Продукція > AOI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOI11S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI1N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI1N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI1R4A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.4A; 48W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 48W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI1R4A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 3.8A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI206_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI208Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
70+32.43 грн
140+28.83 грн
560+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI21357ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -180A; 31W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 31W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -180A
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2210Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2065 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2520C2R2JTARLITECH04+ SMD
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2520CR22JT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2520CR91JT2005+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2606Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2606
Код товару: 168277
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2610Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 71.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2610EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36.5A; 23.5W; TO251A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 23.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2610EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 46A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2614Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET NCH 60V 35A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI294AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI296AALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 35W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 35W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2N60Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI2N60AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI360A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI380A60CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI403
Код товару: 144923
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI403ALPHA&OMEGATransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8,5mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C; AOI403 TAOI403
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI403Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI409ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; 30W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI409Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI409Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4102Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4126Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4126ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 50W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4130Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4144_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4146Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 15A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4184Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4184ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 25W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27.2nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4185Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4185ALPHA&OMEGATransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; AOI4185 TAOI4185
кількість в упаковці: 35 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
35+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4185Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4185Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4185ALPHA&OMEGATransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; AOI4185 TAOI4185
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4185ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -31A; 31W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -31A
Power dissipation: 31W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.17 грн
13+34.40 грн
70+30.16 грн
140+27.84 грн
490+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI423Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI423ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 45W; TO251A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 45W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.12 грн
13+34.40 грн
70+30.75 грн
140+27.75 грн
490+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4286AOSMOSFET N-CH 100V 14A TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4286ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
23+18.61 грн
70+16.70 грн
140+15.21 грн
490+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4286Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 10254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
70+33.65 грн
140+24.42 грн
560+19.15 грн
1050+16.30 грн
2030+14.52 грн
5040+13.53 грн
10010+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI442Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI442Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI442ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 30W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 30W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.2nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI444Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI444ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 10W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 10W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 3.8nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI468Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI468ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.3A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.3A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI472AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 18A/46A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI482Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4C60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4T60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI4T60PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI508Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 22A/70A TO251A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI510Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI510Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOI514Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI516Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI516_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI516_002Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI518Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 951 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI518_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI530Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO251A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI538Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 34A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOI5N40ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI5N40Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI600A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO251A
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+80.40 грн
100+62.71 грн
500+48.62 грн
1000+38.38 грн
2000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; 20.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Power dissipation: 20.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI7N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI8N25Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI8N25ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI950A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 461 pF @ 100 V
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
70+74.59 грн
140+59.11 грн
560+47.02 грн
1050+38.30 грн
2030+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI950A70ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOI9N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251A
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.