Продукція > BSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LV POWER MOS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N03S G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N03SG | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSC027N04LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSG | Infineon | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 81 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSG(XT) | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 12994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | на замовлення 12107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | на замовлення 12107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V | на замовлення 58825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | на замовлення 3018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 10018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 16108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V | на замовлення 9917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 13188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 214W Gate charge: 111nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Case: TSON8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R | на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 20426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 13113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3G | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 13868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 13868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 23283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | на замовлення 29838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 12127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 20038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS SC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS SC productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA2 | Infineon Technologies | Description: BSC028N06NSSCATMA2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSSCATMA2 | Infineon Technologies | IFX FET 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NST | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP | на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NST | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 9744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | на замовлення 7310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 7673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | на замовлення 10859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC029N025S G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC029N025SG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V | на замовлення 8868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0302LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0302LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0302LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 2913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0302LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|