Продукція > IKB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKB03N120H2INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2INFTO-263
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.32 грн
10+91.15 грн
100+55.33 грн
500+46.88 грн
1000+39.18 грн
2000+36.08 грн
5000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60Tinfineon07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.95 грн
10+101.99 грн
100+69.41 грн
500+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.53 грн
13+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.72 грн
10+93.76 грн
100+60.09 грн
500+53.14 грн
1000+40.31 грн
2000+37.14 грн
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TINFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TINFTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.89 грн
10+98.97 грн
100+59.41 грн
500+50.35 грн
1000+41.97 грн
2000+38.80 грн
5000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.77 грн
10+93.76 грн
100+59.49 грн
500+45.44 грн
1000+41.59 грн
2000+36.84 грн
5000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.69 грн
200+82.57 грн
500+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+120.68 грн
110+113.46 грн
125+99.32 грн
200+91.41 грн
500+84.36 грн
1000+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.65 грн
10+97.51 грн
25+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.13 грн
10+123.64 грн
50+95.69 грн
200+82.57 грн
500+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.58 грн
10+121.51 грн
25+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TInfineon TechnologiesDescription: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TINFTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.83 грн
10+118.07 грн
100+70.13 грн
500+55.94 грн
1000+51.48 грн
2000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.14 грн
5+138.40 грн
10+130.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.48 грн
10+106.08 грн
100+72.48 грн
500+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.37 грн
5+172.46 грн
10+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.33 грн
10+126.84 грн
100+87.51 грн
500+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.30 грн
10+138.03 грн
100+84.55 грн
500+70.13 грн
1000+62.81 грн
2000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.12 грн
10+182.92 грн
100+134.65 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Power dissipation: 52.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.65 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.59 грн
10+118.93 грн
100+71.41 грн
500+56.84 грн
1000+53.22 грн
2000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.70 грн
10+128.72 грн
100+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.93 грн
10+107.57 грн
100+73.55 грн
500+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+93.14 грн
134+92.83 грн
200+89.42 грн
500+82.61 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.95 грн
10+128.48 грн
100+84.55 грн
500+69.45 грн
1000+62.51 грн
2000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1372Infineon TechnologiesDescription: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+80.32 грн
163+76.03 грн
164+75.91 грн
165+72.64 грн
250+66.73 грн
500+63.57 грн
1000+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.77 грн
10+138.88 грн
100+108.40 грн
500+78.16 грн
1000+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.43 грн
2000+60.41 грн
3000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+104.32 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+121.71 грн
500+109.33 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.06 грн
10+81.46 грн
25+81.33 грн
100+77.83 грн
250+71.50 грн
500+68.11 грн
1000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.52 грн
10+126.29 грн
100+87.08 грн
500+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.28 грн
10+181.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.11 грн
10+138.79 грн
100+96.21 грн
500+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.16 грн
10+182.77 грн
25+177.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.12 грн
500+134.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.57 грн
10+145.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.21 грн
10+171.06 грн
100+125.33 грн
500+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.60 грн
10+157.13 грн
100+100.40 грн
500+84.55 грн
1000+72.09 грн
2000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.88 грн
10+174.49 грн
100+110.21 грн
500+97.38 грн
1000+83.04 грн
2000+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.99 грн
10+179.21 грн
25+176.64 грн
100+157.63 грн
250+144.14 грн
500+132.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.86 грн
10+163.25 грн
100+114.21 грн
500+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.88 грн
2000+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+177.33 грн
75+167.26 грн
76+164.87 грн
100+147.12 грн
250+134.53 грн
500+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.86 грн
10+163.25 грн
100+114.21 грн
500+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.47 грн
10+183.18 грн
100+124.56 грн
500+104.18 грн
1000+89.08 грн
2000+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.19 грн
10+241.35 грн
100+177.84 грн
500+163.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+351.35 грн
42+296.40 грн
43+292.68 грн
100+232.82 грн
250+155.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+395.05 грн
38+334.19 грн
50+330.06 грн
100+261.58 грн
200+230.23 грн
500+188.31 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.84 грн
500+163.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.16 грн
10+186.05 грн
100+131.16 грн
500+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.45 грн
10+317.57 грн
25+313.59 грн
100+249.45 грн
250+166.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.98 грн
10+209.22 грн
100+135.88 грн
500+122.29 грн
1000+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+390.92 грн
37+342.44 грн
50+341.41 грн
100+328.22 грн
200+290.10 грн
500+248.43 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.36 грн
10+278.61 грн
100+199.01 грн
500+145.47 грн
1000+124.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.06 грн
10+205.75 грн
100+126.82 грн
500+114.74 грн
1000+108.71 грн
2000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.01 грн
500+145.47 грн
1000+124.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.16 грн
10+186.05 грн
100+131.16 грн
500+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.16 грн
10+186.05 грн
100+131.16 грн
500+111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.45 грн
10+318.45 грн
25+310.67 грн
100+240.07 грн
250+220.08 грн
500+197.48 грн
1000+157.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+351.35 грн
42+297.22 грн
43+289.96 грн
100+224.07 грн
250+205.41 грн
500+184.32 грн
1000+146.97 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.73 грн
500+197.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+428.05 грн
35+363.07 грн
50+276.43 грн
100+265.56 грн
200+231.16 грн
500+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.61 грн
10+204.01 грн
100+126.82 грн
500+114.74 грн
1000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.09 грн
10+289.62 грн
100+233.73 грн
500+197.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBFVENTIONIKBBF RJ45 Cables
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+428.84 грн
4+352.91 грн
9+334.04 грн
50+333.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBGVENTIONIKBBG RJ45 Cables
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+478.63 грн
4+327.44 грн
10+309.51 грн
50+308.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBHVENTIONIKBBH RJ45 Cables
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+589.40 грн
4+338.76 грн
10+320.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBIVENTIONIKBBI RJ45 Cables
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+690.00 грн
3+397.26 грн
8+375.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.