Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
500+265.19 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+523.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGINF07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.63 грн
10+115.47 грн
25+114.31 грн
100+109.13 грн
250+100.03 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.01 грн
2000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+120.22 грн
1000+110.55 грн
10000+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+96.18 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3 GInfineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.64 грн
10+247.27 грн
100+176.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+231.01 грн
500+218.05 грн
1000+206.26 грн
10000+187.53 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+136.77 грн
50+104.78 грн
100+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB035N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 138 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 246W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GInfineon technologies
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+270.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+585.43 грн
38+376.53 грн
100+318.06 грн
500+298.37 грн
1000+248.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.43 грн
10+375.89 грн
100+317.52 грн
500+297.86 грн
1000+247.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+270.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.24 грн
10+339.05 грн
50+269.32 грн
100+231.70 грн
500+222.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+333.46 грн
110000+306.18 грн
165000+286.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GINFTO-263
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.01 грн
164+86.59 грн
167+85.16 грн
169+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.84 грн
3000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.88 грн
50+162.66 грн
100+146.81 грн
500+114.75 грн
1000+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.96 грн
95+149.86 грн
97+146.45 грн
133+103.12 грн
500+78.30 грн
1000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.01 грн
10+86.59 грн
25+85.16 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.90 грн
25+79.67 грн
100+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.24 грн
50+110.76 грн
100+93.82 грн
500+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+141.44 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3 GInfineon
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+209.83 грн
3000+207.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+206.97 грн
3000+204.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.08 грн
25+208.82 грн
50+193.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+174.56 грн
3000+162.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+246.79 грн
3000+226.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+273.44 грн
500+259.30 грн
1000+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.75 грн
10+307.67 грн
25+282.68 грн
100+211.12 грн
250+193.55 грн
500+172.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.18 грн
10+299.19 грн
50+295.32 грн
100+234.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+441.75 грн
46+307.67 грн
51+282.68 грн
100+211.12 грн
250+193.55 грн
500+172.79 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.23 грн
10+298.74 грн
50+235.46 грн
100+201.90 грн
500+175.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+465.97 грн
48+299.71 грн
50+295.83 грн
100+235.15 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
10+245.30 грн
100+175.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.97 грн
70+204.70 грн
74+191.69 грн
100+174.84 грн
250+161.30 грн
500+154.29 грн
1000+153.72 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.12 грн
10+207.91 грн
25+194.14 грн
100+176.94 грн
250+162.57 грн
500+154.93 грн
1000+153.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 GInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GInfineon technologies
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]