Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6635TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1PBF
Код товару: 81465
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TRPBFIOR2008
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
2+180.04 грн
10+160.60 грн
100+112.42 грн
500+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637RECTLFIEY09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1IR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1PBFIR0702
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFIOR2007
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 26574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TR1PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный combines the latest HEXFET® Power MOSFET... Транзистори Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641IOR2006
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TR1PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.6A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.6A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6641TRPBF - IRF6641 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+173.52 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.56 грн
10+296.31 грн
100+212.28 грн
250+209.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TR1PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.80 грн
500+101.30 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.82 грн
10+114.91 грн
100+79.17 грн
500+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.80 грн
500+101.30 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.80 грн
500+101.30 грн
1000+95.68 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.09 грн
117+121.38 грн
145+98.08 грн
500+82.28 грн
1000+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.56 грн
10+122.86 грн
100+75.41 грн
250+74.72 грн
500+62.71 грн
1000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.03 грн
10+122.19 грн
100+98.73 грн
500+82.82 грн
1000+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 24214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.80 грн
500+101.30 грн
1000+95.68 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644IRF6644 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tube
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644Infineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644MDF2IOR2007
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TR1PBFIR1011+ DirectFET-MT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 171243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
100000+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.51 грн
10+137.32 грн
100+82.40 грн
500+69.06 грн
1000+66.69 грн
4800+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
10+132.31 грн
100+91.37 грн
500+69.33 грн
1000+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+241.14 грн
50+154.78 грн
250+106.72 грн
1000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 151875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
100000+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.46 грн
10+104.68 грн
25+103.69 грн
50+93.84 грн
100+82.90 грн
250+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 18357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 26832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.07 грн
10+119.20 грн
25+112.68 грн
100+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 258452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
100000+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.68 грн
128+111.51 грн
130+109.62 грн
500+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+87.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.78 грн
250+106.72 грн
1000+80.19 грн
2000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.89 грн
135+105.06 грн
137+104.06 грн
146+94.19 грн
153+83.19 грн
250+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+144.07 грн
119+119.20 грн
126+112.68 грн
155+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645Infineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tube
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRInfineonN-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRInternational RectifierN-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TR1PBF
Код товару: 32430
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.64 грн
250+46.92 грн
1000+37.14 грн
2000+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 33521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.98 грн
500+71.07 грн
1000+65.55 грн
10000+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.84 грн
10+47.20 грн
100+39.77 грн
500+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]