Продукція > IKP
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKP01N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP01N120H2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 83 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 13ns/370ns Switching Energy: 140µJ Test Condition: 800V, 1A, 241Ohm, 15V Gate Charge: 8.6 nC Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 3.5 A Power - Max: 28 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP03N120H2 | Infineon Technologies | Description: IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP03N120H2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 Power - Max: 62.5 W Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 22 nC Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Switching Energy: 290µJ Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP04N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A | на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP04N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP04N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP04N60TXKSA1 - IGBT, 9.5 A, 1.5 V, 42 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 9.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 27nC Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Collector current: 4A | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP04N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns Switching Energy: 143µJ Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 42 W | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60T Код товару: 128955
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKP06N60T | INFINEON | MODULE | на замовлення 200094 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP06N60TXKSA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP08N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Bulk | на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP08N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP08N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP08N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 70 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP10N60T | Infineon | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP10N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP10N60T Код товару: 101238
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKP10N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP10N60TXKSA1 Код товару: 132883
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 62nC Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 319 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N60T | Infineon | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N60T | INFINEON | MODULE | на замовлення 100063 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N60TXKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 52.5W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Turn-off time: 166ns Turn-on time: 24ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP15N65F5XKSA1 Код товару: 213663
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKP15N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 105W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 105 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1718 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Power - Max: 105 W Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Gate Charge: 38 nC Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOPT Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 241ns Manufacturer series: H3 Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 31ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60T | INFINEON | MODULE | на замовлення 400170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60T Код товару: 84958
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V Напруга насичення Vce, V: 1,5 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 40 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 20 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 166 W Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 18/199 | у наявності: 61 шт
|
| |||||||||||||||
| IKP20N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60T | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60T | Infineon Technologies | Description: IKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Power - Max: 166 W Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Part Status: Active Gate Charge: 120 nC Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TA | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TA | Infineon Technologies | Description: IKP20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Gate Charge: 120 nC Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Power - Max: 156 W Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP20N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N65F5 | Infineon Technologies | Description: IKP20N65 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 21A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 21ns Gate charge: 48nC Turn-off time: 200ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]

