Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.78 грн
30+200.78 грн
120+165.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.47 грн
37+389.96 грн
50+375.10 грн
100+349.44 грн
250+313.73 грн
500+292.99 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.96 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+238.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.98 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+204.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+532.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.74 грн
10+411.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+520.70 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+780.70 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 76
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.30 грн
500+142.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.56 грн
10+165.11 грн
100+159.47 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.67 грн
2000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.18 грн
78+182.38 грн
100+155.92 грн
200+143.07 грн
500+130.78 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.68 грн
10+221.50 грн
100+136.69 грн
500+112.53 грн
1000+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+210.53 грн
100+149.00 грн
500+115.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.21 грн
10+160.72 грн
100+117.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNX
Код товару: 181658
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.78 грн
10+183.39 грн
100+115.29 грн
250+114.60 грн
500+93.89 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.15 грн
10+195.30 грн
100+154.64 грн
500+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.18 грн
53+269.50 грн
100+237.08 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.57 грн
50+185.05 грн
100+168.79 грн
500+131.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+393.12 грн
59+241.92 грн
100+212.62 грн
500+178.60 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.16 грн
25+299.30 грн
600+259.57 грн
1200+258.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.26 грн
74+191.84 грн
200+180.50 грн
500+173.14 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.25 грн
30+374.36 грн
120+316.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.00 грн
25+217.53 грн
100+178.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.51 грн
58+245.78 грн
100+237.44 грн
250+222.01 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.29 грн
10+361.22 грн
25+294.09 грн
100+243.69 грн
250+243.00 грн
500+220.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.74 грн
10+372.09 грн
100+281.08 грн
500+220.62 грн
1000+195.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+369.50 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+372.09 грн
100+281.08 грн
500+220.62 грн
1000+195.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+260.82 грн
63+225.86 грн
100+206.96 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.50 грн
69+206.32 грн
100+199.32 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.32 грн
25+188.15 грн
100+150.49 грн
500+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.32 грн
10+223.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.65 грн
50+196.23 грн
100+178.84 грн
500+139.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+105.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.51 грн
10+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.30 грн
50+83.46 грн
100+75.06 грн
500+56.64 грн
1000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.81 грн
94+151.80 грн
100+146.65 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.54 грн
30+167.35 грн
120+137.40 грн
510+108.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.72 грн
54+263.94 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.37 грн
25+229.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.17 грн
10+250.48 грн
100+205.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+252.32 грн
74+191.84 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.20 грн
88+161.79 грн
100+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.50 грн
10+197.68 грн
25+169.82 грн
100+123.57 грн
500+101.48 грн
1000+100.10 грн
2000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
10+193.70 грн
100+136.42 грн
500+105.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.26 грн
10+174.77 грн
100+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.90 грн
48+298.86 грн
50+289.41 грн
100+208.45 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.14 грн
10+202.44 грн
100+157.40 грн
500+136.69 грн
1000+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
50+113.89 грн
100+102.82 грн
500+78.29 грн
1000+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 65W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.00 грн
10+188.46 грн
100+150.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.50 грн
50+314.68 грн
100+189.94 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.45 грн
73+194.48 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+590.85 грн
50+502.87 грн
100+466.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.33 грн
25+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.64 грн
30+169.17 грн
120+139.10 грн
510+109.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.165 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 205W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.55 грн
10+277.86 грн
100+212.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+498.49 грн
34+421.71 грн
52+275.23 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+257.46 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.53 грн
10+188.95 грн
100+124.95 грн
1000+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
10+202.22 грн
100+148.36 грн
500+121.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.88 грн
10+289.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.58 грн
65+221.13 грн
100+169.16 грн
500+134.86 грн
1000+122.34 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
10+201.33 грн
100+142.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.84 грн
10+227.05 грн
25+195.37 грн
100+160.16 грн
250+158.09 грн
500+140.14 грн
1000+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]