Продукція > IKP
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKP01N120H2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP01N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP01N120H2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 83 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 13ns/370ns Switching Energy: 140µJ Test Condition: 800V, 1A, 241Ohm, 15V Gate Charge: 8.6 nC Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 3.5 A Power - Max: 28 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP03N120H2 | Infineon Technologies | Description: IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP03N120H2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP03N120H2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP03N120H2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP04N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 4A | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP04N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/164ns Switching Energy: 143µJ Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 42 W | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 42000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP04N60TXKSA1 - IGBT, 9.5 A, 1.5 V, 42 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9.5A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60T | infineon | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP06N60T Код товару: 128955
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP06N60T | INFINEON | MODULE | на замовлення 200094 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP06N60TXKSA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 188ns Turn-on time: 15ns Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 188ns Turn-on time: 15ns Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Td (on/off) @ 25°C: 10ns/116ns Switching Energy: 70µJ (on), 20µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP08N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 22nC Manufacturer series: H5 Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Pulsed collector current: 24A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP08N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 22nC Manufacturer series: H5 Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Pulsed collector current: 24A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP08N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 70 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60T Код товару: 101238
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP10N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP10N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 Код товару: 132883
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60T | Infineon technologies | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP15N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A | на замовлення 999 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60T | INFINEON | MODULE | на замовлення 100063 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 52.5W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 38nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 166ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 52.5W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 38nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 166ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP15N65H5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 105 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 105W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 38nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 105W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 38nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP15N65H5XKSA1718 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP20N60H3XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOPT Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon technologies | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP20N60T Код товару: 84958
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 166 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199 | у наявності 37 шт: 25 шт - склад3 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
| |||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60T | INFINEON | MODULE | на замовлення 400170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60T | Infineon Technologies | Description: IKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TA | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TA | Infineon Technologies | Description: IKP20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP20N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65F5 | Infineon Technologies | Description: IKP20N65 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 200ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 48nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A | на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP20N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP28N65ES5 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 28A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/184ns Switching Energy: 530µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 28A, 34Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP28N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 38A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKP30N65F5XKSA1 THT IGBT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns Switching Energy: 280µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 65 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKP30N65H5 THT IGBT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP39N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 323500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP39N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.45 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 39A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/120ns Switching Energy: 800µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 39A, 12.8Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 20500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 Код товару: 186200
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO220-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKP40N65H5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKPL3 | FLUKE | Description: FLUKE - IKPL3 - ZANGENKIT, 3-TEILIG Lieferumfang des Kits: 3-teiliger Zangensatz: Spitzzange, Seitenschneider, Kombizange & Tasche zum Aufrollen Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|