НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKP01N120H2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
товар відсутній
IKP01N120H2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/370ns
Switching Energy: 140µJ
Test Condition: 800V, 1A, 241Ohm, 15V
Gate Charge: 8.6 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3.5 A
Power - Max: 28 W
товар відсутній
IKP03N120H2Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKP03N120H2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товар відсутній
IKP03N120H2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP03N120H2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKP04N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP04N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.61 грн
10+ 80.11 грн
100+ 57.18 грн
500+ 48.57 грн
1000+ 39.5 грн
2500+ 37.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP04N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP04N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP04N60TXKSA1 - IGBT, 9.5 A, 1.5 V, 42 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9.5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.97 грн
10+ 108.37 грн
100+ 86.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP04N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns
Switching Energy: 143µJ
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 42 W
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.5 грн
10+ 82.29 грн
100+ 64.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP04N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP04N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.99 грн
10+ 79.68 грн
14+ 72.29 грн
37+ 68.18 грн
250+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP04N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.62 грн
10+ 66.4 грн
14+ 60.24 грн
37+ 56.82 грн
250+ 55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.11 грн
10+ 88.43 грн
100+ 61.71 грн
250+ 56.98 грн
500+ 51.72 грн
1000+ 44.29 грн
2500+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP06N60Tinfineon07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP06N60T
Код товару: 128955
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKP06N60TINFINEONMODULE
на замовлення 200094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP06N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP06N60TXKSA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.17 грн
10+ 89.94 грн
100+ 65.17 грн
500+ 54.97 грн
1000+ 41.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKP06N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
50+ 84.18 грн
100+ 66.7 грн
500+ 53.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP06N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKP06N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP06N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP06N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.08 грн
10+ 94.47 грн
100+ 64.8 грн
500+ 54.61 грн
1000+ 41.86 грн
5000+ 39.89 грн
10000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP06N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+127.66 грн
100+ 116.77 грн
123+ 95.2 грн
200+ 85.88 грн
500+ 79.26 грн
Мінімальне замовлення: 92
IKP08N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.64 грн
10+ 108.83 грн
100+ 74.92 грн
250+ 69.66 грн
500+ 62.96 грн
1000+ 54.15 грн
2500+ 51.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65F5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 332
IKP08N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP08N65F5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.41 грн
10+ 111.85 грн
100+ 77.55 грн
250+ 72.95 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 51.46 грн
5000+ 49.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65H5Infineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP08N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.28 грн
10+ 123.95 грн
100+ 85.43 грн
250+ 78.86 грн
500+ 71.63 грн
1000+ 61.12 грн
2500+ 58.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 645-654 дні (днів)
3+122.68 грн
10+ 106.56 грн
100+ 80.18 грн
250+ 75.58 грн
500+ 70.32 грн
1000+ 58.49 грн
5000+ 56.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP08N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
товар відсутній
IKP08N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP08N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60T
Код товару: 101238
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKP10N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.68 грн
10+ 100.52 грн
100+ 69.66 грн
250+ 64.21 грн
500+ 58.62 грн
1000+ 50.21 грн
2500+ 47.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+132.64 грн
96+ 121.83 грн
130+ 89.96 грн
Мінімальне замовлення: 88
IKP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.61 грн
10+ 77.09 грн
100+ 59.02 грн
250+ 58.23 грн
500+ 53.36 грн
1000+ 46.27 грн
2500+ 46.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.13 грн
10+ 84.04 грн
100+ 72.03 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 52.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.52 грн
10+ 120.79 грн
100+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP10N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.19 грн
50+ 85.34 грн
100+ 70.22 грн
500+ 55.76 грн
1000+ 47.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP10N60TXKSA1
Код товару: 132883
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKP15N60TInfineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP15N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
3+145.68 грн
10+ 115.63 грн
100+ 82.81 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 55.01 грн
5000+ 53.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TINFINEONMODULE
на замовлення 100063 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP15N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+148.63 грн
5+ 123.7 грн
11+ 92.83 грн
29+ 87.9 грн
500+ 84.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.75 грн
10+ 171.04 грн
25+ 154.08 грн
100+ 127.33 грн
500+ 94.16 грн
1000+ 82.15 грн
