Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V SOT-883-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.04 грн
68+11.14 грн
69+11.03 грн
100+7.41 грн
250+6.85 грн
500+5.17 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
2000+3.52 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(BToshibaSSM3K16CT,L3F(B
на замовлення 9210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+15.81 грн
928+15.25 грн
1000+14.75 грн
2500+13.80 грн
5000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 31384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 13990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13990+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.2A VDSS=20V
на замовлення 7880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.90 грн
47+16.18 грн
100+7.53 грн
250+6.91 грн
500+6.58 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FSTOSHIBA
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FS/DS
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 14430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 14430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 34475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.48 грн
6000+3.11 грн
9000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.76 грн
60+12.75 грн
61+12.52 грн
151+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 29064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
23+13.66 грн
100+6.68 грн
500+5.23 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 15677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1636+8.65 грн
1977+7.16 грн
2484+5.70 грн
3125+4.36 грн
3417+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 1636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FULF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FVTOSHIBA09+
на замовлення 69018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TL3SONYZ)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3,Z)ToshibaMOSFETs Pb-F VESM S-MOS(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV(TPL3Z)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.68 грн
50+6.22 грн
100+5.06 грн
500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 22803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.62 грн
2500+6.42 грн
5000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16TETOSHIBA
на замовлення 12440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FUTOSHIBASOT323
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L)TOSHIBASOT323-DM
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-TOSHIBA
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 189200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L) SOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L)SOT323-DM
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU(TE85L,F)TOSHIBASOT323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.87 грн
100+6.73 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
на замовлення 31774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+3.26 грн
9000+3.07 грн
15000+2.68 грн
21000+2.56 грн
30000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 29940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K17FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 20 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 29940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FUSOT323-DMTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshibaMOSFET 50V VDS 7V VGSS 100mA ID 150mW
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17SU,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615RToshibaMOSFET Pb-F SOT-23F MOSFET (LF) TRANSISTOR Pd=1W F=1MHz V 20 V I 6A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.44 грн
50+24.46 грн
100+20.23 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 150 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 300 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.66 грн
19+41.55 грн
25+41.15 грн
100+27.67 грн
250+25.36 грн
500+21.37 грн
1000+15.90 грн
3000+13.98 грн
6000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 42552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.51 грн
25+30.34 грн
26+29.52 грн
100+23.09 грн
250+19.95 грн
500+17.59 грн
1000+15.21 грн
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 7415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.59 грн
100+16.37 грн
500+11.63 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
6000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 3.5A 20V 12VGSS
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302TT5LSONYF
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]