Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4900DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 5.3A 3.1W
на замовлення 21316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.44 грн
17+46.26 грн
25+45.80 грн
50+43.72 грн
100+39.86 грн
250+37.66 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.54 грн
10+72.57 грн
100+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
на замовлення 5467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4900DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4900DYT1E3VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4901-B-GL
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4901-GL
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4902DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4902DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904-GL
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DYVishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-E
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4904DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4904DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4904DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 15395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.14 грн
10+131.05 грн
100+90.47 грн
500+68.63 грн
1000+63.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.33 грн
10+78.31 грн
100+69.39 грн
500+61.70 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+78.50 грн
202+69.55 грн
500+64.14 грн
1000+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DYT1EVISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4904DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4905-GL
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4906DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4906DY-T1-E3VishayMOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4906DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4906DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4906DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4906DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4906DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4908DY
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4908DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4908DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4908DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4908DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.10 грн
5000+26.90 грн
7500+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3VishayMOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+67.67 грн
100+45.14 грн
500+33.28 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY TSI4909dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-VBVBsemi30V 9.5A 5W 21m@10V,7.3A 3V@250A P Channel SO-8 MOSFETs SI4909DY-VB SI4909DY TSI4909DY VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DY-TE2-E3
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4910DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4911DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4911DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4912
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-GE3
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4913DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914SISOP-8
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914ADY-T1-E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4914BDY-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4914BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.4/8.0A 2.1/3.1
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4914BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY-T1-GE3
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914BDYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DYVISHAY09+
на замовлення 7768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DY-E1-E3VISHAY
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DY-T1Vishay09+
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DY-T1-E3
Код товару: 52359
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4914DYT1E3VISHAY
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DYVISHAY09+
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W, 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W, 3.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4916DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920SISOP-8
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DYVISHAY09+
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DYON SemiconductorSI4920DY
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4920DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DY-T1VISHAY/SIL03+
на замовлення 23308 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4920DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]