Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 Код товару: 180225
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon | MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 83.2A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R040CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW65R040CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R040CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 329W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFD7 | Infineon Technologies | IPW65R041CFD7 | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 84720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 68.5A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon | N-Channel MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon | N-Channel MOSFET 650V 68.5A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7 | Infineon Technologies | Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon | MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R048CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3 | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3 | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|