Продукція > IPD

Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	32.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.22 грн
500+	43.43 грн
1000+	36.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.28 грн
10+	88.67 грн
100+	59.22 грн
500+	43.43 грн
1000+	36.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	72.66 грн
100+	48.76 грн
500+	36.16 грн
1000+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 1004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.46 грн
10+	78.58 грн
100+	45.67 грн
500+	36.12 грн
1000+	32.98 грн
2000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N03LF2SATMA1

Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.93 грн
10+	75.61 грн
100+	50.63 грн
500+	37.46 грн
1000+	34.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N03LF2SATMA1

Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD023N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.63 грн
10+	68.88 грн
100+	39.95 грн
500+	32.77 грн
1000+	29.70 грн
2000+	25.17 грн
4000+	23.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 2106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.29 грн
10+	77.12 грн
100+	51.73 грн
500+	38.34 грн
1000+	35.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.52 грн
10+	84.60 грн
100+	53.36 грн
500+	42.45 грн
1000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	35.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.36 грн
500+	42.45 грн
1000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD024N06N

MOSFETs 60V TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD024N06NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06N

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06N

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	185.70 грн
73+	178.63 грн
100+	172.57 грн
250+	161.35 грн
500+	145.34 грн
1000+	136.11 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06N

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 13330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.75 грн
10+	135.51 грн
100+	80.18 грн
500+	67.14 грн
1000+	62.33 грн
2500+	59.75 грн
5000+	57.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	240.78 грн
50+	156.99 грн
100+	109.00 грн
500+	84.60 грн
1000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 67500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.59 грн
500+	122.61 грн
1000+	112.93 грн
10000+	97.47 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	81.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	161.78 грн
5+	123.37 грн
50+	119.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.78 грн
5000+	54.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 7219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.75 грн
10+	128.29 грн
100+	80.18 грн
500+	67.14 грн
1000+	62.33 грн
2500+	57.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	191.88 грн
97+	134.23 грн
100+	131.65 грн
500+	97.08 грн
1000+	71.83 грн
2000+	64.55 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.49 грн
500+	83.09 грн
1000+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 5952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.59 грн
10+	125.54 грн
100+	86.42 грн
500+	65.42 грн
1000+	62.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.99 грн
10+	101.03 грн
100+	58.92 грн
500+	47.97 грн
1000+	45.67 грн
2000+	39.18 грн
4000+	39.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	59.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.99 грн
10+	103.31 грн
100+	74.67 грн
500+	56.42 грн
1000+	47.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.99 грн
10+	92.80 грн
25+	90.22 грн
100+	76.27 грн
250+	66.62 грн
500+	59.48 грн
1000+	47.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	86.61 грн
154+	84.20 грн
175+	73.83 грн
250+	67.15 грн
500+	57.83 грн
1000+	44.68 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 3162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.39 грн
10+	93.81 грн
100+	63.84 грн
500+	47.88 грн
1000+	46.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.67 грн
500+	56.42 грн
1000+	47.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	49.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.34 грн
10+	82.16 грн
100+	54.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.66 грн
10+	63.42 грн
100+	42.88 грн
500+	36.40 грн
1000+	31.03 грн
2000+	26.36 грн
10000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.87 грн
10+	60.43 грн
100+	46.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.48 грн
10+	58.84 грн
100+	39.05 грн
500+	28.68 грн
1000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.93 грн
10+	65.19 грн
100+	37.65 грн
500+	29.49 грн
1000+	26.84 грн
2000+	23.36 грн
4000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.60 грн
15+	57.43 грн
100+	43.60 грн
500+	34.29 грн
1000+	25.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.60 грн
500+	34.29 грн
1000+	25.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	50.61 грн
10+	42.47 грн
11+	39.87 грн
25+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5042 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.20 грн
10+	39.37 грн
100+	29.14 грн
500+	28.52 грн
2500+	25.03 грн
5000+	24.47 грн
10000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.52 грн
10+	69.94 грн
100+	46.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.11 грн
20+	38.03 грн
25+	37.65 грн
100+	31.03 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.03 грн
16+	52.39 грн
100+	44.58 грн
500+	40.56 грн
1000+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03M G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.68 грн
10+	173.19 грн
100+	119.92 грн
250+	110.86 грн
500+	100.40 грн
1000+	85.76 грн
2500+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	225.90 грн
60+	217.30 грн
100+	209.92 грн
250+	196.28 грн
500+	176.81 грн
1000+	165.58 грн
2500+	161.92 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.09 грн
5000+	65.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	92.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.58 грн
500+	89.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.56 грн
10+	99.99 грн
25+	98.42 грн
100+	93.40 грн
250+	85.08 грн
500+	80.33 грн
1000+	78.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	108.01 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	99.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.47 грн
50+	108.19 грн
100+	99.24 грн
500+	89.13 грн
1000+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 53836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.96 грн
10+	145.63 грн
100+	101.16 грн
500+	77.09 грн
1000+	75.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 436 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	175.34 грн
5+	134.28 грн
10+	121.69 грн
50+	101.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	133.85 грн
101+	127.86 грн
250+	122.73 грн
500+	114.08 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.16 грн
10+	138.71 грн
100+	99.01 грн
250+	96.92 грн
500+	84.37 грн
1000+	78.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	94.79 грн
139+	93.32 грн
141+	91.86 грн
143+	87.17 грн
250+	79.41 грн
500+	74.98 грн
1000+	73.72 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.00 грн
10+	131.43 грн
100+	90.66 грн
500+	68.70 грн
1000+	63.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.57 грн
10+	105.84 грн
100+	62.96 грн
500+	49.92 грн
1000+	45.81 грн
2500+	41.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	133.26 грн
102+	127.29 грн
250+	122.19 грн
500+	113.58 грн
1000+	101.73 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3G

