Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K15FV(TPL3.Z)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TETOSHIBASOT-423 0612+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE TE85L.F SOT416-DP PB-FREETOSHIBA
на замовлення 10174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DP
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L) SOT416-DPTOSHIBA
на замовлення 74200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TE(TE85L)SOT416-DPTOSHIBA
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15TETE85L.FSOT416-DPPB-FREETOSHIBA
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.08 грн
68+11.16 грн
69+11.06 грн
100+7.43 грн
250+6.87 грн
500+5.18 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 68830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
27+11.14 грн
50+7.96 грн
100+6.50 грн
500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.24 грн
30000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V SOT-883-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 143008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(BToshibaSSM3K16CT,L3F(B
на замовлення 9210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+15.85 грн
928+15.28 грн
1000+14.78 грн
2500+13.83 грн
5000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 13990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13990+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 13990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.2A VDSS=20V
на замовлення 7880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.94 грн
47+16.22 грн
100+7.55 грн
250+6.93 грн
500+6.59 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FSTOSHIBA
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS/DS
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 53176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.44 грн
50+8.20 грн
100+6.69 грн
500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.81 грн
60+12.78 грн
61+12.55 грн
151+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 29305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
9000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1208+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 1208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 15677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
621+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 621 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 15677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1636+8.67 грн
1977+7.17 грн
2484+5.71 грн
3125+4.37 грн
3417+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 1636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 15677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FULF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FVTOSHIBA09+
на замовлення 69018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TL3SONYZ)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3,Z)ToshibaMOSFETs Pb-F VESM S-MOS(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3Z)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 12535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.45 грн
50+6.03 грн
100+4.91 грн
500+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8249 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
926+3.68 грн
1000+2.88 грн
4000+2.48 грн
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.63 грн
2500+6.44 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16TETOSHIBA
на замовлення 12440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FUTOSHIBASOT323
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L)TOSHIBASOT323-DM
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-TOSHIBA
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 189200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L)SOT323-DM
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L,F)TOSHIBASOT323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.23 грн
9000+3.04 грн
15000+2.65 грн
21000+2.53 грн
30000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
на замовлення 18473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.77 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(BTOSHIBACategory: Transistors - Unclassified
Description: Transistor: N-MOSFET; 100mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
762+6.80 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 22840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 22840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FUSOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshibaMOSFET 50V VDS 7V VGSS 100mA ID 150mW
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615RToshibaMOSFET Pb-F SOT-23F MOSFET (LF) TRANSISTOR Pd=1W F=1MHz V 20 V I 6A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.77 грн
19+41.65 грн
25+41.24 грн
100+27.73 грн
250+25.41 грн
500+21.42 грн
1000+15.93 грн
3000+14.01 грн
6000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 42552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 139800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.40 грн
50+25.16 грн
100+20.80 грн
500+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 150 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 300 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.