Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF840SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.19 грн
131+107.87 грн
250+96.73 грн
500+88.11 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.65 грн
10+163.57 грн
100+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRPBFIR
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.65 грн
10+163.57 грн
100+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF841HARRISIRF841
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF841Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF841 TO-220AB
Код товару: 46011
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF842Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF843HARRISIRF843
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF843HARRISIRF843
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF843Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513PBF
Код товару: 26536
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 8-11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0155 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 766/5,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8513TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W, 2.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8520IRMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707IR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707GPBFInfineon / IRMOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707PBF
Код товару: 39735
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 760/6,2
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+6.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFIRF8707TRPBF 30 В 11 А (SO-8) SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+75.08 грн
500+46.76 грн
1000+30.20 грн
4000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1736+20.33 грн
10000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 1736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+75.08 грн
500+46.76 грн
1000+30.20 грн
4000+28.94 грн
8000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714GPBF
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714PBFPower MOSFET, N-Channel, 14A, 30V SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.38 грн
14+56.01 грн
25+47.61 грн
100+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg
на замовлення 50495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.96 грн
16+49.92 грн
25+49.43 грн
100+32.53 грн
250+29.82 грн
500+21.71 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 71703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.10 грн
10+60.78 грн
100+40.27 грн
500+29.51 грн
1000+26.85 грн
2000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.79 грн
287+49.30 грн
500+33.59 грн
1000+32.21 грн
4000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBF
Код товару: 197544
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.43 грн
419+33.74 грн
423+33.40 грн
558+24.42 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 67780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.14 грн
8000+22.52 грн
12000+21.66 грн
20000+19.42 грн
28000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFPower MOSFET, N-Channel, 14A, 30V SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.93 грн
8000+17.55 грн
12000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.48 грн
10+39.61 грн
100+25.70 грн
500+18.50 грн
1000+16.69 грн
2000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.34 грн
500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.18 грн
12+36.82 грн
100+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8716
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.60 грн
15+53.46 грн
25+47.76 грн
100+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8721PBF - IRF8721 - 20V-100V N-CHANNEL SMALL POWER
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.77 грн
10+48.27 грн
100+31.72 грн
500+23.07 грн
1000+20.91 грн
2000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF
Код товару: 59622
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]