Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K335R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.68 грн
39+21.13 грн
100+15.12 грн
500+10.34 грн
1000+8.43 грн
5000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1197+11.82 грн
1237+11.44 грн
2500+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 1197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.12 грн
500+10.34 грн
1000+8.43 грн
5000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.49 грн
100+11.68 грн
500+8.18 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+12.76 грн
1239+11.42 грн
1404+10.08 грн
1620+8.42 грн
1914+6.60 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 1109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 7692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
6000+5.93 грн
9000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.71 грн
59+12.89 грн
60+12.76 грн
100+11.01 грн
250+9.00 грн
500+7.48 грн
1000+6.34 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+13.53 грн
1080+13.10 грн
2500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.09 грн
500+9.06 грн
1500+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LFToshibaMOSFETs N-Channel Mosfet
на замовлення 11693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+25.81 грн
100+17.93 грн
500+13.14 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
6000+9.66 грн
9000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+11.20 грн
65+6.54 грн
100+5.87 грн
500+5.20 грн
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshibaMOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF
Код товару: 177600
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.91 грн
100+10.62 грн
500+7.42 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1627+8.69 грн
1682+8.41 грн
2500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
500+9.51 грн
1500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+11.13 грн
1684+8.40 грн
2000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 1272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.77 грн
50+19.91 грн
100+12.36 грн
500+9.51 грн
1500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 620, Id = 6, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
6000+10.30 грн
9000+9.81 грн
15000+8.69 грн
21000+8.38 грн
30000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
на замовлення 124932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
11+30.04 грн
100+19.28 грн
500+13.75 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A SOT-23F
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
500+69.21 грн
1500+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+63.36 грн
500+38.56 грн
1000+24.89 грн
3000+23.82 грн
6000+17.01 грн
12000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.01 грн
50+33.81 грн
100+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LVARF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+26.12 грн
811+17.44 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.89 грн
100+27.29 грн
500+19.71 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.03 грн
6000+15.10 грн
9000+14.44 грн
15000+12.86 грн
21000+12.45 грн
30000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
на замовлення 7443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshibaSSM3K341R,LXHF(B
на замовлення 12096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.71 грн
571+24.79 грн
1000+23.98 грн
2500+22.44 грн
5000+20.22 грн
10000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshibaSSM3K341R,LXHF(B
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.96 грн
18+45.44 грн
100+30.08 грн
500+21.89 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TToshibaSSM3K341R,LXHF(T
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+56.10 грн
518+27.34 грн
567+24.99 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.08 грн
500+21.89 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLVARF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+18.57 грн
886+15.97 грн
891+15.89 грн
1017+13.42 грн
1231+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 17164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.70 грн
100+17.81 грн
500+12.69 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
6000+9.21 грн
9000+8.77 грн
15000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.10 грн
41+18.57 грн
100+15.40 грн
250+14.19 грн
500+11.93 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaMOSFET N-CH 60V 6A UFM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A UFM
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.21 грн
28+29.34 грн
100+21.13 грн
500+15.02 грн
1000+11.57 грн
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive UFM
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.87 грн
21+37.39 грн
25+37.13 грн
50+35.59 грн
100+24.16 грн
250+23.02 грн
500+22.84 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+37.97 грн
100+25.35 грн
500+18.85 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
на замовлення 12286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.28 грн
6000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(BToshibaSSM3K341TU,LXHF(B
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.41 грн
500+28.35 грн
1000+27.43 грн
2500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.20 грн
500+17.74 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.94 грн
23+36.82 грн
100+25.20 грн
500+17.74 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+6.20 грн
9000+5.88 грн
15000+5.17 грн
21000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V
на замовлення 24001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.32 грн
100+12.17 грн
500+8.54 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K344R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.17 грн
82+10.00 грн
117+6.99 грн
500+5.28 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.34 грн
6000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.61 грн
38+20.04 грн
100+10.87 грн
250+9.33 грн
500+8.87 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+20.04 грн
1255+11.28 грн
1354+10.45 грн
1368+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
на замовлення 52090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.78 грн
100+12.54 грн
500+8.80 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(BToshibaSSM3K345R,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.51 грн
753+18.80 грн
1000+18.19 грн
2500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(BToshibaSSM3K345R,LF(B
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.73 грн
44+18.70 грн
100+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345RLF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+21.59 грн
100+10.89 грн
500+9.06 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
6000+6.57 грн
9000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]