Продукція > SID

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.90 грн
10+187.94 грн
100+132.93 грн
500+114.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.64 грн
10+154.21 грн
100+107.79 грн
500+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.65 грн
10+167.52 грн
100+124.03 грн
500+88.25 грн
1000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.36 грн
10+188.15 грн
100+115.29 грн
500+95.96 грн
3000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.03 грн
500+88.25 грн
1000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR510EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
10+174.66 грн
100+121.50 грн
500+120.12 грн
3000+99.41 грн
6000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR510EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.08 грн
10+157.80 грн
100+110.45 грн
500+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR510EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.50 грн
500+127.89 грн
1000+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR510EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR510EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.74 грн
10+227.93 грн
100+163.50 грн
500+127.89 грн
1000+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.41 грн
500+112.18 грн
1000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.72 грн
10+170.14 грн
100+119.63 грн
500+100.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.10 грн
10+187.66 грн
100+151.41 грн
500+112.18 грн
1000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 150V 90.9A N-CH MOSFET
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.45 грн
10+177.83 грн
100+110.45 грн
500+99.41 грн
1000+89.74 грн
3000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR578EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR578EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR578EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 8800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.45 грн
10+194.91 грн
100+140.14 грн
500+116.67 грн
1000+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR578EP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+174.66 грн
25+143.59 грн
100+123.57 грн
250+115.98 грн
500+109.76 грн
1000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR578EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.92 грн
10+178.74 грн
100+126.05 грн
500+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR578EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR578EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 8800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.14 грн
500+116.67 грн
1000+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs POWRPK N CHAN 80V
на замовлення 12427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+160.37 грн
100+101.48 грн
500+91.12 грн
1000+89.05 грн
3000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.70 грн
500+106.20 грн
1000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.75 грн
10+213.21 грн
25+202.57 грн
50+182.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.23 грн
10+176.38 грн
100+133.70 грн
500+106.20 грн
1000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.20 грн
10+150.55 грн
100+105.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5802EP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 150W
Drain current: 153A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 45V 51A
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+167.51 грн
100+102.17 грн
500+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 208
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+132.15 грн
100+91.61 грн
500+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.97 грн
100+98.02 грн
500+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+161.16 грн
100+98.03 грн
500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.32 грн
10+228.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.90 грн
10+222.29 грн
100+143.59 грн
500+128.40 грн
3000+109.07 грн
6000+106.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.72 грн
500+99.47 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 200V 39.6A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.42 грн
10+182.02 грн
100+137.72 грн
500+99.47 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+135.89 грн
100+94.34 грн
500+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.67 грн
10+199.74 грн
100+144.17 грн
500+110.68 грн
1000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.17 грн
500+110.68 грн
1000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
10+201.03 грн
100+142.71 грн
500+110.57 грн
1000+103.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 200V 39.6A N-CH MOSFET
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.74 грн
10+227.05 грн
100+140.14 грн
500+122.19 грн
3000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.78 грн
500+77.78 грн
1000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+182.60 грн
100+115.98 грн
500+96.65 грн
1000+91.12 грн
3000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.54 грн
10+174.77 грн
100+131.28 грн
500+91.24 грн
1000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.08 грн
10+157.73 грн
100+110.39 грн
500+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+135.89 грн
100+94.34 грн
500+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 150V 56.7A N-CH MOSFET
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
10+155.60 грн
100+95.27 грн
500+79.39 грн
1000+75.25 грн
3000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0147ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.06 грн
500+69.33 грн
1000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.35 грн
10+137.72 грн
100+99.06 грн
500+69.33 грн
1000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+258.53 грн
50+177.19 грн
100+124.84 грн
500+100.96 грн
1500+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.66 грн
10+192.80 грн
100+136.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 80W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.94 грн
10+207.21 грн
100+127.71 грн
500+117.36 грн
1000+111.14 грн
3000+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.84 грн
500+100.96 грн
1500+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3-XVishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 7621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.38 грн
10+172.53 грн
100+121.01 грн
500+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 42.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.52 грн
500+138.36 грн
1500+109.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 50.8A
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.24 грн
10+211.97 грн
100+127.71 грн
500+109.07 грн
3000+102.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+301.22 грн
50+211.82 грн
100+167.52 грн
500+138.36 грн
1500+109.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 45.6A
на замовлення 7248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.85 грн
10+227.85 грн
100+149.11 грн
500+131.86 грн
3000+124.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.74 грн
500+157.80 грн
1000+142.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.49 грн
10+223.61 грн
100+159.24 грн
500+132.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.10 грн
10+211.01 грн
100+170.74 грн
500+157.80 грн
1000+142.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 204A; Idm: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 204A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
10+215.31 грн
100+152.97 грн
500+125.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 218A; Idm: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 218A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 218A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.56 грн
500+118.16 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 48.7A
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.57 грн
10+231.82 грн
100+142.90 грн
500+124.95 грн
3000+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 218A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
10+202.15 грн
100+142.56 грн
500+118.16 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.90 грн
500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 8682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+176.24 грн
100+107.69 грн
500+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
500+61.40 грн
1000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.97 грн
10+120.00 грн
100+87.79 грн
500+61.40 грн
1000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3VishayN-Channel 40 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+125.57 грн
100+86.79 грн
500+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+180.41 грн
100+126.45 грн
500+96.48 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]