Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2193000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
на замовлення 2241572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.76 грн
100+7.94 грн
500+5.50 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+4.12 грн
6000+3.22 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.65 грн
75000+2.62 грн
99000+2.51 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
6000+3.22 грн
9000+3.19 грн
24000+3.05 грн
30000+2.80 грн
45000+2.65 грн
75000+2.62 грн
99000+2.51 грн
150000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.77 грн
31+13.75 грн
50+9.43 грн
100+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.49 грн
6000+3.89 грн
9000+3.67 грн
15000+3.21 грн
21000+3.07 грн
30000+2.94 грн
75000+2.60 грн
150000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.91 грн
20000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.46 грн
20000+2.20 грн
100000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.82 грн
56+13.71 грн
59+12.88 грн
130+5.60 грн
250+5.01 грн
500+4.76 грн
1000+2.75 грн
3000+2.69 грн
6000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 14983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2522+5.61 грн
2547+5.55 грн
4412+3.21 грн
4505+3.03 грн
7076+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 143628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
44+6.87 грн
100+3.52 грн
500+3.23 грн
1000+2.89 грн
2000+2.60 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
80000+2.01 грн
160000+1.87 грн
240000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
на замовлення 56452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 9509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.66 грн
55+13.73 грн
56+13.59 грн
122+6.00 грн
250+5.19 грн
500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6697+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 6697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
на замовлення 16775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1940226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
27+11.55 грн
100+5.62 грн
500+4.40 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
9000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4951+2.86 грн
9000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 4951 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 1938000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+2.62 грн
9000+2.17 грн
30000+2.00 грн
75000+1.80 грн
150000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.94 грн
15000+1.92 грн
24000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.11 грн
18000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D7LFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V X2-DFN1010-4 T&R 5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D7LFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 40mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
на замовлення 62374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6383+2.22 грн
7732+1.83 грн
9000+1.73 грн
15000+1.56 грн
21000+1.43 грн
30000+1.37 грн
75000+1.35 грн
150000+1.28 грн
300000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 6383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 230235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7895+1.79 грн
9000+1.70 грн
15000+1.59 грн
21000+1.52 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 7895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 6382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
72+5.87 грн
106+3.98 грн
125+3.35 грн
500+2.33 грн
1000+2.00 грн
1500+1.83 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
6000+1.85 грн
9000+1.74 грн
15000+1.58 грн
21000+1.44 грн
30000+1.37 грн
150000+1.29 грн
300000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6494+2.18 грн
7895+1.79 грн
9000+1.70 грн
15000+1.54 грн
21000+1.41 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 6494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+1.79 грн
9000+1.70 грн
15000+1.54 грн
21000+1.41 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4336+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.83 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2469+3.26 грн
3000+2.88 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 2469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT363 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT363 10K
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.65 грн
20000+4.11 грн
30000+3.91 грн
50000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.44 грн
100+8.42 грн
500+5.85 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.99 грн
9000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3547+3.99 грн
6000+3.95 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7 DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
6000+3.68 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3505+4.04 грн
6000+3.75 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
на замовлення 26471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
29+10.49 грн
100+6.54 грн
500+4.51 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+3.79 грн
9000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+3.07 грн
9000+2.89 грн
15000+2.52 грн
21000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3572+3.96 грн
6000+3.68 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 12911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.39 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
2000+3.46 грн
5000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 22053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 33452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.12 грн
20000+1.84 грн
30000+1.74 грн
50000+1.53 грн
70000+1.47 грн
100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]