Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN4R3-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 673A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+460.84 грн
100+437.27 грн
500+414.88 грн
1000+377.33 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+242.29 грн
100+195.98 грн
500+163.49 грн
1000+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R3-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.80 грн
2400+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118NexperiaMOSFETs PSMN4R3-30BL/SOT404/D2PAK
на замовлення 30628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 465A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 465A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 6.65mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 8245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.20 грн
50+71.28 грн
100+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127
Код товару: 192081
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 12 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+114.95 грн
100+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN4R3-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+167.36 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperiaMOSFETs PSMN4R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: NextPowerS3
Drain current: 69A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+104.99 грн
50+79.45 грн
100+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2338 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R3-40MSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2338 pF @ 25 V
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.91 грн
50+70.01 грн
100+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNexperiaMOSFETs PSMN4R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Technology: NextPowerS3
Drain current: 69A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.33 грн
500+201.54 грн
1000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+214.52 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+214.52 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.33 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+213.33 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN4R3-80ES - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R3-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
1000+276.98 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN4R3-80PS - 120A, 80
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS127Rochester Electronics, LLCDescription: PSMN4R3-80PS - N-CHANNEL 80V, ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS127Rochester Electronics, LLCDescription: PSMN4R3-80PS - N-CHANNEL 80V, ST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+56.81 грн
1000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 623 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN4R4-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+218.95 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN4R4-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+193.15 грн
50+150.02 грн
100+127.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
500+266.37 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 680A
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.18 грн
5+187.86 грн
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.40 грн
2400+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+205.98 грн
100+166.63 грн
500+139.00 грн
1000+119.02 грн
2000+112.07 грн
5000+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R4-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NexperiaPSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
1000+276.98 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R4-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+70.80 грн
50+52.79 грн
100+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115NexperiaMOSFETs N-channel 40 V 4.5 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
10+106.58 грн
50+80.96 грн
100+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.19 грн
10+123.71 грн
50+104.07 грн
100+69.96 грн
800+60.54 грн
2400+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118NexperiaMOSFETs PSMN4R5-40BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R5-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6009 pF @ 40 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+153.60 грн
100+106.82 грн
500+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6009 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-80YSFXNexperiaMOSFETs NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 70.4A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 565A
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.24 грн
10+128.31 грн
25+115.73 грн
100+107.35 грн
250+102.32 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.70 грн
10+125.20 грн
25+114.80 грн
100+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.18 грн
2400+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.70 грн
113+125.20 грн
124+114.80 грн
139+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
1000+176.79 грн
10000+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]