 грн
326400+183.73 грн
435200+167.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSE,118Nexperia USA Inc.Description: N CHANNEL 100V 4.8 MOHM STANDAR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
10+240.89 грн
50+188.33 грн
100+160.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]