Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3FToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
406+8.41 грн
500+7.06 грн
1000+6.56 грн
4000+6.15 грн
10000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.89 грн
872+16.27 грн
1000+15.74 грн
2500+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.89 грн
872+16.27 грн
1000+15.74 грн
2500+14.73 грн
5000+13.28 грн
10000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 288095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin CST T/R
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 288095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 3940979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.33 грн
50+11.01 грн
100+9.01 грн
500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 3939000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
9000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
на замовлення 58063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1774+7.99 грн
1834+7.73 грн
2500+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 1774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
897+5.73 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.22 грн
30+26.02 грн
52+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56FSLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
772+6.71 грн
1000+5.65 грн
4000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 772 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.42 грн
1555+9.12 грн
2500+8.85 грн
5000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K59CTB,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
9000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
на замовлення 9929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+24.08 грн
50+17.49 грн
100+14.39 грн
500+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.61 грн
100+13.73 грн
500+9.69 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K62TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.057 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002AF(T5LFTToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF(T5L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3226+10.99 грн
10000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF(T5LF)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFSToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFSLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU(T5L,FToshibaN-Channel, SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU(T5L,FToshibaMOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V .2A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU,LFToshibaMOSFET SS FET N-Ch 0.2A 60V 20V 17pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BFU,LF(TToshibaMOSFET N-Ch FET U-MOSIV 60V 200mA 17pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 738000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9147+3.87 грн
10274+3.45 грн
100000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 9147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BS,LF(DToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9147+3.87 грн
10274+3.45 грн
100000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 9147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BSU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
9000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 92965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
41+7.40 грн
57+5.26 грн
100+4.28 грн
500+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(BToshibaSSM3K7002CFU,LF(B
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002CFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
на замовлення 38953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002CFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
на замовлення 38953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 3-Pin USM T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFULF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FTOSHIBASOT23
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F
Код товару: 161892
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F (T5L,F,T)ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F(T5LFT?TOSHIBA
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002F(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FT5L,F.T
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUTOSHIBASOT323
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FU T5LF.TTOSHIBASOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FU(T5L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUT5LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 0.2A USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUT5LFToshibaMOSFET Small-signal MOSFET 60V, 150mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002FUT5LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF LXHFToshiba N CHAN 60V SOT-346(S-MINI)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
9000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 71245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.44 грн
50+8.20 грн
100+6.70 грн
500+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LFToshibaMOSFETs Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 893 шт
В кошику  од. на суму  грн.