Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL P-CH HEXFET 17mOhms 38nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBF
Код товару: 58448
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.26 грн
10+119.17 грн
50+108.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329PBF 
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRInternational Rectifier2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.04 грн
203+69.82 грн
258+54.79 грн
500+48.86 грн
1000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.99 грн
14+54.26 грн
25+52.70 грн
50+50.31 грн
100+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.93 грн
100+45.40 грн
500+33.54 грн
1000+30.63 грн
2000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+57.75 грн
1000+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.90 грн
8000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBF
Код товару: 26137
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1340/13
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7333IR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1IOR02+ SMD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRIOR2004
на замовлення 185200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335D1TRPBFIOR
на замовлення 194500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7335SIOR02+ SMD-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7336D1TR
Код товару: 45446
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-14
у наявності: 74 шт
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 22 шт
  • 22 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+12.00 грн
10+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7336D1TRIRSOP8 04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338IRSO-8
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338PBFInfineon TechnologiesMOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRIR0240+ SOP-8
на замовлення 206030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 12V 6.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBFIOR
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7339D1IR06+ SOP-14;
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7339D1TRIR03+
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734Vishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7340IOR01+ SOP
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341JSMicro SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341International RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341SLKORTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineonТранзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 5,1А; SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 23589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.49 грн
10+105.59 грн
100+71.91 грн
500+53.96 грн
1000+49.62 грн
2000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341ITRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBF
Код товару: 26458
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,050 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QIRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QPBF
Код товару: 85128
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QTRPB
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRJGSEMITransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR-HXY 4828.HXY MOSFETTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInternational RectifierIRF7341TRPBF IRF7341TR SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.34 грн
162+87.26 грн
250+83.76 грн
500+77.86 грн
1000+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 217 шт
  • 171 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 13 шт
  • 13 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.68 грн
8000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]