Продукція > DMN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN65D8LDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4336+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.83 грн
500+5.43 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2469+3.26 грн
3000+2.88 грн
6000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 2469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT363 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT363 10K
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.65 грн
20000+4.11 грн
30000+3.91 грн
50000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+3.99 грн
9000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3547+3.99 грн
6000+3.95 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.44 грн
100+8.42 грн
500+5.85 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7 DMP4010SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
6000+3.68 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 22700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
29+10.49 грн
100+6.54 грн
500+4.51 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3505+4.04 грн
6000+3.75 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+3.07 грн
9000+2.89 грн
15000+2.52 грн
21000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+3.79 грн
9000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3572+3.96 грн
6000+3.68 грн
9000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
на замовлення 26471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 6521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.11 грн
26+11.71 грн
50+9.52 грн
100+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 22053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 239227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.82 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
2000+2.57 грн
5000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 33452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.12 грн
20000+1.84 грн
30000+1.74 грн
50000+1.53 грн
70000+1.47 грн
100000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7DiodesMOSFET BVDSS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
6000+2.74 грн
9000+2.56 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
9000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 62852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+3.08 грн
6000+2.72 грн
9000+2.54 грн
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.85 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+3.11 грн
9000+2.89 грн
15000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.53 грн
44+7.00 грн
50+5.70 грн
100+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 25 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.10 грн
9000+1.97 грн
15000+1.71 грн
21000+1.63 грн
30000+1.55 грн
75000+1.36 грн
150000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7010+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 7010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-13Diodes ZetexDMN65D8LV-13
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes ZetexDMN65D8LV-7
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3866+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
6000+8.23 грн
9000+7.83 грн
15000+6.92 грн
21000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
17+25.33 грн
19+22.48 грн
100+13.84 грн
500+10.23 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 27029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+25.13 грн
100+16.08 грн
500+11.41 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes ZetexDMN65D9L-13
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 15063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 6881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.89 грн
38+8.15 грн
50+6.62 грн
100+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7
Код товару: 209227
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.