Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLU3103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3105
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3105PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZInternational RectifierN-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRLU3110ZPBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.78 грн
124+114.09 грн
137+103.72 грн
200+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBF
Код товару: 32113
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 63 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZInternational RectifierN-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+77.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3114ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0039 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410International RectifierN-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
75+47.16 грн
150+42.20 грн
525+32.99 грн
1050+30.13 грн
2025+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.94 грн
358+39.53 грн
500+39.09 грн
1000+35.79 грн
2500+29.00 грн
12000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.19 грн
10+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.00 грн
19+40.16 грн
100+39.75 грн
500+37.91 грн
1000+33.32 грн
2500+28.00 грн
12000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636-701TRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInternational RectifierDescription: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.25 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.05 грн
10+117.18 грн
25+105.84 грн
100+101.04 грн
500+92.62 грн
1000+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+249.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+134.36 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+144.05 грн
121+117.18 грн
134+105.84 грн
135+101.04 грн
500+92.62 грн
1000+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZPBF
Код товару: 57753
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3705ZPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714PBFIR506+
на замовлення 66150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3714ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3715ZPBF
Код товару: 55826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3717PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInfineon TechnologiesMOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhm 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBF
Код товару: 94776
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3802PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.29 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU3915PBF - IRLU3915 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3915PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU4343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU4343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 43A 13.8mOhm 30V 7nC Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7821IR03+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7821Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7821PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833-701
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833TRR-701
на замовлення 26967 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7833TRR701PInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843-701PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK (LF701)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU7843PBF - IRLU7843 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+411.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 11090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+88.41 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.