Продукція > TK7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK7A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.23 грн
10+155.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.64 грн
10+102.56 грн
100+79.43 грн
500+59.29 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.84 грн
10+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4X(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.21 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A90ES4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7B423ICI
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7B5637C1N11
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7B9028A
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E0731
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.11 грн
10+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80WS1X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7F5768
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7H9805P001
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7H9820V01
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J6150
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90EToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1EToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1EToshibaMOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.13 грн
10+167.46 грн
100+117.75 грн
500+96.15 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.74 грн
10+200.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1E(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90E,S1E(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 200W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 200W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7J90ES1E(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7K8418LF
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7L7730
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7L7730P920
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7L9773-D
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7M1804P25
на замовлення 946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7M6284P23
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7N5498P82
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RDVQSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.69 грн
500+43.93 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+194.24 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.41 грн
100+70.41 грн
500+52.82 грн
1000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.45 грн
17+50.07 грн
100+48.69 грн
500+43.93 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60V,RQ(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60V,RVQ(S
Код товару: 94372
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60VRVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.59 грн
10+77.88 грн
100+66.54 грн
2000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+87.78 грн
100+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.96 грн
220+64.31 грн
250+56.57 грн
500+47.92 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.74 грн
500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.06 грн
11+78.52 грн
100+59.74 грн
500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.67 грн
100+60.96 грн
500+55.02 грн
1000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.96 грн
500+55.02 грн
1000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.75 грн
190+74.58 грн
209+67.98 грн
1000+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5RVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60WRVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.55 грн
13+62.57 грн
25+61.59 грн
100+58.44 грн
250+53.24 грн
500+50.27 грн
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+87.86 грн
100+69.91 грн
500+55.51 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.05 грн
10+95.92 грн
100+72.91 грн
500+52.16 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.66 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.91 грн
500+52.16 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7Q60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.17 грн
10+116.98 грн
75+100.33 грн
525+75.94 грн
1050+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R0E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
50+77.24 грн
100+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R0E08QM,S1XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.86 грн
10+84.93 грн
100+57.48 грн
500+48.63 грн
1000+37.34 грн
5000+35.53 грн
10000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R0E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R0E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 87W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.45 грн
10+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R2E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R2E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 94 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 123W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.67 грн
10+147.94 грн
100+83.72 грн
500+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R2E15Q5,S1XToshibaMOSFETs 150V UMOS10-HSD TO-220 7.2mohm
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.34 грн
10+175.47 грн
25+143.53 грн
50+142.13 грн
100+116.35 грн
250+109.39 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.77 грн
10+115.38 грн
100+75.94 грн
500+61.73 грн
1000+51.28 грн
5000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+105.67 грн
100+69.82 грн
500+50.72 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A15Q5,S4XToshibaMOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.00 грн
50+243.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R7P10PL,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.56 грн
10+85.73 грн
100+49.47 грн
500+38.95 грн
1000+35.11 грн
2500+33.16 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R7P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.67 грн
100+52.25 грн
500+38.82 грн
1000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R7P10PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.33 грн
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R7P10PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R7P10PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
12+68.60 грн
100+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.86 грн
4000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQToshibaMOSFETs 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.86 грн
10+80.12 грн
25+66.75 грн
100+49.12 грн
250+49.05 грн
500+39.92 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+79.33 грн
100+55.64 грн
500+44.15 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQToshibaMOSFET PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.75 грн
10+50.88 грн
100+34.42 грн
500+29.19 грн
1000+23.76 грн
2000+22.36 грн
4000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+50.19 грн
100+36.92 грн
500+29.05 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5