Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7103QTRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+30.89 грн
190+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRJSMicro SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR JSMICRO TIRF7103 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRInfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRInfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF
Код товару: 19112
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,13 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 204 шт
  • 162 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.70 грн
8000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.54 грн
251+56.42 грн
363+38.90 грн
500+29.47 грн
1000+24.68 грн
2000+21.54 грн
4000+19.63 грн
8000+18.14 грн
12000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 174736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.86 грн
8000+25.81 грн
12000+24.77 грн
20000+22.75 грн
28000+20.45 грн
40000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.02 грн
8000+22.12 грн
12000+21.42 грн
20000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.08 грн
10+44.73 грн
100+29.24 грн
500+21.16 грн
1000+19.13 грн
2000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 174736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.54 грн
14+56.42 грн
100+38.90 грн
500+29.47 грн
1000+24.68 грн
2000+21.54 грн
4000+19.63 грн
8000+18.14 грн
12000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.02 грн
8000+22.12 грн
12000+21.42 грн
20000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.39 грн
8+54.06 грн
10+45.77 грн
20+36.82 грн
50+27.11 грн
100+22.34 грн
200+19.50 грн
250+18.91 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.60 грн
10+45.10 грн
100+29.29 грн
500+22.68 грн
1000+20.58 грн
2000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.08 грн
10+44.73 грн
100+29.24 грн
500+21.16 грн
1000+19.13 грн
2000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF
Код товару: 23932
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 67 шт
  • 42 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+20.59 грн
190+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFIRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.71 грн
194+72.81 грн
271+52.14 грн
500+39.41 грн
1000+34.43 грн
2000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.25 грн
10+51.29 грн
100+33.70 грн
500+24.52 грн
1000+22.24 грн
2000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.77 грн
8000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.07 грн
20+38.66 грн
100+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.14 грн
8000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.71 грн
11+72.81 грн
100+52.14 грн
500+39.41 грн
1000+34.43 грн
2000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105
Код товару: 32592
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 3,5 (2,3) А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1(0,25) Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 138 шт
  • 116 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105International Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRJSMSEMITransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR JSMICRO TIRF7105 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRHXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR HXY MOSFET TIRF7105 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7105; IRF7105TR; SP001561994; SP001577206; IRF7105TR UMW TIRF7105 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V, 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V, 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRIRC07+;
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TR/IRIR08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.82 грн
16+49.43 грн
25+48.93 грн
50+46.72 грн
100+30.79 грн
250+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.69 грн
10+39.39 грн
100+25.60 грн
500+18.43 грн
1000+16.63 грн
2000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.67 грн
29+26.43 грн
100+22.59 грн
250+20.62 грн
500+18.14 грн
1000+18.09 грн
3000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
534+26.43 грн
603+23.43 грн
611+23.10 грн
667+20.40 грн
1000+18.84 грн
3000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF
Код товару: 140019
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.31 грн
8000+13.60 грн
12000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFIRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.49 грн
10+45.69 грн
50+31.97 грн
100+27.45 грн
250+22.84 грн
500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+30.20 грн
10000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.43 грн
289+48.93 грн
292+48.45 грн
410+33.26 грн
840+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7106IRF
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7106Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7106Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7108IRF
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 31593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF710B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710BFAIRCHILDIRF710B
на замовлення 31050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+20.60 грн
10000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1167+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 1167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.39 грн
10+54.56 грн
50+46.02 грн
100+40.83 грн
250+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]