Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMNH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2846 pF @ 20 V | на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4005SCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH4005SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4005SCTQ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO220AB TUBE 50PCS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40V 20Vgss 175c 90A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101 | на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4006SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4006SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 440A; 3W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 440A Drain current: 80A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 50.9nC On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 3W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ENH MOS FET 41V 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4011SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4011SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4015SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4015SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4015SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4015SSDQ | Diodes | MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4015SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4015SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K | на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4015SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4015SSDQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.8A; Idm: 80A; 1.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4026SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4026SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4026SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH4026SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH4026SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH45M7SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6008SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SCTQ | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SCTQ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6008SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2597 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6008SPSWQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6009SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 4600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6009SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 95 A, 4600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6010SCTB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; Idm: 532A; 5W; TO263AB Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263AB Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 94A Pulsed drain current: 532A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6010SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6010SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6011LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6011LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3077 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6011LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6011LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3077 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6012LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 134362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 3116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6012SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 3259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 976626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 975000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 6746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6021SPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SPDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMNH6021SPDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6021SPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMNH6021SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 32A(Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|