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 642 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	158.17 грн
5+	116.66 грн
10+	103.23 грн
50+	77.21 грн
100+	76.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	102.35 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.22 грн
500+	64.20 грн
1000+	56.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.03 грн
5000+	41.43 грн
7500+	39.95 грн
12500+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	102.35 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.22 грн
5000+	53.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.04 грн
50+	126.08 грн
100+	86.22 грн
500+	64.20 грн
1000+	56.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.09 грн
5000+	49.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 29623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.23 грн
10+	98.35 грн
100+	66.85 грн
500+	50.07 грн
1000+	46.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD035N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04L G
Код товару: 166396

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04L G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.35 грн
5000+	27.17 грн
7500+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	113.58 грн
184+	70.47 грн
200+	67.63 грн
500+	51.77 грн
1000+	46.94 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.63 грн
500+	43.66 грн
1000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 16996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.50 грн
10+	76.59 грн
100+	51.26 грн
500+	37.93 грн
1000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

MOSFETs IFX FET 40V

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.46 грн
10+	77.94 грн
100+	45.18 грн
500+	35.63 грн
1000+	32.56 грн
2500+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.73 грн
50+	89.48 грн
100+	59.63 грн
500+	43.66 грн
1000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04N G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.94 грн
10+	105.04 грн
100+	61.78 грн
500+	51.73 грн
1000+	45.53 грн
2500+	42.18 грн
5000+	40.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3G

Description: IPD038N06N3G

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	148.13 грн
10+	132.12 грн
25+	125.39 грн
100+	90.68 грн
500+	71.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.31 грн
10+	96.00 грн
100+	65.43 грн
500+	49.12 грн
1000+	47.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 3814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	66.09 грн
100+	44.00 грн
500+	32.38 грн
1000+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 3702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.93 грн
10+	65.59 грн
100+	37.93 грн
500+	29.77 грн
1000+	27.19 грн
2000+	24.12 грн
4000+	22.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	29.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.87 грн
13+	63.61 грн
100+	42.05 грн
500+	32.18 грн
1000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.34 грн
10+	56.65 грн
100+	37.43 грн
500+	27.38 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.05 грн
500+	32.18 грн
1000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	38.07 грн
377+	34.29 грн
393+	32.87 грн
500+	29.56 грн
1000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 339

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.99 грн
10+	59.17 грн
100+	34.03 грн
500+	26.63 грн
1000+	24.19 грн
2000+	21.06 грн
4000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.97 грн
18+	43.20 грн
25+	40.79 грн
100+	35.43 грн
250+	31.44 грн
500+	28.15 грн
1000+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 2393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.83 грн
10+	59.82 грн
100+	39.66 грн
500+	29.07 грн
1000+	26.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	26.51 грн
29+	25.67 грн
100+	24.35 грн
250+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2349 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

6+	87.67 грн
10+	51.36 грн
100+	35.00 грн
500+	28.20 грн
1000+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.82 грн
10+	142.35 грн
100+	97.61 грн
500+	73.57 грн
1000+	64.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.12 грн
10+	115.11 грн
100+	79.11 грн
500+	60.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.96 грн
10+	121.07 грн
100+	73.21 грн
500+	59.13 грн
1000+	57.80 грн
2000+	50.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.61 грн
500+	73.57 грн
1000+	64.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3G

