Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+634.75 грн
29+497.26 грн
30+480.01 грн
100+368.66 грн
500+309.95 грн
1000+290.62 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+227.12 грн
200+177.25 грн
500+147.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.65 грн
10+301.09 грн
100+223.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+397.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.23 грн
10+345.52 грн
100+251.28 грн
500+222.87 грн
1000+191.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+546.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+679.22 грн
50+663.86 грн
100+639.01 грн
200+590.62 грн
500+506.25 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.12 грн
10+360.33 грн
25+356.74 грн
100+335.16 грн
250+302.15 грн
500+282.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+397.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+345.52 грн
100+251.28 грн
500+222.87 грн
1000+191.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.90 грн
10+329.47 грн
100+211.93 грн
500+205.72 грн
1000+191.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+329.24 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.00 грн
10+141.12 грн
100+97.75 грн
500+74.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.54 грн
10+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+111.14 грн
100+81.46 грн
500+71.80 грн
1000+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.51 грн
10+225.47 грн
100+156.71 грн
500+129.09 грн
1000+107.69 грн
2000+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+141.42 грн
100+102.54 грн
500+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+239.76 грн
100+167.75 грн
500+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04CN10NGINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04CN10NGANBRUCHInfineon Technologies07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GINFTO-263
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LATInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N06NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+88.47 грн
100+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.77 грн
10+109.56 грн
100+65.31 грн
500+55.50 грн
800+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.65 грн
10+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+154.81 грн
100+105.62 грн
500+89.05 грн
1000+74.56 грн
2000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051NE8N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051NE8NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051NE8NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051NE8NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051NE8NGATMA1Infineon TechnologiesIPB051NE8NGATMA1
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+176.01 грн
500+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051NE8NGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04N GINFTO-263
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB052N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.31 грн
10+111.14 грн
100+77.32 грн
250+70.41 грн
500+64.20 грн
1000+55.30 грн
2000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GInfineon technologies
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GInfineon TechnologiesDescription: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.55 грн
10+111.94 грн
100+68.69 грн
500+55.43 грн
1000+51.22 грн
2000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.03 грн
10+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+105.15 грн
100+72.10 грн
500+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+116.70 грн
100+80.08 грн
250+74.56 грн
500+68.69 грн
1000+58.06 грн
2000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GInfineon technologies
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.30 грн
10+109.86 грн
100+75.50 грн
500+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.45 грн
93+152.56 грн
133+106.85 грн
500+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.70 грн
10+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+91.30 грн
100+59.51 грн
250+59.30 грн
500+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.95 грн
10+151.51 грн
100+106.12 грн
500+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03L G
Код товару: 61412
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.01 грн
500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]