Продукція > SIA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1042 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.58 грн
6000+12.00 грн
9000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 31705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3
Код товару: 188286
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 5742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.89 грн
3000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
522+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.27 грн
100+22.12 грн
500+15.86 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.09 грн
461+30.74 грн
621+22.81 грн
1000+20.00 грн
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.34 грн
100+22.15 грн
500+15.87 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA449DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA453EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.55 грн
100+39.57 грн
500+29.08 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.66 грн
6000+22.94 грн
9000+22.04 грн
15000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3VishayN-Channel 200 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 751-760 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T3-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 115234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+10.35 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 48135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 16938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
11+27.63 грн
100+19.22 грн
500+14.09 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+17.99 грн
500+12.80 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 13405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.80 грн
6000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
13+23.93 грн
100+16.63 грн
500+12.19 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA465EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA465EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 54456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
10+33.74 грн
100+26.14 грн
500+20.25 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.80 грн
100+21.00 грн
250+19.42 грн
500+18.63 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+22.99 грн
619+22.87 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.12 грн
50+34.07 грн
100+28.30 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 78661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 73228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+23.47 грн
100+15.10 грн
500+10.69 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 100872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+17.92 грн
795+17.79 грн
942+15.03 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.66 грн
6000+6.73 грн
9000+6.40 грн
15000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 250 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15, Qg, нКл = 27.8, Rds = 14 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 19.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.61 грн
37+20.72 грн
100+18.34 грн
250+16.81 грн
500+15.72 грн
1000+15.63 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+25.21 грн
100+19.44 грн
500+15.82 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+20.72 грн
744+19.02 грн
752+18.83 грн
772+17.68 грн
1000+16.28 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.76 грн
6000+13.94 грн
9000+13.56 грн
15000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 136553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0287
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJGE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA472EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch
на замовлення 55829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+9.95 грн
9000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]