Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 33452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.12 грн
20000+1.84 грн
30000+1.74 грн
50000+1.53 грн
70000+1.47 грн
100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
9000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+3.08 грн
6000+2.72 грн
9000+2.54 грн
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 62852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.85 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7DiodesMOSFET BVDSS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
6000+2.74 грн
9000+2.56 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
20000+1.96 грн
30000+1.85 грн
50000+1.62 грн
70000+1.56 грн
100000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 113306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
38+8.08 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
2000+2.66 грн
5000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.10 грн
9000+1.97 грн
15000+1.71 грн
21000+1.63 грн
30000+1.55 грн
75000+1.36 грн
150000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7010+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 7010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes ZetexDMN65D8LV-13
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes ZetexDMN65D8LV-7
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3866+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
6000+8.23 грн
9000+7.83 грн
15000+6.92 грн
21000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
17+25.33 грн
19+22.48 грн
100+13.84 грн
500+10.23 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 27029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+25.13 грн
100+16.08 грн
500+11.41 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes ZetexDMN65D9L-13
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 6881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 120527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.83 грн
100+5.49 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 15063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.03 грн
6000+2.60 грн
9000+2.45 грн
15000+2.13 грн
21000+2.03 грн
30000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7
Код товару: 209227
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+40.53 грн
100+30.27 грн
500+22.32 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW 60Vdss
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.3pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 400mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS-Single
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedMOSFET NMOS-SINGLE
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
на замовлення 66160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
11+28.00 грн
100+20.88 грн
500+15.40 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66DOLDW-7DIODES09NOPB
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
24+12.60 грн
100+6.16 грн
500+4.82 грн
1000+3.35 грн
2000+2.90 грн
5000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.47 грн
30000+2.34 грн
50000+2.10 грн
100000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6123+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 6123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.87 грн
9000+2.38 грн
30000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 57171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
24+12.60 грн
100+6.16 грн
500+4.82 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 34570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.09 грн
30000+1.86 грн
50000+1.61 грн
100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
9000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.35 грн
89+8.50 грн
91+8.34 грн
154+4.75 грн
250+4.34 грн
500+3.89 грн
1000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 1333313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
57+5.36 грн
100+3.57 грн
500+2.54 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
9000+2.07 грн
24000+2.06 грн
45000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.73 грн
9000+2.07 грн
24000+2.06 грн
45000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6025+2.35 грн
9000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 6025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1329000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.11 грн
6000+1.83 грн
9000+1.73 грн
15000+1.51 грн
21000+1.45 грн
30000+1.38 грн
75000+1.22 грн
150000+1.13 грн
300000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]