Продукція > BSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+109.76 грн
116+106.22 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+117.34 грн
100+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K GREENSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+117.34 грн
100+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+109.76 грн
116+106.22 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug M 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 300 BLACKSKS KontakttechnikMULTIPLE-SPRING WIRE PLUG WITH COUPLI WAY, THE PLUGS CAN BE CONNECTED TOG TO MAXIMUM CABLE CROSS-SECTION OF 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 300 BLAU / BLUESKS Kontakttechnik931294102
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 300 GELB / YELLOWSKS Kontakttechnik931294103
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 300 GRN / GREENSKS Kontakttechnik931294104
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB 300 REDSKS KontakttechnikMultiple-Spring Wire Plug With Coupling Located Parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB-PIR90-UCarlo GavazziOptical Sensor Modules SMART-DUPLINE PL PIR DETECTOR 90 LIGHT REV.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.15 грн
10+180.08 грн
100+144.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 46A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03MX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03MX3GXTInfineon TechnologiesMOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.61 грн
10+198.73 грн
100+138.85 грн
500+113.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5852 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 37A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIInfineon technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.56 грн
10+173.56 грн
100+121.49 грн
500+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.29 грн
10+139.67 грн
100+131.21 грн
500+114.76 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.21 грн
500+114.76 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 57W
Drain current: 103A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
на замовлення 18879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GInfineon technologies
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.82 грн
10+139.57 грн
25+120.91 грн
100+104.16 грн
250+84.43 грн
500+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1
Код товару: 168892
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB014N04LX3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 15x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1206.11 грн
10+1044.83 грн
25+848.18 грн
50+836.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13800 RPM
Air Flow: 0.170 CFM (0.005m³/min)
Width: 3.50mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.154 in H2O (38.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 150 mW
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.27 грн
10+987.12 грн
25+905.46 грн
50+794.49 грн
195+767.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.16 грн
10+134.62 грн
25+131.82 грн
100+117.43 грн
250+106.16 грн
500+99.14 грн
1000+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 17x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1254.53 грн
10+1015.32 грн
25+836.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.230 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.40mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 26.5dB(A)
Static Pressure: 0.182 in H2O (45.3 Pa)
Power (Watts): 180 mW
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.27 грн
10+987.12 грн
25+905.46 грн
50+794.49 грн
100+767.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.5V 0.23CFM 26.5dB 17 X 17 X 3.4mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX309+/10+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3
Код товару: 118806
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB017N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB019N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.280 CFM (0.008m³/min)
Width: 3.28mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.252 in H2O (62.8 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 180 mW
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.57 грн
10+854.98 грн
25+837.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.3V 0.28CFM 32dB 20 X 20 X 3.28mm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1812.55 грн
50+1547.55 грн
100+1407.64 грн
180+1336.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 20x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1071.41 грн
10+962.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HA5-00HSFDelta ElectronicsDescription: BLOWER SQUARE 20X5MM 5VDC PWM
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 10500 RPM
Air Flow: 0.530 CFM (0.015m³/min)
Width: 5.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.7dB(A)
Static Pressure: 0.432 in H2O (107.7 Pa)
Power (Watts): 0.5 W
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.17 грн
10+532.70 грн
25+489.39 грн
50+429.74 грн
100+401.56 грн
304+400.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HA5-00HSFDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans DC Blower, 20x20x5mm, 5VDC, 0.54CFM, 0.5W, 32.7dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDescription: FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.570 CFM (0.016m³/min)
Width: 5.28mm
Weight: 0.004 lb (1.81 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: cURus, TUV
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 35.9dB(A)
Static Pressure: 0.400 in H2O (99.6 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 400 mW
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.27 грн
10+987.12 грн
25+905.46 грн
50+794.49 грн
100+767.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta Electronics Inc.DC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fans Tubeaxial Fan, 20x5mm, 5VDC, Sleeve, 4-Lead Wires, Lock Rotor Sensor, Tach, PWM
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1686.79 грн
10+1404.96 грн
25+1127.38 грн
50+1061.73 грн
100+999.85 грн
250+982.50 грн
352+842.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB024N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.32 грн
10+164.88 грн
100+119.98 грн
250+116.96 грн
500+100.36 грн
1000+88.29 грн
5000+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.09 грн
10+173.24 грн
100+121.07 грн
500+92.70 грн
1000+85.98 грн
2000+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.75 грн
500+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.74 грн
10+191.31 грн
100+133.75 грн
500+91.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesOptiMOS 3 Power-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB03505HP-00Delta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans DC Blower, 35x35x5.5mm, 5VDC, 2.1CFM, 1W, 54dBA, Sleeve, 4x Wire, Tach/PWM
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.23 грн
10+1134.21 грн
25+892.70 грн
50+822.52 грн
100+737.25 грн
250+680.65 грн
480+633.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB03505HP-00Delta ElectronicsDescription: BLOWER SQUARE 35X5.5MM 5VDC PWM
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square/Rounded - 35mm L x 35mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 11000 RPM
Air Flow: 2.1 CFM (0.059m³/min)
Width: 5.50mm
Operating Temperature: 32 ~ 140°F (0 ~ 60°C)
Termination: 4 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 54.0dB(A)
Static Pressure: 1.181 in H2O (294.2 Pa)
Power (Watts): 1 W
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+955.86 грн
10+757.59 грн
25+695.34 грн
50+610.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.99 грн
10+306.33 грн
100+218.08 грн
500+185.63 грн
1000+168.28 грн
5000+142.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.79 грн
10+199.78 грн
100+176.92 грн
500+134.41 грн
1000+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+128.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.94 грн
10+300.26 грн
100+214.31 грн
500+182.61 грн
1000+162.99 грн
2500+159.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.92 грн
500+134.41 грн
1000+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.18 грн
10+222.69 грн
100+157.88 грн
500+122.22 грн
1000+116.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB053N03LP GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB053N03LPGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 8122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.19 грн
10+220.42 грн
25+190.91 грн
100+150.17 грн
500+141.87 грн
1000+127.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.49 грн
10+186.06 грн
100+130.40 грн
500+100.06 грн
1000+92.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1
Код товару: 125684
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.18 грн
10+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.38 грн
10+135.23 грн
25+133.40 грн
100+127.71 грн
250+117.47 грн
500+112.02 грн
1000+111.19 грн
3000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GInfineon technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.55 грн
10+151.86 грн
100+103.38 грн
500+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB104N08NP3GXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270002TXC CORPORATIONDescription: OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270002TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270003TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V -5C +85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB1270003TXC CORPORATIONDescription: XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±100ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 212.5 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB14DBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GInfineon technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+142.89 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+125.83 грн
100+106.40 грн
250+104.14 грн
500+95.83 грн
1000+90.55 грн
5000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 8786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesBSB165N15NZ3GXUMA2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesBSB165N15NZ3GXUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB20KRT
Код товару: 98225
Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB20KSW
Код товару: 98224
Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3 G
Код товару: 125682
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB75-48S05FLTmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB881N03LX3GXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB881N03LX3GXUMA1 - BSB881N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+92.27 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
BSB881N03LX3GXUMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSBINJ12128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSBINJ121810Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 10"
Part Status: Active
Depth: 18"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSBINJ8128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 8"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSBN2-103AALPS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSBN2-103AALPS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.