Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFY13N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO25
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.83 грн
10+317.39 грн
100+260.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3IXYSMOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY26N30X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFY26N30X3. - MOSFET, N-CH, 300V, 26A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3IXYSMOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.21 грн
70+266.31 грн
140+245.50 грн
560+204.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFY30N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 30A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
70+208.09 грн
140+196.50 грн
560+169.55 грн
1050+145.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3IXYSMOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFY36N20X3. - MOSFET, N-CH, 200V, 36A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-252
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 2.5Ω
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.47 грн
70+160.05 грн
140+146.25 грн
560+117.20 грн
1050+113.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 445W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: DE475
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ140N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 445W
Case: DE475
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ140N25TIXYSMOSFETs DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 DE475
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ520N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Gate TrenchT2 MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 465A DE475
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 465A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: DE475
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40