Продукція > SiS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIS961SIS
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS961A1CASISBGA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS961A2EA-AB-1SISBGA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS961BOIASISBGA
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962SIS03+
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962 A2 IASISBGA
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962A2
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962A2IA(CM02)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962LSISBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS962LRev:A2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiS962LRev:C1
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962LU
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962LUASIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962LUA-C1SIS0348+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962UASIS04+
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962UA B1 OASISBGA
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS962UA B1 PASISBGA
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963SIS2003
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+74.87 грн
100+58.22 грн
500+46.32 грн
1000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.28 грн
10+134.09 грн
25+121.54 грн
50+104.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.30 грн
6000+36.04 грн
9000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
10+81.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963A2IA-AB-1SISBGA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963LUASIS07+
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963LUA-C1SIS2006
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963LUAC1
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963LUAZSIS07+
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963LUAZC1
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963UASIS03+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963UA/B1
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963UAA2IA-AB-1SISBGA
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS963UAB1PA-B-1SIS2003
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964SIS06+
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964 A203+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964A2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964A2GA
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964A2GA-B-1SIS06+PB
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964LSIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964LA2G-A-B-1SISBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964ZSIS0601
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS964ZA2
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS965SISI0548+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS965/B1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS965B1
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS965B1FA-H-1
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS965LSIS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS966SIS06+
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS966L
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS966Z(A1)
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS968N/A
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS968BO
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS968BOAASIS08+
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9806
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.73 грн
500+31.17 грн
1000+23.76 грн
5000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 43220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.19 грн
100+41.32 грн
500+30.36 грн
1000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 27791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.16 грн
15+57.63 грн
100+43.73 грн
500+31.17 грн
1000+23.76 грн
5000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.77 грн
6000+23.93 грн
9000+22.99 грн
15000+20.59 грн
21000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 17271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.92 грн
500+31.10 грн
1500+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+53.21 грн
100+35.15 грн
500+25.72 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 20006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
50+63.56 грн
100+42.92 грн
500+31.10 грн
1500+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.59 грн
6000+20.16 грн
9000+19.35 грн
15000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3
на замовлення 27099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.92 грн
10+87.12 грн
25+86.22 грн
100+68.31 грн
250+62.05 грн
500+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.97 грн
100+52.38 грн
500+38.85 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.75 грн
10+86.97 грн
100+58.28 грн
500+42.80 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.96 грн
500+32.15 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.80 грн
12+72.02 грн
100+47.96 грн
500+32.15 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 26A
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+60.16 грн
100+46.88 грн
500+36.35 грн
1000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DNVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+70.12 грн
100+54.68 грн
500+42.39 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.57 грн
100+44.34 грн
500+32.64 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
на замовлення 17968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
12+72.02 грн
100+47.71 грн
500+34.80 грн
1000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A
на замовлення 11411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.73 грн
12+69.17 грн
100+45.93 грн
500+30.80 грн
1000+25.85 грн
5000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+58.12 грн
100+40.26 грн
500+31.57 грн
1000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.48 грн
6000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.85 грн
500+26.57 грн
1000+22.50 грн
5000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.65 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.48 грн
100+28.46 грн
500+20.65 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]