Продукція > IKB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKB03N120H2INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2INFTO-263
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.08 грн
10+96.65 грн
100+58.67 грн
500+49.71 грн
1000+41.54 грн
2000+38.26 грн
5000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60Tinfineon07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.90 грн
10+108.14 грн
100+73.60 грн
500+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+149.05 грн
10+95.18 грн
100+66.27 грн
500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.75 грн
10+99.41 грн
100+63.71 грн
500+56.35 грн
1000+42.74 грн
2000+39.38 грн
5000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.27 грн
500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.29 грн
10+104.94 грн
100+62.99 грн
500+53.39 грн
1000+44.50 грн
2000+41.14 грн
5000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TINFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TINFTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.46 грн
200+87.55 грн
500+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+123.55 грн
110+116.15 грн
125+101.68 грн
200+93.58 грн
500+86.36 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+175.09 грн
10+131.10 грн
50+101.46 грн
200+87.55 грн
500+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.32 грн
10+128.84 грн
25+106.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+142.77 грн
10+103.39 грн
25+88.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.22 грн
10+99.41 грн
100+63.07 грн
500+48.19 грн
1000+44.10 грн
2000+39.06 грн
5000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TINFTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.04 грн
10+125.19 грн
100+74.36 грн
500+59.31 грн
1000+54.59 грн
2000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TInfineon TechnologiesDescription: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.77 грн
5+146.75 грн
10+140.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.10 грн
10+111.31 грн
100+76.02 грн
500+57.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+224.12 грн
5+182.87 грн
10+169.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.86 грн
10+133.07 грн
100+91.79 грн
500+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.46 грн
10+149.12 грн
100+89.65 грн
500+74.36 грн
1000+66.60 грн
2000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.09 грн
10+193.95 грн
100+142.77 грн
500+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.77 грн
500+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 172ns
Turn-on time: 33ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.91 грн
10+127.03 грн
100+75.72 грн
500+60.11 грн
1000+54.11 грн
2000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+112.31 грн
100+76.78 грн
500+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+95.36 грн
134+95.04 грн
200+91.54 грн
500+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.87 грн
2000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.81 грн
10+136.48 грн
100+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.52 грн
10+149.12 грн
100+89.65 грн
500+73.64 грн
1000+66.28 грн
2000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TAATMA1372Infineon TechnologiesDescription: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+112.41 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.36 грн
10+133.79 грн
100+101.46 грн
500+71.20 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.40 грн
2000+63.06 грн
3000+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+124.60 грн
500+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.10 грн
10+83.40 грн
25+83.26 грн
100+79.68 грн
250+73.20 грн
500+69.73 грн
1000+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.27 грн
10+131.82 грн
100+90.91 грн
500+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+82.23 грн
163+77.84 грн
164+77.71 грн
165+74.36 грн
250+68.32 грн
500+65.08 грн
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.04 грн
10+187.11 грн
25+181.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.42 грн
500+142.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.15 грн
10+181.38 грн
100+132.89 грн
500+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.05 грн
10+155.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.94 грн
10+162.93 грн
100+98.45 грн
500+83.24 грн
1000+73.64 грн
2000+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 911 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+284.46 грн
10+193.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.91 грн
10+145.58 грн
100+100.92 грн
500+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.88 грн
10+171.26 грн
100+119.81 грн
500+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.28 грн
2000+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+181.54 грн
75+171.23 грн
76+168.78 грн
100+150.62 грн
250+137.73 грн
500+127.08 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.51 грн
10+183.46 грн
25+180.84 грн
100+161.38 грн
250+147.56 грн
500+136.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.96 грн
10+192.38 грн
100+116.86 грн
500+103.26 грн
1000+88.05 грн
2000+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.88 грн
10+171.26 грн
100+119.81 грн
500+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.96 грн
10+192.38 грн
100+116.86 грн
500+103.26 грн
1000+88.05 грн
2000+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+359.70 грн
42+303.44 грн
43+299.64 грн
100+238.35 грн
250+158.85 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+404.43 грн
38+342.13 грн
50+337.90 грн
100+267.80 грн
200+235.70 грн
500+192.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.56 грн
500+173.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.51 грн
10+194.10 грн
100+136.85 грн
500+116.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.39 грн
10+325.11 грн
25+321.04 грн
100+255.37 грн
250+170.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.10 грн
10+198.83 грн
100+134.47 грн
500+121.67 грн
1000+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.80 грн
10+255.91 грн
100+188.56 грн
500+173.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.92 грн
10+295.41 грн
100+211.01 грн
500+154.25 грн
1000+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.18 грн
10+218.16 грн
100+134.47 грн
500+121.67 грн
1000+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+220.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.01 грн
500+154.25 грн
1000+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.51 грн
10+194.10 грн
100+136.85 грн
500+116.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+400.21 грн
37+350.58 грн
50+349.52 грн
100+336.02 грн
200+296.99 грн
500+254.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+196.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+359.70 грн
42+304.28 грн
43+296.85 грн
100+229.39 грн
250+210.28 грн
500+188.70 грн
1000+150.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.56 грн
2000+101.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+438.22 грн
35+371.69 грн
50+282.99 грн
100+271.87 грн
200+236.65 грн
500+200.03 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.64 грн
10+218.16 грн
100+134.47 грн
500+121.67 грн
1000+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+220.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.49 грн
10+235.25 грн
100+167.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.51 грн
10+194.10 грн
100+136.85 грн
500+116.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.39 грн
10+326.02 грн
25+318.05 грн
100+245.77 грн
250+225.31 грн
500+202.17 грн
1000+161.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBFVENTIONIKBBF RJ45 Cables
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.97 грн
4+378.20 грн
9+358.19 грн
50+357.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBGVENTIONIKBBG RJ45 Cables
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+581.85 грн
4+350.19 грн
10+331.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBHVENTIONIKBBH RJ45 Cables
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+651.89 грн
4+379.20 грн
9+358.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKBBIVENTIONIKBBI RJ45 Cables
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+762.87 грн
3+444.24 грн
8+420.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.