Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 222841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
50+6.46 грн
100+5.27 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 61274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.44 грн
66+11.50 грн
67+11.39 грн
104+7.00 грн
250+6.36 грн
500+4.45 грн
1000+3.31 грн
3000+2.75 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1985+7.13 грн
2723+5.20 грн
3668+3.86 грн
4412+3.09 грн
6025+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.65 грн
24000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+9.68 грн
1510+9.37 грн
2500+9.10 грн
5000+8.54 грн
10000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 1461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 250mA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.99 грн
48000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40000+7.61 грн
48000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2050+6.90 грн
2203+6.42 грн
2505+5.65 грн
2614+5.22 грн
8000+4.56 грн
16000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 7682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
2000+3.52 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshibaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .18A
на замовлення 19505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+8.01 грн
1771+7.99 грн
1897+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 48775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.47 грн
50+8.21 грн
100+6.70 грн
500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.53 грн
43+17.72 грн
44+17.54 грн
100+7.73 грн
250+7.13 грн
500+6.39 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.34 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.83 грн
1656+8.54 грн
2500+8.29 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTTPL3
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaMOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal FET 0.18A 20V 20Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVL3XGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
на замовлення 96231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.28 грн
100+21.75 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(BToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.08 грн
617+22.96 грн
755+18.75 грн
1000+16.93 грн
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.23 грн
50+32.62 грн
100+27.09 грн
500+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT23 100V 3.5A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RLXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.30 грн
6000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
726+19.49 грн
847+16.70 грн
852+16.61 грн
970+14.07 грн
1159+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.74 грн
100+21.75 грн
500+15.57 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.07 грн
39+19.49 грн
100+16.10 грн
250+14.83 грн
500+12.50 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+25.27 грн
581+24.36 грн
1000+23.56 грн
2500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.81 грн
573+24.72 грн
647+21.87 грн
654+20.87 грн
692+18.26 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.96 грн
31+24.81 грн
50+23.84 грн
100+19.52 грн
250+18.55 грн
500+17.53 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.38 грн
500+19.80 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 100V 3.5A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+31.26 грн
472+30.00 грн
500+28.92 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSTOS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.83 грн
2953+4.79 грн
3025+4.68 грн
3055+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.30 грн
65+11.65 грн
157+4.66 грн
250+4.28 грн
500+4.01 грн
1000+3.97 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
на замовлення 21883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]