Продукція > FF6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF600R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDiode Module with Chopper-IGBT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28004.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PInfineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+21104.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+21104.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17747.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+21104.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+21104.46 грн
25+20471.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 600A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17720.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4P_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME4_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 600A AG-ECONOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14268.56 грн
10+13022.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19256.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8149.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF600R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12162.60 грн
5+11919.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 11-Pin AG-ECONOD Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R25KF1EUPECMODULE
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF60UP30DN транзистор
Код товару: 88358
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6122
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF630Bussmann / EatonSpecialty Fuses 630AMP 550VAC/400VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF630Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 630A 550VAC/400VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R12IP4InfineonСилові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 930A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4B60BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54339.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27761.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29995.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40108.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34066.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 4.15
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37210.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49892.42 грн
25+48395.57 грн
100+46898.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49892.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DB2BOSA1 FF650R17IE4D_B2InfineonIGBT Module 2 Independent 1700 V 4150 W Chassis Mount Module Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DPB2BOSA1Infineon TechnologiesTrench Field Stop IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DPB2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 650A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35266.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DPB2BOSA1Infineon TechnologiesTrench Field Stop IGBT Module
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51522.41 грн
25+49977.19 грн
100+48430.93 грн
500+45211.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4DP_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4D_B2
Код товару: 147892
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4D_B2Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1700V 650A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PInfineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PB60BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 930A 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PB60BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 650 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PBOSA1Infineon Technologies1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41739.83 грн
25+40488.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PBOSA1Infineon Technologies1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41739.83 грн
25+40488.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PBOSA1Infineon Technologies1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41739.83 грн
25+40488.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PBOSA1Infineon Technologies1700V dual IGBT module with IGBT4, NTC and pre-applied Thermal Interface Material
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 650A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35422.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4VInfineon TechnologiesIGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF650R17IE4VBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF680N22,510X2 0,68 мкФ 300 В(AC)Iskra Kondensatorji10% Class X2 шаг 22.5 Конденсатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42240.69 грн
25+40973.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29639.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12KM1BOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC C
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00581ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40156.16 грн
5+39353.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42240.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1BOSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12878.07 грн
10+11559.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16221.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20944.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 175A 7-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HPHPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 175 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12684.44 грн
5+12430.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43075.16 грн
25+41783.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - FF6MR12KM1PHOSA1 - FFXMR12KM1PH MOSFET N-CHANNEL SINGLE 25
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33277.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1PHOSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 250A 7-Pin Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43075.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1InfineonСилові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33323.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30900.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+29931.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33323.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28371.86 грн
5+26328.13 грн
10+25246.15 грн
30+23880.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 35-Pin AG-EASY2B Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9738.69 грн
5+9543.61 грн
10+9348.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9387.75 грн
15+7979.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+13820.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13106.40 грн
10+11531.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5227.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]