Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7060-B-03-IVSilicon LabsBoard Mount Temperature Sensors +/-1 C maximum digital I2C temperature sensors, 0x33 I2C Address
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-B-03-IVSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Strip
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-B-03-IVRSilicon LabsBoard Mount Temperature Sensors +/-1 C maximum digital I2C temperature sensors, 0x33 I2C Address
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-B-03-IVRSilicon LabsDescription: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-B-03-IVRSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-B-03-IVRSilicon LaboratoriesTemp Sensor Digital Serial (I2C) 5-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-EVBSilicon LabsTemperature Sensor Development Tools Si7060 Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-EVBSilicon LabsDescription: SI7060 EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Sensitivity: ±1°C
Interface: I2C
Contents: Board(s)
Sensor Type: Temperature
Utilized IC / Part: Si7060
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2163.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7060-EVBSilicon LaboratoriesSi7060 Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7072SISOP-8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.69 грн
6000+31.15 грн
9000+30.00 грн
15000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 104641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 50585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.08 грн
10+78.05 грн
100+52.44 грн
500+38.89 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 35A 52W
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 35A
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7104DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.15 грн
100+87.54 грн
500+66.25 грн
1000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.49 грн
6000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+102.53 грн
100+79.96 грн
500+61.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-3
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.69 грн
6000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 22A 0.0049Ohm
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.66 грн
10+131.71 грн
100+105.89 грн
500+81.64 грн
1000+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 42079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.66 грн
10+131.71 грн
100+105.89 грн
500+81.64 грн
1000+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.69 грн
6000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 21.1A 0.0053Ohm
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
10+142.90 грн
100+114.83 грн
500+88.53 грн
1000+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.39 грн
6000+21.77 грн
9000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7111EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 10395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.46 грн
100+38.00 грн
500+27.79 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7111EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112SI
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DNVISHAY09+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3VISHAY0843+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
на замовлення 10268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+117.08 грн
100+80.62 грн
500+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.41 грн
16+49.70 грн
100+35.24 грн
500+26.52 грн
1000+19.44 грн
3000+16.79 грн
6000+16.21 грн
9000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.57 грн
6000+19.88 грн
9000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+39.18 грн
100+25.50 грн
500+18.39 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 46959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.70 грн
402+35.24 грн
515+27.50 грн
1000+20.99 грн
3000+17.49 грн
6000+16.21 грн
9000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.86 грн
6000+14.05 грн
9000+13.43 грн
15000+11.95 грн
21000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.67 грн
6000+19.96 грн
9000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 42644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113ADN-TI-GE3VishaySI7113ADN-TI-GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3VISHAY09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]