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.85 грн
500+	65.26 грн
1000+	55.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 5089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.72 грн
10+	101.74 грн
100+	69.29 грн
500+	51.97 грн
1000+	47.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	67.61 грн
5000+	66.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.97 грн
50+	125.27 грн
100+	87.85 грн
500+	65.26 грн
1000+	55.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	177.72 грн
78+	165.65 грн
100+	141.52 грн
200+	130.12 грн
500+	110.68 грн
1000+	90.08 грн
2000+	87.46 грн
2500+	86.42 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.85 грн
5000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 17998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	90.61 грн
25+	75.30 грн
100+	61.15 грн
250+	61.08 грн
500+	52.36 грн
1000+	52.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.10 грн
5000+	62.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

MOSFETs P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	116.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 1649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.84 грн
10+	137.02 грн
100+	95.15 грн
500+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.43 грн
10+	146.73 грн
100+	88.55 грн
500+	76.00 грн
1000+	74.60 грн
2500+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	306.53 грн
58+	222.64 грн
72+	179.62 грн
100+	171.13 грн
200+	157.49 грн
500+	127.22 грн
1000+	108.78 грн
2000+	105.10 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.48 грн
10+	55.25 грн
100+	31.52 грн
500+	24.26 грн
1000+	21.96 грн
2000+	19.38 грн
4000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 65W; DPAK,TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.79 грн
10+	48.79 грн
100+	32.11 грн
500+	23.40 грн
1000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	100.02 грн
136+	95.54 грн
250+	91.71 грн
500+	85.24 грн
1000+	76.36 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3G

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.70 грн
5000+	44.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.17 грн
5000+	33.34 грн
7500+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 5872 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	81.79 грн
100+	47.90 грн
500+	37.93 грн
1000+	35.00 грн
2500+	30.26 грн
5000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.59 грн
5000+	41.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8400 @ 30, Qg, нКл = 50, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт

на замовлення 55 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

2500+	53.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 9844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.35 грн
10+	81.58 грн
100+	54.89 грн
500+	40.78 грн
1000+	37.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	56.76 грн
250+	54.49 грн
500+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LBG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	57.95 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03L G

на замовлення 129200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03L G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.05 грн
10+	61.82 грн
100+	35.70 грн
500+	28.17 грн
1000+	26.22 грн
2500+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

5+	90.38 грн
11+	40.70 грн
100+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	51.80 грн
252+	51.28 грн
314+	41.15 грн
317+	39.28 грн
500+	31.51 грн
1000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	45.32 грн
100+	29.61 грн
500+	21.45 грн
1000+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.34 грн
500+	29.46 грн
1000+	26.98 грн
5000+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.24 грн
10+	45.54 грн
100+	29.77 грн
500+	24.96 грн
1000+	22.45 грн
2500+	20.43 грн
5000+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	64.81 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.63 грн
13+	66.62 грн
100+	46.20 грн
500+	33.46 грн
1000+	28.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.13 грн
14+	55.50 грн
25+	54.95 грн
100+	42.51 грн
250+	38.97 грн
500+	32.41 грн
1000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 4281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.76 грн
10+	62.24 грн
100+	41.26 грн
500+	30.29 грн
1000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	64.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.52 грн
500+	108.01 грн
1000+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	366.42 грн
56+	233.67 грн
69+	188.69 грн
100+	170.32 грн
200+	156.72 грн
500+	134.47 грн
1000+	125.07 грн
2000+	122.24 грн
2500+	121.30 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 6762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.56 грн
10+	137.11 грн
100+	85.06 грн
500+	71.12 грн
1000+	65.96 грн
2500+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	252.17 грн
50+	149.67 грн
100+	103.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	89.09 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.79 грн
10+	132.11 грн
100+	91.24 грн
500+	69.22 грн
1000+	66.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	55.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.60 грн
10+	125.27 грн
100+	86.22 грн
500+	63.68 грн
1000+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 3542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.98 грн
10+	113.00 грн
100+	77.38 грн
500+	58.31 грн
1000+	54.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.16 грн
10+	121.07 грн
100+	72.51 грн
500+	58.01 грн
1000+	53.97 грн
2000+	50.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.22 грн
500+	63.68 грн
1000+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.54 грн
10+	89.00 грн
100+	53.55 грн
500+	45.39 грн
1000+	39.25 грн
2500+	33.33 грн
5000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N3 G

