Продукція > FCP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCP2416H154J-D1Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.15UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H154J-D3Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.15UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.18UF 2% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184G-D3Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.18uF 50Volts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184G-D3Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.18UF 2% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184G-D4Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.18UF 2% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.18UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184J-D3Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.18UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184J-D3Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.18uF 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H184J-D4Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.18UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224GCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 2% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224G-D4Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 2% 50VDC 2416
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2416 (6041 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.110" (2.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224G-D4Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 50V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224G-D4Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 2% 50VDC 2416
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2416 (6041 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.110" (2.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm)
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+173.98 грн
50+151.86 грн
100+124.70 грн
500+95.01 грн
1000+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224G-D5Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 2% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224JCornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224J-D4Cornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 5% 50VDC 2416
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2416 (6041 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+159.11 грн
50+131.02 грн
100+114.06 грн
500+97.65 грн
1000+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224J-D4Knowles / Illinois CapacitorFilm Capacitors 0.22uF 50V 5%
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224J-D4Cornell Dubilier KnowlesDescription: CAP FILM 0.22UF 5% 50VDC 2416
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2416 (6041 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: High Frequency, Switching
Termination: Solder Pads
Dielectric Material: Polyphenylene Sulfide (PPS)
Voltage Rating - DC: 50V
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224J-D4Cornell Dubilier - CDEFilm Capacitors 0.22uF 50V 5%
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP2416H224J-D5Cornell Dubilier Electronics (CDE)Description: CAP FILM 0.22UF 5% 50VDC 2416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60Nonsemionsemi SM 600V 125MOHM F TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+312.53 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60NONSEMIDescription: ONSEMI - FCP25N60N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60N-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60N-F102Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+211.09 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60N-F102onsemiMOSFETs 600V N-CHAN SupreMOS
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60N-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
50+133.97 грн
100+121.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60EonsemiMOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60EONS/FAITrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 156W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60EFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+139.33 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60Eonsemi / FairchildMOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3ONS/FAIMOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.40 грн
10+138.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
10+172.17 грн
50+133.67 грн
100+113.84 грн
500+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N65S3-VBVBSEMIMOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.09 грн
10+258.64 грн
100+199.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP290N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V SuperFET2 N-Chnl Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP300TIMCODescription: TIMCO - FCP300 - FLAT CONNECTOR PLATE GALV 62X300MM (5PK)
tariffCode: 83024200
Gewindemaß - Imperial: -
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Größe (mm): 300mm
Drahtdurchmesser: -
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
Gehäuselänge: 62mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Befestigungsmaterial: Kohlenstoffstahl
usEccn: EAR99
Außendurchmesser: -
Produktpalette: Timco - Flat Connector Plates
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ONS/FAIMOSFET N-CH 650V 10A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.97 грн
500+160.29 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP360N65S3R0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.28 грн
10+149.98 грн
50+115.83 грн
100+98.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP360N65S3R0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.97 грн
500+160.29 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP36N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.85 грн
10+494.83 грн
100+407.99 грн
250+378.06 грн
500+315.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP36N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP36N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP36N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+174.81 грн
50+135.30 грн
100+115.03 грн
500+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30.6A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60onsemiMOSFETs SuperFET2, 380mohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30.6A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EonsemiMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 19566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60EFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+118.72 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400-12GBel Power SolutionsRack Mount Power Supplies POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400-12GBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 12V 400W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80ZonsemiMOSFETs SuperFET2 800V 400mohm
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; Idm: 33A; 195W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
50+150.32 грн
100+136.65 грн
500+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chl MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP4N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+106.10 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP4N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600-48GBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 48V 3.35V 600W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
50+134.43 грн
100+110.61 грн
500+87.83 грн
1000+74.53 грн
2000+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60Zonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCP600N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N65S3R0onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP600N65S3R0ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.