Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K341TU,LXHF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+27.40 грн
537+26.41 грн
1000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
6000+6.15 грн
9000+5.83 грн
15000+5.13 грн
21000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V
на замовлення 24001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+19.15 грн
100+12.06 грн
500+8.46 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
707+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 707 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K344R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.67 грн
38+20.08 грн
100+10.90 грн
250+9.35 грн
500+8.89 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+20.08 грн
1255+11.30 грн
1354+10.47 грн
1368+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
9000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.59 грн
50+14.18 грн
100+11.65 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(BToshibaSSM3K345R,LF(B
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345RLF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
14+21.39 грн
100+10.79 грн
500+8.98 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.51 грн
9000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.00 грн
29+26.46 грн
100+16.82 грн
250+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
на замовлення 57619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.56 грн
50+17.13 грн
100+14.10 грн
500+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF
Код товару: 197600
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
9000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
на замовлення 29787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(BToshibaSSM3K357R,LF(B
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.62 грн
835+16.99 грн
1000+16.43 грн
2500+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+11.48 грн
1444+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+11.94 грн
1386+10.23 грн
1462+9.70 грн
2000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+17.27 грн
987+14.36 грн
1136+12.48 грн
1267+10.79 грн
1397+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RLXGFToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 58401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.70 грн
57+13.27 грн
128+5.71 грн
250+5.24 грн
500+4.99 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 143925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 143925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFVToshibaMOSFET N-CH 20V 250MA VESM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.48 грн
66+11.53 грн
67+11.42 грн
104+7.02 грн
250+6.38 грн
500+4.46 грн
1000+3.31 грн
3000+2.75 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 36421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1985+7.14 грн
2723+5.21 грн
3668+3.87 грн
4412+3.10 грн
6025+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
35+8.75 грн
50+6.27 грн
100+5.12 грн
500+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+9.71 грн
1510+9.39 грн
2500+9.12 грн
5000+8.56 грн
10000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 1461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.00 грн
48000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40000+7.63 грн
48000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 19006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2050+6.92 грн
2203+6.44 грн
2505+5.66 грн
2614+5.23 грн
8000+4.57 грн
16000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 250mA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 19006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 7682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.40 грн
100+6.47 грн
500+4.46 грн
1000+3.93 грн
2000+3.49 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshibaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .18A
на замовлення 18329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin CST T/R
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin CST T/R
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.43 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+8.03 грн
1771+8.00 грн
1897+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 159612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.82 грн
50+8.44 грн
100+6.89 грн
500+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.59 грн
43+17.76 грн
44+17.58 грн
100+7.75 грн
250+7.15 грн
500+6.41 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.85 грн
1656+8.56 грн
2500+8.31 грн
5000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
817+6.35 грн
1000+5.32 грн
4000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 16161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 16161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTTPL3
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaMOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.