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 23015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.54 грн
50+	89.48 грн
100+	60.68 грн
500+	44.72 грн
1000+	38.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

328+	39.47 грн

Мінімальне замовлення: 328

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 6381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.70 грн
10+	83.39 грн
100+	56.31 грн
500+	41.97 грн
1000+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 13658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.24 грн
10+	40.01 грн
100+	34.30 грн
500+	34.03 грн
1000+	33.68 грн
2500+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.26 грн
25+	45.80 грн
100+	41.76 грн
250+	38.28 грн
500+	36.62 грн
1000+	36.49 грн
3000+	36.37 грн
6000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 23015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.68 грн
500+	44.72 грн
1000+	38.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	48.94 грн
265+	48.83 грн
266+	48.61 грн
1000+	46.67 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	147.06 грн
92+	141.46 грн
100+	136.66 грн
250+	127.78 грн
500+	115.09 грн
1000+	107.79 грн
2500+	105.41 грн

Мінімальне замовлення: 88

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 11755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.48 грн
10+	79.23 грн
100+	78.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	95.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 15348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.55 грн
10+	112.25 грн
100+	87.85 грн
500+	69.72 грн
1000+	63.10 грн
5000+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	108.63 грн
134+	96.91 грн
138+	93.90 грн
200+	89.82 грн
500+	77.69 грн
1000+	71.36 грн
2000+	70.06 грн
2500+	69.42 грн

Мінімальне замовлення: 119

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	99.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.82 грн
10+	113.96 грн
25+	112.81 грн
100+	100.05 грн
250+	92.54 грн
500+	82.66 грн
1000+	72.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

на замовлення 47978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.61 грн
10+	135.51 грн
100+	86.46 грн
500+	73.91 грн
1000+	67.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	79.46 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.70 грн
10+	108.92 грн
100+	74.27 грн
500+	55.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.66 грн
500+	66.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.23 грн
10+	110.63 грн
100+	78.66 грн
500+	66.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.84 грн
10+	80.98 грн
100+	52.15 грн
500+	47.41 грн
1000+	46.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03L G E8177

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LG (Транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.46 грн
1078+	29.93 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	19.52 грн
46+	16.18 грн
47+	15.21 грн
100+	13.90 грн
250+	13.17 грн
500+	13.00 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.23 грн
5000+	22.18 грн
7500+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

447+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.11 грн
500+	25.68 грн
1000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.69 грн
5000+	23.52 грн
7500+	23.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 32652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.44 грн
10+	47.44 грн
100+	31.18 грн
500+	22.69 грн
1000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2392 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	56.04 грн
10+	45.82 грн
11+	41.71 грн
50+	32.65 грн
100+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.46 грн
1078+	29.93 грн
10000+	26.68 грн
100000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

877+	14.72 грн
889+	14.53 грн
900+	14.34 грн
912+	13.65 грн
1000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 877

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.81 грн
50+	68.65 грн
100+	44.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 6020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.41 грн
10+	52.44 грн
100+	29.98 грн
500+	23.29 грн
1000+	21.06 грн
2500+	17.36 грн
5000+	16.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.46 грн
1078+	29.93 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.46 грн
1078+	29.93 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.62 грн
5000+	17.43 грн
7500+	16.69 грн
12500+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGINCT

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	202.44 грн
67+	194.72 грн
100+	188.11 грн
250+	175.89 грн
500+	158.43 грн
1000+	148.37 грн
2500+	145.10 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.51 грн
10+	102.12 грн
100+	69.75 грн
500+	52.48 грн
1000+	51.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 8128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.79 грн
10+	66.92 грн
100+	66.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.77 грн
500+	64.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	61.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.56 грн
10+	78.02 грн
25+	77.24 грн
100+	71.12 грн
250+	63.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	79.86 грн
178+	72.82 грн
180+	72.09 грн
188+	66.38 грн
250+	58.95 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.73 грн
50+	79.64 грн
100+	70.77 грн
500+	64.28 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 32971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.59 грн
10+	94.61 грн
100+	62.33 грн
500+	57.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

на замовлення 157500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.64 грн
10+	54.08 грн
100+	35.78 грн
500+	26.20 грн
1000+	23.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.76 грн
50+	75.32 грн
100+	50.19 грн
500+	36.56 грн
1000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5668 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.85 грн
10+	61.58 грн
100+	38.14 грн
500+	30.40 грн
1000+	27.68 грн
2500+	24.75 грн
5000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

