Продукція > IKB

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB03N120H2

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB03N120H2

INF

TO-263

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.23 грн
10+	83.23 грн
100+	50.11 грн
500+	42.47 грн
1000+	35.44 грн
2000+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60T

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60T

infineon

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

на замовлення 615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.16 грн
10+	95.93 грн
100+	65.29 грн
500+	48.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.23 грн
10+	84.43 грн
100+	58.79 грн
500+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	84.80 грн
100+	50.11 грн
500+	42.47 грн
1000+	35.44 грн
2000+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.79 грн
500+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.79 грн
10+	89.51 грн
100+	53.80 грн
500+	45.54 грн
1000+	37.96 грн
2000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60T

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60T

INF

TO-263

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.01 грн
200+	77.66 грн
500+	64.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	126.13 грн
110+	118.58 грн
125+	103.81 грн
200+	95.53 грн
500+	88.16 грн
1000+	77.80 грн

Мінімальне замовлення: 103

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A

на замовлення 635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	131.87 грн
5+	97.80 грн
10+	86.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.33 грн
10+	116.30 грн
50+	90.01 грн
200+	77.66 грн
500+	64.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

на замовлення 635 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	158.25 грн
5+	121.87 грн
10+	103.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.00 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.79 грн
10+	91.87 грн
100+	53.80 грн
500+	45.54 грн
1000+	38.44 грн
2000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60T

INF

TO-263

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A

на замовлення 1281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.07 грн
10+	106.78 грн
100+	63.43 грн
500+	50.59 грн
1000+	46.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60T

Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V

на замовлення 762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.66 грн
5+	135.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.30 грн
10+	99.71 грн
100+	68.09 грн
500+	51.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

на замовлення 762 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	187.99 грн
5+	168.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.26 грн
10+	119.23 грн
100+	82.22 грн
500+	63.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.14 грн
10+	127.20 грн
100+	76.47 грн
500+	63.43 грн
1000+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.39 грн
10+	172.06 грн
100+	126.65 грн
500+	90.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.65 грн
500+	90.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	140.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3

IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT

на замовлення 1493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	169.67 грн
10+	108.35 грн
100+	64.59 грн
500+	51.34 грн
1000+	47.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 2251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.84 грн
10+	101.11 грн
100+	69.10 грн
500+	52.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.35 грн
134+	97.02 грн
200+	93.46 грн
500+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.98 грн
2000+	47.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.78 грн
10+	121.08 грн
100+	83.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60T

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.34 грн
10+	127.20 грн
100+	76.47 грн
500+	62.81 грн
1000+	58.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TA

IGBTs IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TAATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TAATMA1372

Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	114.76 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.14 грн
10+	129.84 грн
100+	89.21 грн
500+	63.02 грн
1000+	55.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.35 грн
2000+	56.75 грн
3000+	55.20 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	109.02 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	127.20 грн
500+	114.27 грн

Мінімальне замовлення: 255

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.94 грн
10+	85.14 грн
25+	85.00 грн
100+	81.34 грн
250+	74.73 грн
500+	71.18 грн
1000+	70.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 4283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.72 грн
10+	118.64 грн
100+	81.81 грн
500+	63.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	83.95 грн
163+	79.46 грн
164+	79.33 грн
165+	75.92 грн
250+	69.75 грн
500+	66.44 грн
1000+	65.92 грн

Мінімальне замовлення: 155

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.16 грн
10+	130.40 грн
100+	90.39 грн
500+	71.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.42 грн
10+	191.02 грн
25+	185.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.97 грн
500+	126.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	202.68 грн
10+	152.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.26 грн
10+	141.79 грн
100+	97.98 грн
500+	70.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.46 грн
10+	138.98 грн
100+	83.98 грн
500+	71.01 грн
1000+	66.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB20N65EH5ATMA1

на замовлення 909 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	243.21 грн
10+	190.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 1922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.30 грн
10+	164.10 грн
100+	99.68 грн
500+	88.08 грн
1000+	75.10 грн
2000+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.57 грн
10+	187.29 грн
25+	184.62 грн
100+	164.75 грн
250+	150.64 грн
500+	139.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 2046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.18 грн
10+	151.93 грн
100+	106.28 грн
500+	87.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.63 грн
2000+	76.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	185.33 грн
75+	174.81 грн
76+	172.31 грн
100+	153.76 грн
250+	140.60 грн
500+	129.73 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 1369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.18 грн
10+	151.93 грн
100+	106.28 грн
500+	87.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65ES5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 1622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.30 грн
10+	164.10 грн
100+	99.68 грн
500+	88.08 грн
1000+	75.10 грн
2000+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.63 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5

Infineon INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	367.21 грн
42+	309.77 грн
43+	305.89 грн
100+	243.33 грн
250+	162.16 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	412.87 грн
38+	349.27 грн
50+	344.96 грн
100+	273.39 грн
200+	240.62 грн
500+	196.81 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	167.28 грн
500+	153.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.75 грн
10+	174.71 грн
100+	123.15 грн
500+	104.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	393.44 грн
10+	331.90 грн
25+	327.74 грн
100+	260.71 грн
250+	173.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.66 грн
10+	170.38 грн
100+	114.70 грн
500+	103.78 грн
1000+	98.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.88 грн
10+	227.02 грн
100+	167.28 грн
500+	153.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	97.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	408.56 грн
37+	357.90 грн
50+	356.82 грн
100+	343.04 грн
200+	303.19 грн
500+	259.64 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	414.21 грн
10+	262.07 грн
100+	187.19 грн
500+	136.84 грн
1000+	117.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.76 грн
10+	186.09 грн
100+	114.70 грн
500+	103.78 грн
1000+	98.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	187.19 грн
500+	136.84 грн
1000+	117.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.75 грн
10+	174.71 грн
100+	123.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	200.90 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	367.21 грн
42+	310.64 грн
43+	303.05 грн
100+	234.18 грн
250+	214.68 грн
500+	192.64 грн
1000+	153.61 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	97.70 грн
2000+	91.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	215.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	447.37 грн
35+	379.46 грн
50+	288.90 грн
100+	277.55 грн
200+	241.59 грн
500+	204.20 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

на замовлення 1544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.76 грн
10+	186.09 грн
100+	114.70 грн
500+	103.78 грн
1000+	98.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.27 грн
10+	208.70 грн
100+	148.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.75 грн
10+	174.71 грн
100+	123.15 грн
500+	104.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	393.44 грн
10+	332.82 грн
25+	324.69 грн
100+	250.91 грн
250+	230.01 грн
500+	206.40 грн
1000+	164.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKBBF

IKBBF RJ45 Cables

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	515.10 грн
4+	370.81 грн
9+	351.09 грн
50+	350.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IKBBG

IKBBG RJ45 Cables

на замовлення 48 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	582.01 грн
4+	343.20 грн
10+	324.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IKBBH

IKBBH RJ45 Cables

на замовлення 45 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	652.11 грн
4+	374.76 грн
9+	354.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IKBBI