Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.82W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 1.45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+52.76 грн
100+38.45 грн
500+28.95 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,P-CHANNEL
на замовлення 5022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13DiodesP-CH 30V 12A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13DiodesMOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET,P-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4435SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+15.40 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.11 грн
5000+7.31 грн
7500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1307+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
13+24.38 грн
100+15.53 грн
500+10.99 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13DiodesN-CH 30V 10A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+15.40 грн
1573+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.52 грн
5000+13.70 грн
7500+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.89 грн
100+24.53 грн
500+17.64 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.42W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFGDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFGDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 45.9A
Power dissipation: 0.99W
Gate charge: 18.85nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN3030-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.62A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 1.68W
Gate charge: 18.85nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 15 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.29 грн
100+26.86 грн
500+19.38 грн
1000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+28.93 грн
500+28.80 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1273+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 1273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+11.12 грн
1000+9.26 грн
2500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.72 грн
25+22.28 грн
50+18.26 грн
100+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4511SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 35 V, 35 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 35V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 35V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.54W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.61 грн
25+50.99 грн
50+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4511SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 35 V, 35 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 35V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 35V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.54W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.54W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.8/-8.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 35/-35V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: TO252-4
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+49.31 грн
100+32.37 грн
500+25.49 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+54.19 грн
100+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
15+21.28 грн
100+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
на замовлення 35972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.42 грн
6000+10.95 грн
9000+10.44 грн
15000+9.26 грн
21000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.70 грн
100+20.39 грн
500+14.56 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 7425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.91 грн
25+34.18 грн
50+28.18 грн
100+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.