Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.93 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 15 V
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.21 грн
6000+12.07 грн
9000+11.21 грн
30000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B01FTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+65.82 грн
100+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.08 грн
1000+35.36 грн
2500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TAPBF
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
на замовлення 137439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+35.55 грн
100+24.41 грн
500+18.14 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 20305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3B14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.10 грн
6000+14.41 грн
9000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B14FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.46 грн
24+32.53 грн
100+24.51 грн
500+18.73 грн
1000+13.58 грн
3000+11.19 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 14677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTAZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN3F30FHTA TZXMN3f30fhta
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.22 грн
547+25.89 грн
553+25.61 грн
693+19.69 грн
1000+14.74 грн
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
на замовлення 366845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.13 грн
100+15.84 грн
500+11.12 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.047 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 318 pF @ 15 V
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
6000+8.60 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.53 грн
578+24.51 грн
729+19.42 грн
1000+14.67 грн
3000+11.66 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.85 грн
22+34.46 грн
25+34.22 грн
100+24.97 грн
250+22.87 грн
500+17.51 грн
1000+14.15 грн
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F318DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.66 грн
1000+26.84 грн
1500+25.46 грн
2500+22.45 грн
3500+21.59 грн
5000+20.76 грн
12500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.06 грн
100+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.36 грн
100+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 64279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.36 грн
100+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.66 грн
1000+26.84 грн
1500+25.46 грн
2500+22.45 грн
3500+21.59 грн
5000+20.76 грн
12500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 63509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.06 грн
100+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL аналог AO4812 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3G32DN8TCZetex09+
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.40 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES/ZETEXN-MOSFET 40V 7A ZXMN4A06GTA DIODES TZXMN4a06g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.40 грн
2000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Chnl UMOS
на замовлення 40935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+62.73 грн
100+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.21 грн
15+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 9.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.67 грн
100+63.46 грн
500+47.44 грн
1000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCZETEXMOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN53BM832TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN60A11D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN61P02FZETEX
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN62P03E6TA
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2523000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
6000+13.32 грн
9000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+28.46 грн
100+18.26 грн
500+13.02 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 729000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2523000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+19.48 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 463929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 91297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
9000+12.62 грн
15000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+19.48 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 6.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
13+34.22 грн
50+22.90 грн
100+19.37 грн
500+14.34 грн
1000+12.92 грн
3000+11.41 грн
6000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+33.97 грн
25+28.38 грн
50+23.33 грн
100+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.17 грн
6000+14.09 грн
9000+13.60 грн
15000+9.14 грн
21000+8.37 грн
30000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes Inc./ZetexSOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.34 грн
6000+14.20 грн
9000+13.86 грн
15000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
9000+12.47 грн
15000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
9000+12.47 грн
15000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.