Продукція > IKB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKB03N120H2INFTO-263
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.03 грн
10+84.99 грн
100+51.18 грн
500+43.37 грн
1000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.45 грн
10+97.97 грн
100+66.67 грн
500+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
10+86.22 грн
100+60.03 грн
500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.99 грн
10+99.43 грн
100+58.64 грн
500+46.85 грн
1000+43.02 грн
2000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.03 грн
500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TINFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.33 грн
10+111.45 грн
100+67.77 грн
500+58.01 грн
1000+49.22 грн
2000+47.69 грн
5000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TINFTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.99 грн
10+97.82 грн
100+56.75 грн
500+46.51 грн
1000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.92 грн
200+79.31 грн
500+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+125.84 грн
110+118.31 грн
125+103.57 грн
200+95.32 грн
500+87.96 грн
1000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.08 грн
10+103.25 грн
100+70.41 грн
500+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.03 грн
10+101.55 грн
25+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.62 грн
10+118.76 грн
50+91.92 грн
200+79.31 грн
500+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TInfineon TechnologiesDescription: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TINFTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.41 грн
10+112.25 грн
100+70.42 грн
500+59.40 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
5+139.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.80 грн
10+125.01 грн
100+86.07 грн
500+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.89 грн
10+148.35 грн
100+103.18 грн
500+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.27 грн
10+149.94 грн
100+91.34 грн
500+78.79 грн
1000+78.09 грн
2000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.34 грн
10+175.70 грн
100+129.34 грн
500+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 172ns
Turn-on time: 33ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.34 грн
500+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.73 грн
10+129.09 грн
100+77.39 грн
500+63.59 грн
1000+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.79 грн
10+123.64 грн
100+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.16 грн
10+126.75 грн
100+87.35 грн
500+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+97.13 грн
134+96.80 грн
200+93.24 грн
500+86.14 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1InfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.62 грн
2000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.46 грн
10+149.94 грн
100+92.04 грн
500+76.00 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1372Infineon TechnologiesDescription: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+83.76 грн
163+79.28 грн
164+79.15 грн
165+75.74 грн
250+69.59 грн
500+66.29 грн
1000+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.36 грн
10+132.59 грн
100+91.11 грн
500+64.35 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.94 грн
2000+72.72 грн
3000+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+108.78 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+126.91 грн
500+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.74 грн
10+84.94 грн
25+84.81 грн
100+81.15 грн
250+74.56 грн
500+71.02 грн
1000+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.67 грн
10+148.80 грн
100+103.52 грн
500+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.71 грн
10+160.96 грн
100+112.45 грн
500+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.94 грн
10+190.58 грн
25+184.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.96 грн
500+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.98 грн
10+156.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.93 грн
10+170.82 грн
100+130.96 грн
500+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.73 грн
10+199.65 грн
100+135.26 грн
500+113.65 грн
1000+105.28 грн
2000+99.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.12 грн
10+186.87 грн
25+184.20 грн
100+164.37 грн
250+150.30 грн
500+138.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.38 грн
10+179.02 грн
100+126.18 грн
500+107.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+100.09 грн
2000+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+184.91 грн
75+174.41 грн
76+171.92 грн
100+153.41 грн
250+140.28 грн
500+129.43 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.64 грн
10+190.27 грн
100+134.25 грн
500+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.24 грн
10+203.66 грн
100+138.75 грн
500+115.74 грн
1000+107.37 грн
2000+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.35 грн
10+196.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+366.38 грн
42+309.07 грн
43+305.20 грн
100+242.77 грн
250+161.79 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+411.94 грн
38+348.48 грн
50+344.18 грн
100+272.77 грн
200+240.08 грн
500+196.36 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.27 грн
10+222.52 грн
100+158.27 грн
500+131.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+392.55 грн
10+331.15 грн
25+327.00 грн
100+260.11 грн
250+173.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.32 грн
10+245.36 грн
100+167.34 грн
500+145.72 грн
1000+122.71 грн
2000+121.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+407.63 грн
37+357.08 грн
50+356.01 грн
100+342.26 грн
200+302.50 грн
500+259.05 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.00 грн
10+215.56 грн
100+152.11 грн
500+128.41 грн
1000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.83 грн
10+215.69 грн
100+138.05 грн
500+132.47 грн
1000+111.56 грн
2000+110.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.11 грн
500+128.41 грн
1000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.60 грн
10+178.41 грн
100+125.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.35 грн
10+219.73 грн
100+156.30 грн
500+130.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+392.55 грн
10+332.07 грн
25+323.96 грн
100+250.34 грн
250+229.49 грн
500+205.93 грн
1000+164.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+200.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+366.38 грн
42+309.93 грн
43+302.36 грн
100+233.65 грн
250+214.19 грн
500+192.20 грн
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.21 грн
2000+113.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+446.35 грн
35+378.59 грн
50+288.25 грн
100+276.92 грн
200+241.04 грн
500+203.74 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.32 грн
10+245.36 грн
100+167.34 грн
500+145.72 грн
1000+122.71 грн
2000+121.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.80 грн
10+213.12 грн
100+152.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.