2500+ 78.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP15N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP15N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.86 грн
5+ 99.26 грн
11+ 77.36 грн
29+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKP15N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 30A 130W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
товар відсутній
IKP15N60TXKSA1Infineon30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKP15N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP15N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP15N65F5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
товар відсутній
IKP15N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP15N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP15N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP15N65F5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.78 грн
10+ 148.13 грн
100+ 104.49 грн
500+ 85.43 грн
1000+ 69.66 грн
2500+ 69.01 грн
5000+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N65F5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товар відсутній
IKP15N65F5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.36 грн
10+ 153.34 грн
100+ 123.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP15N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP15N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP15N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP15N65H5Infineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP15N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.78 грн
10+ 148.13 грн
100+ 104.49 грн
500+ 84.78 грн
1000+ 69.66 грн
2500+ 69.01 грн
5000+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP15N65H5XKSA1718Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
товар відсутній
IKP20N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.71 грн
10+ 145.86 грн
100+ 103.18 грн
500+ 87.41 грн
1000+ 68.35 грн
5000+ 67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+297.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKP20N60H3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+107.34 грн
114+ 102.54 грн
250+ 98.42 грн
500+ 91.48 грн
Мінімальне замовлення: 109
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 170W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N60H3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOPT
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.64 грн
10+ 150.4 грн
100+ 121.64 грн
500+ 96.52 грн
1000+ 73.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N60TInfineon TechnologiesDescription: IKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKP20N60TInfineon technologies
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP20N60T
Код товару: 84958
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності 12 шт:
3 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+140 грн
10+ 128 грн
IKP20N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.58 грн
10+ 156.44 грн
100+ 112.38 грн
500+ 92.66 грн
1000+ 74.26 грн
5000+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TINFINEONMODULE
на замовлення 400170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP20N60TInfineon40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKP20N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKP20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
IKP20N60TAHKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N60TAHKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKP20N60TAHKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N60TAHKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKP20N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP20N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKP20N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+282.21 грн
3+ 246.54 грн
6+ 180.73 грн
15+ 170.87 грн
IKP20N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+320.17 грн
Мінімальне замовлення: 37
IKP20N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP20N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.17 грн
10+ 154.82 грн
100+ 124.59 грн
500+ 100.63 грн
1000+ 80.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
3+ 197.84 грн
6+ 150.61 грн
15+ 142.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKP20N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IKP20N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
товар відсутній
IKP20N65F5Infineon TechnologiesDescription: IKP20N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
IKP20N65F5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.39 грн
10+ 150.61 грн
100+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 21A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP20N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 21A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP20N65F5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP20N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.95 грн
10+ 139.82 грн
100+ 104.49 грн
250+ 101.86 грн
500+ 90.69 грн
1000+ 79.52 грн
5000+ 76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP20N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.23 грн
10+ 171.04 грн
100+ 124.59 грн
500+ 106.79 грн
1000+ 81.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+215.86 грн
3+ 184.27 грн
7+ 152.8 грн
18+ 144.58 грн
50+ 143.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.58 грн
50+ 168.29 грн
100+ 139.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+236.52 грн
55+ 211.78 грн
100+ 193.96 грн
200+ 185.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+123.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns
Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.52 грн
50+ 147.28 грн
100+ 121.18 грн
500+ 96.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+224.62 грн
65+ 181.23 грн
100+ 149.72 грн
Мінімальне замовлення: 52
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.87 грн
7+ 127.33 грн
18+ 120.49 грн
50+ 119.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+120.59 грн
102+ 115.2 грн
250+ 110.58 грн
Мінімальне замовлення: 97
IKP28N65ES5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP28N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IKP28N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/184ns