12+	35.42 грн
13+	34.75 грн
50+	32.48 грн
100+	31.05 грн
500+	29.54 грн
1000+	27.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 6851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.28 грн
10+	59.07 грн
100+	41.54 грн
500+	30.60 грн
1000+	27.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	47.78 грн
1000+	44.05 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.98 грн
5000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.60 грн
500+	37.46 грн
1000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.64 грн
5000+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.54 грн
5000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03L

INF

07+;

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA G

TO-252

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

на замовлення 25570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAGBUMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06P002NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P002NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P003NATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P003NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P003NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P004NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P004NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005LATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005LSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005NATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P007NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03L G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 8392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.51 грн
13+	24.78 грн
100+	20.15 грн
500+	17.14 грн
1000+	17.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.48 грн
14+	23.49 грн
100+	17.43 грн
500+	16.45 грн
2500+	16.25 грн
5000+	14.36 грн
10000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.80 грн
50+	29.12 грн
100+	25.30 грн
500+	21.30 грн
1000+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1
Код товару: 172911

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.39 грн
5000+	16.32 грн
7500+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

15+	30.73 грн
17+	25.51 грн
18+	23.67 грн
25+	21.57 грн
50+	20.06 грн
100+	19.30 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.30 грн
500+	21.30 грн
1000+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3 G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.22 грн
5000+	27.92 грн
7500+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.19 грн
10+	69.92 грн
100+	41.62 грн
500+	33.19 грн
1000+	30.47 грн
2500+	29.21 грн
5000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

280+	46.15 грн
288+	44.85 грн
1000+	43.14 грн
2500+	39.85 грн

Мінімальне замовлення: 280

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 9062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.52 грн
10+	69.94 грн
100+	46.73 грн
500+	34.49 грн
1000+	31.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Код товару: 82995

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 10037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.02 грн
10+	118.67 грн
100+	73.21 грн
500+	58.36 грн
1000+	53.76 грн
2500+	49.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.01 грн
500+	63.45 грн
1000+	58.29 грн
5000+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.76 грн
10+	171.10 грн
25+	168.38 грн
100+	136.34 грн
250+	123.31 грн
500+	97.12 грн
1000+	75.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	142.80 грн
5+	107.43 грн
10+	95.68 грн
50+	73.02 грн
100+	65.46 грн
250+	58.75 грн
500+	52.87 грн
1000+	50.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

на замовлення 14494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.75 грн
10+	82.97 грн
100+	71.01 грн
500+	63.45 грн
1000+	58.29 грн
5000+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 13807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.43 грн
10+	105.14 грн
100+	71.92 грн
500+	54.14 грн
1000+	53.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	175.25 грн
81+	159.69 грн
83+	157.15 грн
100+	127.25 грн
250+	115.09 грн
500+	90.65 грн
1000+	70.92 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N04L G

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N04LG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD088N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 22160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3G

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.32 грн
10+	63.52 грн
100+	42.37 грн
500+	31.24 грн
1000+	28.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3G

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LG

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IPD090N03LGATMA1; zamiennik dla IRLR8729TR; IPD090N03LG; IPD090N03LG-VB; HSU3004; HSU80N03; IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LG (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45566

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: /15

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.06 грн
500+	23.49 грн
1000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 93382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.52 грн
10+	45.09 грн
100+	29.45 грн
500+	21.35 грн
1000+	19.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.98 грн
5000+	17.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

на замовлення 4024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.28 грн
50+	30.75 грн
100+	28.06 грн
500+	23.49 грн
1000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.19 грн
28+	26.53 грн
43+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 92500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.94 грн
5000+	16.79 грн
7500+	16.06 грн
12500+	14.29 грн
17500+	13.83 грн
25000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.85 грн
5000+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	51.52 грн
12+	37.60 грн
50+	28.62 грн
100+	26.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2

на замовлення 7884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.36 грн
10+	35.52 грн
100+	24.33 грн
500+	19.94 грн
1000+	17.99 грн
2500+	14.22 грн
5000+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGBTMA1
Код товару: 163865

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3G

на замовлення 748 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.90 грн
10+	84.19 грн
100+	53.06 грн
500+	41.49 грн
1000+	38.14 грн
2500+	35.91 грн
5000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.57 грн
500+	45.62 грн
1000+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.83 грн
10+	81.34 грн
100+	58.57 грн
500+	45.62 грн
1000+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.50 грн
10+	76.97 грн
100+	51.81 грн
500+	38.51 грн
1000+	35.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N032AL-AP

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03L

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LAG

0825+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LAGBUMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LAP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG