Продукція > BSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+115.83 грн
116+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+123.83 грн
100+119.83 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+123.83 грн
100+119.83 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+115.83 грн
116+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20K red 930 729-101Belden/HirschmannГрупа товару: Клемники Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB-PIR90-UCarlo GavazziOptical Sensor Modules SMART-DUPLINE PL PIR DETECTOR 90 LIGHT REV.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 46A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.02 грн
10+173.05 грн
100+139.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03MX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03MX3GXTInfineon TechnologiesMOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5852 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.61 грн
10+183.62 грн
100+128.29 грн
500+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIInfineon technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.77 грн
10+160.36 грн
100+112.25 грн
500+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.54 грн
10+134.22 грн
100+126.08 грн
500+110.28 грн
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
на замовлення 18879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.08 грн
500+110.28 грн
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GInfineon technologies
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.82 грн
10+147.28 грн
25+127.60 грн
100+109.92 грн
250+89.10 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1
Код товару: 168892
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsDC Fans Blower, 15x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1150.21 грн
10+1022.32 грн
25+794.85 грн
50+773.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13800 RPM
Air Flow: 0.170 CFM (0.005m³/min)
Width: 3.50mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.154 in H2O (38.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 150 mW
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.43 грн
10+968.04 грн
25+887.82 грн
50+778.92 грн
195+756.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.86 грн
10+142.06 грн
25+139.11 грн
100+123.92 грн
250+112.03 грн
500+104.62 грн
1000+100.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.230 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.40mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 26.5dB(A)
Static Pressure: 0.182 in H2O (45.3 Pa)
Power (Watts): 180 mW
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.14 грн
10+971.52 грн
25+891.03 грн
50+781.73 грн
100+759.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDC Fans Blower, 17x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.24 грн
10+938.93 грн
25+773.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.5V 0.23CFM 26.5dB 17 X 17 X 3.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3
Код товару: 118806
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX309+/10+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB019N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.3V 0.28CFM 32dB 20 X 20 X 3.28mm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1912.76 грн
50+1633.12 грн
100+1485.46 грн
180+1410.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDC Fans Blower, 20x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1030.63 грн
10+889.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.280 CFM (0.008m³/min)
Width: 3.28mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.252 in H2O (62.8 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 180 mW
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1348.37 грн
10+1046.60 грн
25+953.45 грн
50+832.49 грн
100+773.99 грн
352+756.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HA5-00HSFDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans DC Blower, 20x20x5mm, 5VDC, 0.54CFM, 0.5W, 32.7dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HA5-00HSFDelta ElectronicsDescription: BLOWER SQUARE 20X5MM 5VDC PWM
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 10500 RPM
Air Flow: 0.530 CFM (0.015m³/min)
Width: 5.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Blower
Noise: 32.7dB(A)
Static Pressure: 0.432 in H2O (107.7 Pa)
Power (Watts): 0.5 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.22 грн
10+502.83 грн
25+461.96 грн
50+405.64 грн
100+379.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDescription: FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.570 CFM (0.016m³/min)
Width: 5.28mm
Weight: 0.004 lb (1.81 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: cURus, TUV
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 35.9dB(A)
Static Pressure: 0.400 in H2O (99.6 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 400 mW
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1122.46 грн
10+888.13 грн
25+814.74 грн
50+714.87 грн
100+690.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fans Tubeaxial Fan, 20x5mm, 5VDC, Sleeve, 4-Lead Wires, Lock Rotor Sensor, Tach, PWM
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.55 грн
10+1298.15 грн
25+1041.67 грн
50+981.01 грн
100+923.84 грн
250+907.80 грн
352+778.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB024N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.40 грн
10+152.35 грн
100+110.86 грн
250+108.07 грн
500+92.73 грн
1000+81.58 грн
5000+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.26 грн
10+183.84 грн
100+128.52 грн
500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.52 грн
500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.34 грн
10+166.48 грн
100+116.34 грн
500+89.08 грн
1000+82.62 грн
2000+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB03505HP-00Delta ElectronicsDescription: BLOWER SQUARE 35X5.5MM 5VDC PWM
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square/Rounded - 35mm L x 35mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 11000 RPM
Air Flow: 2.1 CFM (0.059m³/min)
Width: 5.50mm
Operating Temperature: 32 ~ 140°F (0 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 54.0dB(A)
Static Pressure: 1.181 in H2O (294.2 Pa)
Power (Watts): 1 W
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.92 грн
10+761.91 грн
25+694.61 грн
50+606.68 грн
160+539.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB03505HP-00Delta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans DC Blower, 35x35x5.5mm, 5VDC, 2.1CFM, 1W, 54dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1026.56 грн
10+818.66 грн
25+649.82 грн
50+611.48 грн
100+559.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.68 грн
10+283.04 грн
100+201.50 грн
500+171.52 грн
1000+155.48 грн
5000+131.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.56 грн
10+193.06 грн
100+136.87 грн
500+105.96 грн
1000+100.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.47 грн
10+175.70 грн
100+140.73 грн
500+110.28 грн
1000+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.17 грн
10+277.43 грн
100+198.01 грн
500+168.73 грн
1000+150.60 грн
2500+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 3700 µohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.73 грн
500+110.28 грн
1000+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB053N03LP GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB053N03LPGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3InfineonN-Channel 150V 37A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 8122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.71 грн
10+203.66 грн
25+176.40 грн
100+138.75 грн
500+131.08 грн
1000+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.52 грн
10+169.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.03 грн
10+142.71 грн
25+140.77 грн
100+134.77 грн
250+123.96 грн
500+118.21 грн
1000+117.34 грн
3000+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 52А; 78Вт Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.95 грн
10+178.79 грн
100+125.30 грн
500+96.15 грн
1000+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1
Код товару: 125684
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GInfineon technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.43 грн
10+140.32 грн
100+95.52 грн
500+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270002TXC CORPORATIONDescription: OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270002TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270003TXC CORPORATIONDescription: XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±100ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 212.5 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270003TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V -5C +85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB14DBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GInfineon technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 16.5mΩ
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.39 грн
10+116.26 грн
100+98.31 грн
250+96.22 грн
500+88.55 грн
1000+83.67 грн
5000+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 8786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+100.62 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB20KRT
Код товару: 98225
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB20KSW
Код товару: 98224
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3 G
Код товару: 125682
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GInfineonN-Ch 150V 30A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB5HellermannTytonDescription: STRT BOOT ELASTO ADHES
Packaging: Retail Package
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1658.20 грн
10+1505.69 грн
25+1424.14 грн
50+1236.12 грн
100+1177.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB75-48S05FLTmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB881N03LX3GXUMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB881N03LX3GXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB881N03LX3GXUMA1 - BSB881N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+88.67 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
BSBINJ12128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSBINJ121810Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 10"
Part Status: Active
Depth: 18"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSBINJ8128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 8"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSBN2-103AALPS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.