Продукція > EM6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EM6J1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 14854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.23 грн
100+18.12 грн
500+12.91 грн
1000+10.93 грн
2000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2RROHMDescription: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2RROHM SemiconductorMOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6
на замовлення 138010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2RROHMDescription: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.70 грн
26+31.78 грн
100+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1ROHMSOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1 T2RROHMSOT-563
на замовлення 11867 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.44 грн
100+18.93 грн
500+13.52 грн
1000+12.15 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1T2RROHM SemiconductorMOSFETs 2N-CH 30V .1A
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 29490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+67.70 грн
500+41.68 грн
1000+27.25 грн
8000+26.09 грн
16000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: EMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+10.19 грн
16000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.91 грн
100+13.27 грн
500+9.34 грн
1000+8.34 грн
2000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2RROHM SemiconductorMOSFETs 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31T2RROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.32 грн
100+20.17 грн
500+14.44 грн
1000+12.99 грн
2000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K33T2RROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K33T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K33T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.29 грн
100+16.17 грн
500+11.48 грн
1000+10.29 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CRROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.38 грн
50+18.86 грн
250+12.60 грн
1000+10.34 грн
4000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.36 грн
100+10.97 грн
500+7.68 грн
1000+6.83 грн
2000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.86 грн
250+12.60 грн
1000+10.34 грн
4000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6ROHM09+
на замовлення 48018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6 T2CRROHMSOT26
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+16.26 грн
903+15.67 грн
1000+15.16 грн
2500+14.18 грн
5000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohmMOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RROHMDescription: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.18 грн
250+18.70 грн
1000+12.15 грн
4000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.83 грн
100+15.87 грн
500+11.27 грн
1000+10.09 грн
2000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+20.10 грн
730+19.38 грн
1000+18.74 грн
2500+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.95 грн
678+20.87 грн
746+18.98 грн
870+15.68 грн
1000+13.79 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RROHM10+ EMT6
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RROHM SemiconductorMOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 11391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RROHMDescription: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.06 грн
50+29.18 грн
250+18.70 грн
1000+12.15 грн
4000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
16+27.68 грн
40+20.80 грн
50+19.88 грн
100+17.19 грн
500+12.33 грн
1000+10.73 грн
2000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K6T2RRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+20.10 грн
730+19.38 грн
1000+18.74 грн
2500+17.54 грн
5000+15.80 грн
10000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CRROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 20139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.67 грн
500+13.81 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CRRohm SemiconductorDescription: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CRROHMDescription: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.66 грн
27+30.64 грн
100+19.67 грн
500+13.81 грн
1000+10.38 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CRRohm SemiconductorDescription: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.98 грн
16000+7.98 грн
24000+7.65 грн
40000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2RRohm2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-563 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 8000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
8000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2RROHM SemiconductorMOSFETs TRNSISTR DUAL MOSFET
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 40415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.34 грн
100+16.89 грн
500+12.01 грн
1000+10.77 грн
2000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6L4631K019
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M1T2RROHM SemiconductorMOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
10+30.27 грн
100+21.05 грн
500+15.42 грн
1000+12.54 грн
2000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2NROHMSOT753
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
15+29.18 грн
100+18.45 грн
500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 56500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+11.87 грн
16000+10.59 грн
24000+10.16 грн
40000+9.09 грн
56000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2RROHMDescription: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.11 грн
500+15.62 грн
1000+11.77 грн
5000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2RROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
на замовлення 23383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2RROHMDescription: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.19 грн
24+34.22 грн
100+22.11 грн
500+15.62 грн
1000+11.77 грн
5000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 58578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.81 грн
100+21.84 грн
500+15.65 грн
1000+14.08 грн
2000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE08NW9A-07HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+587.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE08NW9A-07HEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE08NW9A-07IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE08NW9A-07IHEtron Technology, Inc.Description: IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: POD
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x10.6)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.333 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+533.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE16NWAKA-07HEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE16NWAKA-07IHEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+597.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6OE16NWAKA-07IHEtron Technology, Inc.Description: 4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6