Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF840LCLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBFVISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.82 грн
10+180.18 грн
50+139.56 грн
100+118.69 грн
500+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBFTO262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+188.10 грн
50+145.97 грн
100+124.26 грн
500+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.99 грн
96+147.21 грн
113+125.07 грн
250+101.39 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.97 грн
10+111.74 грн
25+97.35 грн
50+88.04 грн
100+80.42 грн
250+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+188.10 грн
50+145.97 грн
100+124.26 грн
500+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBFVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSTRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSTRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSTRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSTRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LPBFIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 31523
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+38.00 грн
10+34.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.78 грн
2000+76.30 грн
5000+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 7149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 139 шт
  • 117 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.12 грн
5+125.28 грн
10+100.73 грн
50+57.56 грн
100+51.64 грн
150+50.79 грн
200+49.10 грн
500+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+84.52 грн
100+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 7624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.34 грн
10+196.41 грн
50+152.68 грн
100+130.06 грн
500+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishay SiliconixN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 156105
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 486000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.78 грн
2000+76.30 грн
5000+75.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFIRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 221455
Додати до обраних Обраний товар
vishayТранзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, В: 500 В
Напруга насичення Vce, В: 8 А
Струм колектора Ic при 25°С, А: 0,85 Ом
Струм колектора Ic при 100°С, А: 1300/63 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: THT
у наявності: 186 шт
  • 186 шт - склад
1+33.00 грн
10+29.50 грн
100+26.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.07 грн
10+148.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+178.64 грн
99+142.77 грн
129+109.72 грн
250+103.08 грн
500+80.02 грн
1000+75.95 грн
2000+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBFN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
10+115.50 грн
50+87.98 грн
100+74.23 грн
500+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.36 грн
94+150.92 грн
114+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.36 грн
10+150.92 грн
50+124.35 грн
100+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840RUHarris CorporationDescription: 7A, 450V, 0.85OHM, N-CHANNEL, PO
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SVishayN-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.52 грн
10+126.05 грн
50+125.84 грн
100+102.94 грн
500+75.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF
Код товару: 188626
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.26 грн
132+107.10 грн
500+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.08 грн
120+118.28 грн
131+107.87 грн
250+96.90 грн
500+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,84 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 153 шт
  • 115 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFTO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.46 грн
10+118.93 грн
50+90.66 грн
100+76.54 грн
500+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.03 грн
10+80.42 грн
50+66.87 грн
100+62.64 грн
200+59.26 грн
500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 125,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+55.65 грн
100+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.34 грн
10+161.59 грн
50+124.69 грн
100+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRPBFIR
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.34 грн
10+161.59 грн
50+124.69 грн
100+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF841HARRISIRF841
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]