Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6N16FETE85LF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FUTOSHIBASOT363
на замовлення 38645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FUTE85LFToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU
на замовлення 16910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)ToshibaMOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
на замовлення 7808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.03 грн
500+7.85 грн
1000+6.38 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 6-Pin US T/R
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: US6
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.34 грн
44+18.61 грн
100+12.03 грн
500+7.85 грн
1000+6.38 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.30 грн
100+10.27 грн
500+7.18 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N20SSS07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
13+24.00 грн
100+14.42 грн
500+12.53 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm at 4.5V
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N24TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.03 грн
30+27.56 грн
100+17.64 грн
500+12.30 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N25TUTOSHIBA09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N25TU(TE85,F)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.53 грн
100+17.86 грн
500+12.77 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive 6-Pin TSOP-F T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.81 грн
6000+9.08 грн
9000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive 6-Pin TSOP-F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.21 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.17 грн
29+28.45 грн
100+18.21 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 6-Pin TSOP-F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+20.63 грн
690+20.51 грн
846+16.74 грн
1000+15.12 грн
2000+13.89 грн
3000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N357RLF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 97294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 35041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.81 грн
500+4.18 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.76 грн
8000+3.14 грн
12000+3.07 грн
20000+2.81 грн
28000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFE,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.74 грн
57+14.47 грн
100+9.10 грн
500+6.23 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 285mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.64 грн
100+11.78 грн
500+8.25 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LMToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N35FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.69 грн
47+17.39 грн
100+10.89 грн
500+7.53 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.53 грн
100+10.39 грн
500+7.95 грн
1000+5.90 грн
2000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LMToshibaMOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.85 грн
52+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+5.68 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.93 грн
250+10.00 грн
1000+5.68 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
16+19.40 грн
100+11.62 грн
500+10.09 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
6000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LFToshibaMOSFET Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37CTD(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch FET MOS 1.5V Drive 20V 500mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LMToshibaMOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
на замовлення 15939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.82 грн
250+8.78 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.35 грн
59+13.82 грн
250+8.78 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FE,LM(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+3.95 грн
9000+3.73 грн
15000+3.27 грн
21000+3.13 грн
30000+3.00 грн
75000+2.66 грн
150000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 229185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
23+13.21 грн
100+8.23 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LFToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.84 грн
500+6.78 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N37FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.60 грн
52+15.77 грн
100+9.84 грн
500+6.78 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU(TE85LF)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 1.6A 6-Pin UF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.77 грн
500+11.62 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.39 грн
500+18.34 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.56 грн
50+34.71 грн
100+27.39 грн
500+18.34 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N39TULXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
6000+8.64 грн
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 1.6A 6-Pin UF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 13431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.74 грн
100+16.45 грн
500+11.66 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N40TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.45 грн
500+12.98 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.89 грн
500+13.96 грн
1500+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N40TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.25 грн
50+26.50 грн
100+20.89 грн
500+13.96 грн
1500+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N40TULXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N42FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.42 грн
9000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 13361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.11 грн
500+6.35 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1552+9.12 грн
1605+8.82 грн
2500+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 1552 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.52 грн
50+16.50 грн
100+11.30 грн
500+7.77 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]