Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K2615R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2A; SOT23F; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Case: SOT23F
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
421+12.17 грн
500+10.55 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 6524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K2615R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 2A; SOT23F; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.13 грн
9000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 20387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.72 грн
50+20.94 грн
100+17.28 грн
500+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.59 грн
25+30.41 грн
26+29.59 грн
100+23.14 грн
250+20.00 грн
500+17.63 грн
1000+15.24 грн
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2A
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
389+13.24 грн
500+11.55 грн
1000+11.05 грн
4000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 3.5A 20V 12VGSS
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302TT5LSONYF
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K303T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 5.0A 20V 8VGSS
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K315T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K316T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+28.57 грн
866+16.39 грн
899+15.78 грн
906+15.09 грн
1671+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.36 грн
100+14.23 грн
500+10.06 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.12 грн
27+28.57 грн
100+15.80 грн
250+14.09 грн
500+13.41 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 2.5A; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.5A
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
604+8.59 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.28 грн
1194+11.88 грн
2500+11.53 грн
5000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+19.03 грн
750+18.92 грн
920+15.42 грн
1000+13.94 грн
2000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1949+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 1949 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1299+7.28 грн
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 1299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LFToshibaMOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1328+10.68 грн
1542+9.19 грн
1627+8.71 грн
2000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 1328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324RLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshibaMOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS
на замовлення 92811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 289mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.126 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.126ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
619+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329RLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
на замовлення 56649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.15 грн
1566+9.05 грн
1578+8.99 грн
2095+6.52 грн
2122+5.97 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
15000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 32338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.34 грн
50+14.75 грн
100+12.12 грн
500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.28 грн
53+14.29 грн
54+14.15 грн
100+8.73 грн
250+8.02 грн
500+5.80 грн
1000+5.73 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.58 грн
9000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+19.70 грн
747+18.99 грн
1000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+11.10 грн
50+8.56 грн
100+7.64 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
на замовлення 13632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1101+12.88 грн
1340+10.58 грн
1486+9.54 грн
2000+8.78 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 1101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
на замовлення 13632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+16.35 грн
1024+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.