Продукція > TK3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK35N.07.2,00.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 6.4mm; 8mm; Min.pitch: 2.54mm; 3A
Contact plating: rhodium plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK35N
Tip diameter: 2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Blade tip shape: head 07; serrated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 270W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.95 грн
5+524.28 грн
10+430.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.92 грн
30+443.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.35 грн
5+649.46 грн
10+631.58 грн
50+415.13 грн
100+375.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.88 грн
100+58.61 грн
500+43.64 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3640448(P3640448)PROFEC
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK36L
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.92 грн
5+192.89 грн
10+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Current rating: 3A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36L
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.37 грн
5+205.47 грн
25+192.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.5mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK36L
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 5mm; 7mm; Min.pitch: 4mm; 3A
Blade tip shape: cone; head 13; sharp
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Related items: TK36L
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.37 грн
5+187.02 грн
25+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Tip diameter: 3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 08
Contact material: steel
Type of test accessories: test needle
Related items: TK36N
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.37 грн
5+205.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
Related items: TK36N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 1.8mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
5+217.21 грн
25+203.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.6mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 1.8mm
Blade tip shape: head 11
Max. contact resistance:: 10mΩ
Related items: TK36N
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
5+217.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Blade tip shape: 4-point; crown; head 02
Contact material: steel
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+453.39 грн
5+374.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 10A
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+467.84 грн
5+386.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 10A
Related items: TK36SCR
Blade tip shape: cone; head 09; inverted
Type of test accessories: test needle
Contact material: CuBe
Mounting: screw-in
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 2.3mm
Operational spring compression: 4mm
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.46 грн
5+228.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; Min.pitch: 4mm; 5A
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Tip diameter: 1.4mm
Minimum pitch: 4mm
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact material: steel
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.27 грн
5+228.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701X-EBG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.07 грн
10+197.52 грн
100+143.06 грн
500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LF6
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723B-HG-PBG
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
Blade tip shape: head 05; round
Related items: TK37N
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 2.3mm
Minimum pitch: 4.5mm
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.37 грн
5+205.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4.5mm; 5.8mm; Min.pitch: 4.5mm
Related items: TK37N
Contact material: brass
Blade tip shape: cylinder; flat; head 10
Contact plating: gold-plated
Type of test accessories: test needle
Tip diameter: 4mm
Operational spring compression: 4.5mm
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.92 грн
5+192.89 грн
25+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.82 грн
500+106.04 грн
1000+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+118.68 грн
100+90.23 грн
500+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.82 грн
500+106.04 грн
1000+97.81 грн
10000+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60YS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.74 грн
50+94.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+142.61 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+142.61 грн
1000+132.01 грн
10000+113.41 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.35 грн
10+153.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.48 грн
100+67.58 грн
500+50.61 грн
1000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.65 грн
120+117.86 грн
147+96.53 грн
200+87.06 грн
1000+71.35 грн
2000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
10+111.36 грн
100+84.54 грн
500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshiba0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.49 грн
159+89.30 грн
250+85.72 грн
500+79.68 грн
1000+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
10+111.36 грн
100+84.54 грн
500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.49 грн
151+93.82 грн
163+87.22 грн
200+70.83 грн
1000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.12 грн
100+75.21 грн
500+56.57 грн
1000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.99 грн
500+54.72 грн
1000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.75 грн
10+91.85 грн
100+59.99 грн
500+54.72 грн
1000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.81 грн
50+513.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+433.73 грн
50+367.73 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.84 грн
43+332.37 грн
50+285.23 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.73 грн
5+660.84 грн
10+553.55 грн
50+414.38 грн
100+334.43 грн
250+308.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.94 грн
43+336.28 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]