Продукція > SCT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT203DMC ToolsCable Mounting & Accessories .022 SAFE-T-CABLE TOOL WITH 3" NOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT205DMC ToolsCable Mounting & Accessories .022 SAFE-T-CABLE TOOL WITH 5" NOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT207DMC ToolsCable Mounting & Accessories .022 SAFE-T-CABLE TOOL WITH 7" NOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KECROHM SemiconductorMOSFET N-Ch MOSFET 1200V Silicon Carbide SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KECROHMDescription: ROHM - SCT2080KEC - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 35A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 4V
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 179
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2080KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEGC11Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1749.47 грн
10+1246.53 грн
450+1155.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 80A; 262W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 262W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -6...22V
On-state resistance: 0.117Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3149.76 грн
6+2560.68 грн
10+2392.37 грн
50+1993.93 грн
100+1760.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1896.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11RohmTransistor MOSFET N-CH 1200V 40A 3-Pin TO-247N Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5470.65 грн
5+5303.84 грн
10+4976.16 грн
20+4496.79 грн
50+4224.38 грн
100+4143.46 грн
250+4072.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2080KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 262
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 262
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.64 грн
2+652.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+829.28 грн
30+480.87 грн
120+411.18 грн
510+367.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1023.05 грн
50+981.96 грн
100+907.12 грн
200+833.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 239mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1102.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120HSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1425.66 грн
13+1143.55 грн
25+1064.25 грн
50+1016.06 грн
100+863.85 грн
250+786.86 грн
500+754.78 грн
1000+714.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120HSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1425.66 грн
10+1143.55 грн
25+1064.25 грн
50+1016.06 грн
100+863.85 грн
250+786.86 грн
500+754.78 грн
1000+714.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N120HSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N170STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ TJ = 25 C)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT20N170AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., Tj = 25 C) in an HiP247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2110CSS
Код товару: 163823
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2110CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYCategory: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SSOP16; 5÷160mA; Ch: 8; 4.5÷5.5VDC
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 5...160mA
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 15ns
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP16
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 8
Impulse rise time: 15ns
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.22 грн
10+50.99 грн
105+40.93 грн
500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2120AFCRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2120AFCROHM SemiconductorMOSFET MOSFET650V 29 -220A Silicon Carbide SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KECROHM SemiconductorMOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.75 грн
10+844.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 2nd Gen TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1442.64 грн
12+1184.16 грн
13+1133.68 грн
50+979.57 грн
100+841.54 грн
200+779.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1300.19 грн
25+1240.17 грн
50+1190.26 грн
100+1107.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2160KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1403.12 грн
25+1338.34 грн
50+1284.48 грн
100+1194.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1659.03 грн
11+1298.37 грн
50+1126.80 грн
100+967.13 грн
200+896.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 7A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1062.85 грн
30+933.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEHRC11ROHM SemiconductorMOSFET 1200V, 22A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYCategory: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SSOP16; 5÷45mA; Ch: 8; 3÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SSOP16
Output current: 5...45mA
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 80ns
Pulse fall time: 80ns
Operating voltage: 3...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
10+46.29 грн
100+40.93 грн
500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2167CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5~45mA; 3V~5,5V; 8bit; 25MHz; 1,07W; 180ns; 420kOhm; -40°C~85°C; INFO OD SCT: SCT2167 has same issue with SCT2168. We don't have wafer to make IC; SCT2167CSSG UISCT2167cssg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2168CSOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSOG SCT2168CSOG STARCHIPS UISCT2168csog
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2168CSOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSOG SCT2168CSOG STARCHIPS UISCT2168csog
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2168CSOG(B)STARCHIPS TECHNOLOGYCategory: LED drivers
