Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN8802-BC | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN8802BO | LSILOGIC | на замовлення 426 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DMN90H2D2HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB TUBE 50PCS | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.5A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 125W | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMN90H8D5HCTI | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: >800V | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN95H2D2HCTI | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: >800V | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMN95H8D5HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: >800V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN95H8D5HCTI | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNF1-285-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-285FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-285FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-288-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-288FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-288FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-485FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-488-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-488FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-488FIB-M | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.878" (22.30mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63FIM-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63FIM-L | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63FIMX-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-24AWG 0.250 CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF1-63M-C | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-288-C | Panduit | Quick Disconnect Terminal 13-15AWG Blue F 18.8mm Tin | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNF2-288-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.110 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-488-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-488FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-488FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-63-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-63FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.839" (21.30mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Electrolytic Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF2-63FIBX-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF6-63FIB-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNF6-63M-L | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNFR1485FIB-KD | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNFR163FIB-KD | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNFR263FIB-KD | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Tape & Reel (TR) Gender: Female Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Angled - 90° Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Electrolytic Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNG1-63FL-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H021SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A | на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W | на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | на замовлення 7420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH15H110SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T& Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH15H110SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH15H110SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH15H110SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH15H110SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH15H110SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH15H110SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 175c N-Ch Enh FET 30V 9.5mOhm 10V 55A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2846 pF @ 20 V | на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH4005SCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SCTQ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO220AB TUBE 50PCS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 2.8W Mounting: SMD Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 2.8W Gate charge: 48nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI5060-8 On-state resistance: 4mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40V 20Vgss 175c 90A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101 | на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH4006SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMNH4011SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ENH MOS FET 41V 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMNH4011SPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Power dissipation: 2.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Polarisation: unipolar Gate charge: 25.5nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |