Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.00 грн
100+85.39 грн
500+64.64 грн
1000+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A05N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN/A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.29 грн
10+67.64 грн
100+48.05 грн
500+33.14 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+76.43 грн
100+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TAZetexDual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A13FTA
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FPBF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 19671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.06 грн
10+48.51 грн
100+32.38 грн
500+25.54 грн
1000+20.43 грн
3000+19.40 грн
9000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+49.06 грн
100+37.63 грн
500+27.92 грн
1000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.21 грн
17+45.77 грн
25+44.12 грн
100+35.13 грн
250+30.71 грн
500+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedMOSFETs N Channel
на замовлення 33947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+51.13 грн
100+29.20 грн
500+22.64 грн
1000+20.50 грн
3000+17.74 грн
6000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 485495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
14+21.69 грн
100+18.11 грн
500+16.38 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.32 грн
21+38.58 грн
100+25.61 грн
500+20.34 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTAZETEXSOT23 08+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.77 грн
6000+14.15 грн
9000+14.01 грн
15000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.61 грн
500+20.34 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+44.12 грн
390+36.43 грн
413+34.40 грн
500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TAZETEX2004
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN
Power - Max: 1.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3AMCTADiodes IncorporatedMOSFET 30V DUAL N-CH ENH 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
на замовлення 538991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.93 грн
100+22.21 грн
500+16.28 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
10+35.25 грн
100+21.33 грн
500+16.15 грн
1000+13.46 грн
3000+11.05 грн
6000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.09 грн
6000+11.96 грн
9000+11.11 грн
30000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+65.21 грн
100+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+70.97 грн
100+43.97 грн
500+33.00 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+44.66 грн
1000+35.04 грн
2500+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TAPBF
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.38 грн
500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 137439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+35.22 грн
100+24.19 грн
500+17.98 грн
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.41 грн
50+49.61 грн
100+32.38 грн
500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.96 грн
6000+14.28 грн
9000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 62942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+54.94 грн
100+31.55 грн
500+25.40 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.60 грн
578+24.56 грн
729+19.47 грн
1000+14.70 грн
3000+11.69 грн
6000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.95 грн
22+34.54 грн
25+34.29 грн
100+25.02 грн
250+22.92 грн
500+17.54 грн
1000+14.18 грн
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.55 грн
24+32.60 грн
100+24.56 грн
500+18.77 грн
1000+13.61 грн
3000+11.22 грн
6000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.57 грн
500+10.99 грн
1500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 14677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
18+18.66 грн
100+14.08 грн
500+8.28 грн
1000+8.08 грн
3000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.29 грн
547+25.95 грн
553+25.67 грн
693+19.74 грн
1000+14.77 грн
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 366845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+20.94 грн
100+15.70 грн
500+11.01 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.53 грн
50+33.99 грн
100+22.23 грн
500+15.71 грн
1500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.98 грн
6000+8.52 грн
9000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTA KNAZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN3F30FHTA TZXMN3f30fhta
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F318DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+57.64 грн
100+33.21 грн
500+25.27 грн
1000+21.81 грн
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.38 грн
1000+26.59 грн
1500+25.23 грн
2500+22.24 грн
3500+21.39 грн
5000+20.57 грн
12500+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.54 грн
100+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.84 грн
100+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 64279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+56.84 грн
100+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL аналог AO4812 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+73.04 грн
100+42.11 грн
500+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.38 грн
1000+26.59 грн
1500+25.23 грн
2500+22.24 грн
3500+21.39 грн
5000+20.57 грн
12500+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 63509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.54 грн
100+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TCZetex09+
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+39.02 грн
250+38.63 грн
500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES/ZETEXN-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.34 грн
2000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.59 грн
2000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]