Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN65D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
6000+2.08 грн
9000+1.95 грн
15000+1.70 грн
21000+1.62 грн
30000+1.54 грн
75000+1.34 грн
150000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7010+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 7010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes ZetexDMN65D8LV-13
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes ZetexDMN65D8LV-7
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3866+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.48 грн
35+23.52 грн
100+16.11 грн
500+11.37 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
16+20.96 грн
100+10.22 грн
500+9.94 грн
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 27029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.90 грн
100+15.93 грн
500+11.31 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.11 грн
500+11.37 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.27 грн
6000+8.15 грн
9000+7.75 грн
15000+6.86 грн
21000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.22 грн
17+25.10 грн
19+22.27 грн
100+13.71 грн
500+10.14 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes ZetexDMN65D9L-13
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.38 грн
87+9.34 грн
138+5.85 грн
500+3.93 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 132569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.60 грн
100+5.32 грн
500+3.65 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 15063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
38+8.57 грн
100+4.63 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
3000+1.59 грн
6000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 6881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+2.52 грн
9000+2.37 грн
15000+2.06 грн
21000+1.96 грн
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.93 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.12 грн
27+30.77 грн
100+20.86 грн
500+15.48 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+40.16 грн
100+29.99 грн
500+22.11 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW 60Vdss
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+38.90 грн
100+21.95 грн
500+16.84 грн
1000+15.26 грн
3000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7
Код товару: 209227
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.86 грн
500+15.48 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.3pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 400mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
18+18.26 грн
100+10.08 грн
500+6.35 грн
1000+5.59 грн
3000+3.66 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.62 грн
500+14.96 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS-Single
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
23+13.97 грн
100+7.80 грн
500+4.00 грн
1000+3.59 грн
3000+2.49 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.63 грн
28+29.64 грн
100+20.62 грн
500+14.96 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.18 грн
500+16.68 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.07 грн
21+39.22 грн
100+26.18 грн
500+16.68 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedMOSFET NMOS-SINGLE
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
11+29.45 грн
100+19.12 грн
500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
на замовлення 66160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
11+27.75 грн
100+20.69 грн
500+15.26 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66DOLDW-7DIODES09NOPB
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
24+12.49 грн
100+6.10 грн
500+4.78 грн
1000+3.32 грн
2000+2.88 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.45 грн
30000+2.31 грн
50000+2.08 грн
100000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 57171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
24+12.49 грн
100+6.10 грн
500+4.78 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.58 грн
1500+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 34570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.49 грн
25+13.18 грн
100+4.69 грн
1000+3.24 грн
3000+2.55 грн
9000+2.14 грн
24000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
6000+2.84 грн
9000+2.36 грн
30000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.46 грн
75+10.79 грн
133+6.09 грн
500+3.58 грн
1500+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D7L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6123+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 6123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.07 грн
30000+1.84 грн
50000+1.59 грн
100000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 1333313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
57+5.31 грн
100+3.54 грн
500+2.52 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.38 грн
89+8.52 грн
91+8.35 грн
154+4.76 грн
250+4.35 грн
500+3.90 грн
1000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.32 грн
120+6.77 грн
250+3.23 грн
500+2.89 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1329000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.09 грн
6000+1.81 грн
9000+1.71 грн
15000+1.50 грн
21000+1.43 грн
30000+1.37 грн
75000+1.21 грн
150000+1.12 грн
300000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
9000+2.08 грн
24000+2.06 грн
45000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.74 грн
9000+2.08 грн
24000+2.06 грн
45000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.89 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6025+2.35 грн
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 6025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.73 грн
43+7.54 грн
100+2.97 грн
1000+2.55 грн
3000+1.86 грн
9000+1.38 грн
45000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.57 грн
9000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
9000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3172+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+14.13 грн
100+8.85 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
9000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]