Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.69 грн
100+73.76 грн
500+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 435V 25A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
10+222.29 грн
100+140.14 грн
500+116.67 грн
1000+72.49 грн
2000+67.65 грн
5000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.06 грн
10+221.48 грн
25+210.21 грн
100+169.02 грн
500+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.02 грн
500+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.39 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 393µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.80 грн
10+195.71 грн
100+147.39 грн
500+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.40 грн
100+234.20 грн
250+192.61 грн
500+180.87 грн
1000+127.71 грн
2000+124.26 грн
5000+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 393µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/320ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.41 грн
10+158.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/320ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 167W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.82 грн
500+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.93 грн
10+128.86 грн
100+91.82 грн
500+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+129.40 грн
100+78.70 грн
500+63.51 грн
1000+57.85 грн
2000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65FBSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
940+170.83 грн
Мінімальне замовлення: 940 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
10+135.29 грн
100+93.90 грн
500+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.68 грн
10+141.31 грн
100+86.98 грн
500+73.87 грн
1000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A 185W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 185 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 96 nC
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30NC60WT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
10+148.98 грн
100+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+160.37 грн
100+97.34 грн
500+78.70 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 258W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.61 грн
10+185.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
2+206.99 грн
10+184.18 грн
25+151.18 грн
100+128.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB35N35LZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 345V 40A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/26.5µs
Test Condition: 300V, 15A, 5V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 176 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB35N35LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB35N35LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 345V 40A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/26.5µs
Test Condition: 300V, 15A, 5V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 176 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB35N35LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3HF60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 7.5A D2PAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NB60FDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 68W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns
Switching Energy: 125µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 16 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NB60HDST
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A 50W D2PAK
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 30µJ (on), 58µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/33ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NB60SDT4STTO-263
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NB60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 6A 70W D2PAK
Power - Max: 70 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 18 nC
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 125ns/3.4µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 14A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 14A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.68 грн
10+123.23 грн
100+84.57 грн
500+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 1200V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMIGBT 1200V 14A 75W D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsIGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.47 грн
10+183.63 грн
50+166.72 грн
200+138.36 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
10+162.21 грн
100+113.40 грн
500+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.89 грн
10+163.54 грн
100+99.41 грн
500+86.98 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.72 грн
200+138.36 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FBSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+351.21 грн
43+336.13 грн
50+323.31 грн
100+301.20 грн
250+270.42 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.62 грн
10+173.60 грн
25+171.90 грн
100+136.60 грн
250+125.21 грн
500+110.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.61 грн
500+117.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.95 грн
2000+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.95 грн
2000+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.62 грн
82+173.60 грн
83+171.90 грн
101+136.60 грн
250+125.21 грн
500+110.73 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.97 грн
10+192.49 грн
100+150.61 грн
500+117.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+175.45 грн
100+104.24 грн
500+86.98 грн
1000+78.70 грн
2000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.30 грн
10+143.69 грн
100+111.84 грн
500+104.24 грн
1000+55.02 грн
5000+51.71 грн
10000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
10+162.69 грн
100+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]