Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT040TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+500.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.62 грн
10+493.01 грн
100+356.91 грн
500+325.84 грн
1800+325.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+664.45 грн
5+582.30 грн
10+500.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040TO65G3STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 853 pF @ 400 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.90 грн
10+627.17 грн
100+446.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 179A
Power dissipation: 312W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+699.25 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1014.00 грн
5+970.50 грн
10+926.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+699.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.06 грн
10+580.05 грн
100+439.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) HiP-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1172.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.33 грн
5+877.08 грн
10+749.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: HIP-247 IN LINE HEAT SINK 2MM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.85 грн
10+575.26 грн
100+435.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.45 грн
10+666.08 грн
100+442.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W120G3AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 179A
Power dissipation: 312W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.95 грн
30+408.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.89 грн
10+681.95 грн
100+494.28 грн
600+440.44 грн
1200+374.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.15 грн
5+760.30 грн
10+572.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.06 грн
5+874.66 грн
10+784.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.74 грн
30+608.70 грн
120+556.77 грн
510+521.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+908.49 грн
10+669.25 грн
100+503.26 грн
600+477.03 грн
1200+404.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040W65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.96 грн
5+807.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT040W65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) HiP-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+610.35 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT048-SMAFairview MicrowaveDescription: CONN JACK SOLDER SMA
Packaging: Bag
Features: Mounting Hardware
Connector Type: Jack, Female Socket
Contact Termination: Solder
Impedance: 50 Ohms
Mounting Type: Board Edge, End Launch
Fastening Type: Threaded
Connector Style: SMA
Housing Color: Silver
Shield Termination: Screw
Center Contact Material: Beryllium Copper
Frequency - Max: 27 GHz
Number of Ports: 1
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20922.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT048-SMAFairview Microwave Inc.SCT048-SMA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29672.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055H65G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+716.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.69 грн
5+857.75 грн
10+716.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+475.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055TO65G3STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.75 грн
5+517.87 грн
10+475.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055W65G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.31 грн
10+714.50 грн
100+537.09 грн
600+508.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055W65G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 721 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT055W65G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT055W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.31 грн
10+569.28 грн
100+498.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT060HU75G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 750 V, 0.078 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.31 грн
5+937.48 грн
10+783.65 грн
50+726.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT060HU75G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+878.69 грн
10+607.33 грн
100+459.08 грн
600+389.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Supplier Device Package: H2PAK-7
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 90 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+827.14 грн
10+717.68 грн
25+608.19 грн
50+573.67 грн
100+540.54 грн
250+527.42 грн
1000+526.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Supplier Device Package: H2PAK-7
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+1069.57 грн
10+775.63 грн
25+663.42 грн
50+643.40 грн
100+552.96 грн
250+543.30 грн
500+512.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1009.97 грн
5+881.91 грн
10+753.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+753.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: HU3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.92 грн
5+970.50 грн
10+819.09 грн
50+745.63 грн
100+673.77 грн
250+659.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+987.42 грн
10+692.27 грн
100+534.32 грн
600+502.57 грн
1200+457.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: HU3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.35 грн
10+655.43 грн
100+541.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+819.09 грн
50+745.63 грн
100+673.77 грн
250+659.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Supplier Device Package: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1179.10 грн
10+842.32 грн
25+731.76 грн
100+649.61 грн
250+590.93 грн
600+537.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1117.89 грн
5+976.14 грн
10+834.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT070W120G3AG - SILICON CARBIDE POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.07 грн
5+928.62 грн
10+802.18 грн
50+714.22 грн
100+580.58 грн
250+551.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT070W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: SIC MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HiP247™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1/0-1/0Panduit CorpDescription: COPPER T SPLICE LONG BARREL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1/0-1/0PanduitSplice Terminal (1/0)-(1/0)AWG Seamless Copper 101.6mm Tin
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8693.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1/0-1/0PANDUITDescription: PANDUIT - SCT1/0-1/0 - Drahtspleiß, SCT, Crimp, 0 AWG, Abzweigspleiß
Anschluss: Crimp
Leiterquerschnitt CSA: -
Isoliermaterial: -
Leiterstärke (AWG), max.: 0
Leiterstärke (AWG), min.: -
Klemmentyp: Abzweigspleiß
Anschlussmaterial: Kupfer
Isolatorfarbe: -
Produktpalette: SCT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1/0-1/0PanduitTerminals Copper Compr T Splice, Long Barrel
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10-100DwyerDescription: CURRENT TRANSDUCER, SPLIT CORE,
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT10-102DwyerDescription: CURRENT TRANSDUCER, SPLIT CORE,
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+351.29 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.52 грн
3+490.27 грн
5+479.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT1000N170 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+678.95 грн
5+668.48 грн
10+658.82 грн
50+602.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.32 грн
10+415.21 грн
100+267.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+350.97 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170STMicroelectronicsDescription: HIP247 IN LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 1000 V
Supplier Device Package: HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.68 грн
10+392.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1000N170AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1004T-470M
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1008CMT3R2GON SemiconductorSCT1008CMT3R2G
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
10000+32.33 грн
100000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1008CMT3R2GON SemiconductorSCT1008CMT3R2G
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
10000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1008CMT3R2GonsemiDescription: 1 TMP DIO MON/SMBUS 4CH
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1008CMT3R2GON SemiconductorSCT1008CMT3R2G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.31 грн
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1008CMT3R2GONSEMIDescription: ONSEMI - SCT1008CMT3R2G - 1 TMP DIO MON/SMBUS 4CH
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T0.2A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 200mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.2A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T0.315A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 315mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Current rating: 0.315A
Rated voltage: 250V AC
Type of fuse: fuse
Fuse characteristics: time-lag
Mounting: SMD
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T0.5A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 500mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.5A
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Rated voltage: 250V AC
Mounting: SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+24.18 грн
50+21.52 грн
100+18.78 грн
500+16.12 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T0.63A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 630mA; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 0.63A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+24.43 грн
50+21.69 грн
100+19.03 грн
500+16.29 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T1.25A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 1.25A; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 1.25A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.45 грн
25+19.61 грн
50+17.45 грн
100+15.29 грн
500+13.05 грн
1000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T1.6A250VSETsafe | SETfuseDescription: MINITURE FUSE
Voltage Rating - DC: 250 VDC
Voltage Rating - AC: 350 VAC
Part Status: Active
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100A AC, 30A DC
Approval Agency: CQC, cURus, TUV
Response Time: Slow Blow
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1.6A
Fuse Type: Board Mount
Size / Dimension: 0.409" L x 0.126" W x 0.126" H (10.40mm x 3.20mm x 3.20mm)
Package / Case: 2-SMD, Square End Block
Packaging: Bulk
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.47 грн
50+68.95 грн
100+58.61 грн
500+49.50 грн
1000+37.13 грн
2000+33.41 грн
4000+29.58 грн
6000+28.10 грн
20000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT1032T10A250VSETFUSECategory: SMD Fuses - Others
Description: Fuse: fuse; 10A; 250VAC; time-lag; 10.3x3.2x3.2mm; SMD
Type of fuse: fuse
Current rating: 10A
Rated voltage: 250V AC
Fuse characteristics: time-lag
Fuse size: 10.3x3.2x3.2mm
Mounting: SMD
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.68 грн
50+21.02 грн
100+18.45 грн
500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]