Switching Energy: 530µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 28A, 34Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 130 W
товар відсутній
IKP28N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IKP28N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IKP28N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKP28N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.35 грн
10+ 184.41 грн
25+ 151.15 грн
100+ 129.47 грн
250+ 122.89 грн
500+ 103.84 грн
1000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP30N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.45 грн
10+ 197.26 грн
25+ 161.67 грн
100+ 138.67 грн
250+ 130.78 грн
500+ 121.58 грн
1000+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP30N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP30N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP30N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP30N65F5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Switching Energy: 280µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.67 грн
10+ 177.78 грн
100+ 143.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP30N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP30N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.71 грн
10+ 146.62 грн
25+ 119.61 грн
100+ 107.12 грн
250+ 105.81 грн
500+ 88.06 грн
1000+ 84.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 36A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+133.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+140.56 грн
10+ 139.15 грн
25+ 137.74 грн
50+ 120.87 грн
100+ 102.99 грн
250+ 97.84 грн
500+ 79.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP30N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.34 грн
10+ 179.89 грн
100+ 139.34 грн
500+ 115.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товар відсутній
IKP30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 36A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+130.44 грн
100+ 124.61 грн
250+ 119.61 грн
500+ 111.18 грн
1000+ 99.58 грн
2500+ 92.77 грн
Мінімальне замовлення: 90
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+160.12 грн
74+ 158.49 грн
82+ 137.64 грн
100+ 116.42 грн
250+ 110.64 грн
Мінімальне замовлення: 73
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+298.86 грн
44+ 268.18 грн
50+ 240.48 грн
100+ 211.85 грн
200+ 194.39 грн
500+ 166.25 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+150.13 грн
10+ 148.68 грн
25+ 147.17 грн
50+ 127.81 грн
100+ 108.11 грн
250+ 102.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+213.89 грн
10+ 187.27 грн
25+ 175.68 грн
100+ 151.17 грн
250+ 135.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+333.75 грн
42+ 283.3 грн
55+ 215.38 грн
100+ 206.76 грн
200+ 180.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.88 грн
10+ 204.81 грн
25+ 167.58 грн
100+ 143.92 грн
250+ 135.38 грн
500+ 126.84 грн
1000+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+161.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+232.94 грн
58+ 203.95 грн
61+ 191.33 грн
100+ 164.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
IKP39N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.51 грн
10+ 193.89 грн
100+ 165.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP39N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns
Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
50+ 173.17 грн
100+ 148.43 грн
500+ 123.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP40N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP40N65F5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.03 грн
10+ 218.96 грн
100+ 180.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP40N65F5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.85 грн
10+ 213.13 грн
25+ 174.81 грн
100+ 149.84 грн
250+ 141.95 грн
500+ 131.44 грн
1000+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65F5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.02 грн
50+ 180.52 грн
100+ 154.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP40N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Gate charge: 95nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 46A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
товар відсутній
IKP40N65F5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP40N65F5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Gate charge: 95nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 46A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP40N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKP40N65H5Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IKP40N65H5Infineon technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKP40N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKP40N65H5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.75 грн
10+ 260.24 грн
25+ 248.45 грн
100+ 204.69 грн
500+ 164.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP40N65H5XKSA1
Код товару: 186200
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Gate charge: 95nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 46A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+393.86 грн
35+ 333.5 грн
50+ 253.34 грн
100+ 243.34 грн
200+ 212.95 грн
500+ 179.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKP40N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Gate charge: 95nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 46A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+234.99 грн
61+ 190.96 грн
100+ 158.2 грн
500+ 146.28 грн
1000+ 118.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.05 грн
10+ 159.47 грн
25+ 130.12 грн
100+ 116.98 грн
250+ 115.01 грн
500+ 112.38 грн
1000+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+237.8 грн
10+ 193.24 грн
100+ 160.09 грн
500+ 148.02 грн
1000+ 119.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP40N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.35 грн
10+ 214.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKPL3FLUKEDescription: FLUKE - IKPL3 - ZANGENKIT, 3-TEILIG
Lieferumfang des Kits: 3-teiliger Zangensatz: Spitzzange, Seitenschneider, Kombizange & Tasche zum Aufrollen
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14985.02 грн