Продукція > SH8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SH8M41TB1ROHMDescription: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.86 грн
500+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+99.24 грн
100+62.82 грн
500+50.12 грн
1000+45.98 грн
2500+41.63 грн
5000+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.61 грн
10+119.36 грн
100+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M70
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+51.44 грн
100+29.41 грн
500+22.71 грн
1000+20.57 грн
2500+18.29 грн
5000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.24 грн
100+31.66 грн
500+23.01 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+35.33 грн
418+33.92 грн
500+32.70 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.73 грн
5000+24.74 грн
7500+23.75 грн
12500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.18 грн
500+34.25 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.05 грн
100+41.87 грн
500+30.77 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.80 грн
14+59.44 грн
100+45.18 грн
500+34.25 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+58.27 грн
100+36.59 грн
500+30.03 грн
1000+27.34 грн
2500+24.71 грн
5000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.76 грн
5000+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.19 грн
11+79.01 грн
100+52.43 грн
500+38.37 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+45.06 грн
328+43.25 грн
500+41.69 грн
1000+38.89 грн
2500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+77.80 грн
100+44.94 грн
500+35.41 грн
1000+32.38 грн
2500+28.99 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+88.44 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+76.58 грн
100+59.74 грн
500+46.31 грн
1000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.43 грн
500+38.37 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.03 грн
11+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+74.39 грн
100+43.22 грн
500+34.03 грн
1000+31.07 грн
2500+27.75 грн
5000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5.5A 8-Pin SOP
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.09 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+98.64 грн
100+78.50 грн
500+62.34 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+205.06 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.78 грн
500+49.73 грн
1000+42.59 грн
5000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+225.04 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.21 грн
10+107.12 грн
100+77.72 грн
500+59.61 грн
1000+51.09 грн
5000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 8016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.80 грн
10+98.44 грн
100+65.31 грн
500+52.95 грн
1000+48.74 грн
2500+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.32 грн
100+42.88 грн
500+31.62 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/4A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+73.75 грн
100+42.52 грн
500+33.34 грн
1000+30.44 грн
2500+27.27 грн
5000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.30 грн
10+124.84 грн
100+85.37 грн
500+63.49 грн
1000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+113.53 грн
100+76.60 грн
500+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.52 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.84 грн
139+102.49 грн
500+82.15 грн
1000+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+119.08 грн
100+70.41 грн
500+56.47 грн
1000+52.26 грн
2500+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MD5HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MD5HTB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 NPCH 80V 3A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.11 грн
500+34.72 грн
1000+31.69 грн
2500+29.13 грн
5000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MD5HTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 3.5A/3A 8-Pin SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.07 грн
10+120.67 грн
100+71.80 грн
500+57.57 грн
1000+56.54 грн
2500+53.71 грн
5000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8R0
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5