Description: IC: driver; octal,LED driver; SOP16; 120mA; 1÷17V; Ch: 8; 3÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 8
Case: SOP16
Mounting: SMD
Operating voltage: 3...5.5V DC
Output current: 0.12A
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 1...17V
Kind of integrated circuit: LED driver; octal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2168CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSSG; SCT2110CSSG(B); SCT2110CSSG-B; SCT2168CSSG STARCHIPS UISCT2168cssg
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2168CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Display Driver, 8 Channels, 5-120mA 3?5.5V Replacenent for SCT2110CSSG; SCT2110CSSG(B); SCT2110CSSG-B; SCT2168CSSG STARCHIPS UISCT2168cssg
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2180ASOGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; 8 Channel; 5-100mA; 4,5V~5,5V; 8bit; 8MHz; 80ns; -40°C~85°C; SCT2180ASOG UISCT2180asog
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT21X-010-S0R35A042JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 8.99mH 1A DCR=403.55mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT21X-020-S0R5A033JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 5.54mH 2A DCR=159.13mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT21X-030-S0R6A021JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 2.24mH 3A DCR=72.4mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT21X-040-S0R65A014JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.99mH 4A DCR=41.92mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT21X-050-S0R75A012JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.72mH 5A DCR=27.74mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT21X-070-S0R9A009JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 500V 0.4mH 7A DCR=14.7mOhms Heat Resistant Thru Hole
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2210CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5~90mA; 4.5~5.5V; 25MHz; 16bit; 1,49W; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSSG UISCT2210cssg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2210CSSGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5~90mA; 4.5~5.5V; 25MHz; 16bit; 1,49W; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSSG UISCT2210cssg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2210CSTGSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Drive; 16 Channel; 5-90mA; 4,5V~5,5V; 16bit; 1,49W; 50ns; 650kOhm; -40°C~85°C; SCT2210CSTG UISCT2210cstg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2213102ITACOILDescription: CM Choke 2x1mH 12A High Curr
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+307.32 грн
160+290.66 грн
240+285.56 грн
320+263.37 грн
400+258.90 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2213103ITACOILDescription: CM Choke 2x10mH 3.0A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+256.86 грн
160+242.93 грн
240+238.67 грн
320+220.12 грн
400+216.39 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2213393ITACOILDescription: CM Choke 2x39mH 1.75A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+305.46 грн
160+288.89 грн
240+283.82 грн
320+261.76 грн
400+257.33 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2213472ITACOILDescription: CM Choke 2x4.7mH 4.5A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+307.32 грн
160+290.66 грн
240+285.56 грн
320+263.37 грн
400+258.90 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT224K162D3B31-1FCornell DubilierFILM CAPACITOR
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KECROHM SemiconductorMOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KECRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+752.74 грн
25+717.98 грн
50+689.09 грн
100+641.06 грн
250+575.15 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+979.44 грн
17+879.25 грн
50+821.50 грн
100+701.24 грн
200+606.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2280KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+601.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.17 грн
30+597.59 грн
120+566.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V, 14A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+863.58 грн
25+823.71 грн
50+790.57 грн
100+735.45 грн
250+659.85 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT2280KEHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1147.98 грн
17+849.79 грн
50+794.39 грн
100+678.51 грн
200+586.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2280KEHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+863.58 грн
25+823.71 грн
50+790.57 грн
100+735.45 грн
250+659.85 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2301AT4GSTARCHIPS TECHNOLOGYLED Driver; Single Channel; 80~720mA; 3V~5.5V; 5MHz; 200ns; 2,5W; 500kOhma; -40°C~85°C; SCT2301AT4G UISCT2301at4g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2320KECRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1200V TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT23X-060-1R0A028VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 4.22mH 6A DCR=41.06Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT23X-070-1R1A025VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 3.36mH 7A DCR=28.9Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT23X-090-1R2A021VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 2.37mH 9A DCR=20.4Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT23X-110-1R3A018JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.74mH 11A DCR=15.09Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT23X-110-1R3A018VKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.74mH 11A DCR=15.09Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT23X-130-1R4A015JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1.21mH 13A DCR=11.18Ohms Mn-Zn Ferrite Core 10HT
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.