Продукція > HN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HN1B04FE-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.43 грн
500+12.60 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FETR3SONY.FSOT563-1DGPB-FREETOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FUTOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T)TOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC88
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.59 грн
140+3.05 грн
155+2.76 грн
500+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F US6-PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.25 грн
37+20.57 грн
100+8.51 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.16 грн
67+12.27 грн
107+7.67 грн
500+5.25 грн
1500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.25 грн
1500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
20+15.62 грн
100+9.35 грн
500+8.12 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.71 грн
500+9.51 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.72 грн
36+23.17 грн
100+14.71 грн
500+9.51 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-YTOSHIBASOT363
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26
на замовлення 5721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.00 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.19 грн
46+16.41 грн
115+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 10733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
на замовлення 6116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.30 грн
99+8.29 грн
159+5.14 грн
500+3.49 грн
1000+2.86 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.29 грн
159+5.14 грн
500+3.49 грн
1000+2.86 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
20+15.62 грн
100+9.35 грн
500+8.12 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.96 грн
35+23.25 грн
100+14.88 грн
500+9.59 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.88 грн
500+9.59 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y/D1YTOSHIBA09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y/TE85LTOSHIBA03+ SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1BD01F-YTOSHSOT26/
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1BO1F-Y
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FTOSBHIBASOT-163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GRTOSHIBASOT-163
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR SOT163-C1GTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR SOT163-C1GTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
на замовлення 11411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.93 грн
100+7.43 грн
500+5.15 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85R)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-Y(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01F-Y(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.32 грн
500+7.08 грн
1000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 8533 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-Y(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01F-Y(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.23 грн
50+16.50 грн
100+10.32 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FETOS08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GRTOSHIBASOT663
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
30+10.34 грн
100+6.42 грн
500+4.42 грн
1000+3.90 грн
2000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 17828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Grade: Automotive
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.78 грн
500+5.62 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.08 грн
58+14.06 грн
100+8.78 грн
500+5.62 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.25 грн
58+14.14 грн
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUTOSHIBASOT-363
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU
Код товару: 85544
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT363 50V NPN+NPN BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(T5L,F)TOSHIBASOT363
на замовлення 164695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R)TOSHIBASOT363-C1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R) SOT36TOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R) SOT363-TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R)SOT363-C1GTOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF
Код товару: 128730
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.97 грн
65+12.60 грн
103+7.93 грн
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 1416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
6000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.01 грн
500+18.11 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.17 грн
20+41.13 грн
100+36.01 грн
500+18.11 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR/C1GTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GRTE85RSOT363-C1GTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y LXHFToshiba SOT363 50V NPN+NPN BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT363-C1Y
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]