Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFInternational RectifierI-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.87 грн
29+28.53 грн
100+28.45 грн
500+24.83 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF
Код товару: 48939
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 10 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+15.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120PBFVISHAY
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU130ATU
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU210ATUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU230ATUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 22A 45mOhm 10nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2705Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2705PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905
Код товару: 189658
Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 35 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 670/11
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905HRInfineon TechnologiesDescription: IRLU2905HR
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBF
Код товару: 45467
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 25.07.2026
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBF
Код товару: 184659
2 Додати до обраних Обраний товар
VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 35 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1100/46
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 78 шт
  • 41 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.50 грн
10+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905Z
Код товару: 182753
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.17 грн
10+81.36 грн
100+69.23 грн
500+61.24 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU2905ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, 55V, 42A, I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2908
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3105
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3105PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZInternational RectifierN-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLU3110ZPBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.78 грн
124+114.09 грн
137+103.72 грн
200+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBF
Код товару: 32113
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 63 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZInternational RectifierN-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+77.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3114ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0039 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410International RectifierN-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.25 грн
13+62.91 грн
100+56.33 грн
500+43.55 грн
1000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.92 грн
19+40.22 грн
100+39.82 грн
500+37.94 грн
1000+33.34 грн
2500+27.99 грн
12000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.19 грн
10+53.34 грн
75+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.21 грн
250+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
75+49.54 грн
150+44.34 грн
525+34.66 грн
1050+31.65 грн
2025+29.24 грн
5025+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636-701TRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.21 грн
10+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInternational RectifierDescription: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.25 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.21 грн
174+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.32 грн
10+132.49 грн
100+107.30 грн
500+95.86 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+250.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZPBF
Код товару: 57753
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714PBFIR506+
на замовлення 66150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO251AA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715ZPBF
Код товару: 55826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3717PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInfineon TechnologiesMOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhm 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.29 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBF
Код товару: 94776
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]