Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K2615R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 150 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 1 А, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 300 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 42552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.49 грн
100+19.65 грн
500+14.02 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.66 грн
19+41.55 грн
25+41.15 грн
100+27.67 грн
250+25.36 грн
500+21.37 грн
1000+15.90 грн
3000+13.98 грн
6000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.38 грн
25+33.81 грн
100+21.95 грн
500+15.55 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 7415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.59 грн
100+16.37 грн
500+11.63 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
6000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.51 грн
25+30.34 грн
26+29.52 грн
100+23.09 грн
250+19.95 грн
500+17.59 грн
1000+15.21 грн
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 3.5A 20V 12VGSS
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302TT5LSONYF
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 5.0A 20V 8VGSS
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.57 грн
100+14.36 грн
500+10.16 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+28.50 грн
866+16.35 грн
899+15.75 грн
906+15.06 грн
1671+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.04 грн
27+28.50 грн
100+15.77 грн
250+14.06 грн
500+13.38 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.25 грн
1194+11.85 грн
2500+11.50 грн
5000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.40 грн
21+39.75 грн
100+22.76 грн
500+14.27 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.40 грн
21+39.75 грн
100+22.76 грн
500+14.27 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+18.99 грн
750+18.88 грн
920+15.39 грн
1000+13.91 грн
2000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
6000+4.51 грн
9000+4.26 грн
15000+3.74 грн
21000+3.58 грн
30000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1949+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 1949 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaMOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 61781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.29 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1299+7.26 грн
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 1299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+11.11 грн
1316+10.75 грн
2500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.62 грн
500+28.53 грн
1500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1328+10.65 грн
1542+9.17 грн
1627+8.69 грн
2000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 1328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.41 грн
58+14.22 грн
100+11.95 грн
500+8.91 грн
1500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324RLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshibaMOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS
на замовлення 92811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
619+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.126 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.126ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.59 грн
500+7.62 грн
1000+5.85 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329RLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.51 грн
6000+5.69 грн
9000+5.39 грн
15000+4.74 грн
21000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
на замовлення 79772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.12 грн
1566+9.03 грн
1578+8.97 грн
2095+6.51 грн
2122+5.95 грн
3000+5.64 грн
6000+5.57 грн
15000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.19 грн
100+11.49 грн
500+8.06 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.23 грн
53+14.26 грн
54+14.12 грн
100+8.71 грн
250+8.01 грн
500+5.79 грн
1000+5.71 грн
3000+5.64 грн
6000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+19.66 грн
747+18.94 грн
1000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1101+12.85 грн
1340+10.56 грн
1486+9.52 грн
2000+8.76 грн
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 1101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
на замовлення 15157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.28 грн
31+26.34 грн
100+15.04 грн
500+9.43 грн
1000+7.39 грн
5000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
на замовлення 15157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.04 грн
500+9.43 грн
1000+7.39 грн
5000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+16.31 грн
1024+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333RLXGF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 4 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Очікується: 287 Од. вим:
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+24.30 грн
911+15.54 грн
920+15.39 грн
1223+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.43 грн
31+24.53 грн
32+24.30 грн
100+14.98 грн
250+13.74 грн
500+9.92 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.06 грн
100+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+19.36 грн
758+18.66 грн
1000+18.06 грн
2500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.68 грн
39+21.13 грн
100+15.12 грн
500+10.34 грн
1000+8.43 грн
5000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1197+11.82 грн
1237+11.44 грн
2500+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 1197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]