Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD-C012SMDBJoymax ElectronicsDescription: ANT 2.4 CERAMIC PATCH 12X12 SMD
Qualification: AEC-Q200
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
RF Family/Standard: 802.15.4, Bluetooth, WiFi
Frequency (Center/Band): 2.45GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 0.157" (4.00mm)
Antenna Type: Ceramic Patch
VSWR: 3.1
Number of Bands: 1
Termination: Solder
Gain: 5.6dBi
Applications: 802.11b/g, Bluetooth, Thread, Zigbee™
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+188.76 грн
25+175.00 грн
100+153.09 грн
250+148.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD-C012SMDBJoymax ElectronicsDescription: ANT 2.4 CERAMIC PATCH 12X12 SMD
Qualification: AEC-Q200
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
RF Family/Standard: 802.15.4, Bluetooth, WiFi
Frequency (Center/Band): 2.45GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 0.157" (4.00mm)
Antenna Type: Ceramic Patch
VSWR: 3.1
Number of Bands: 1
Termination: Solder
Gain: 5.6dBi
Applications: 802.11b/g, Bluetooth, Thread, Zigbee™
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+149.17 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.92 грн
10+87.79 грн
100+58.63 грн
500+43.00 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.86 грн
10+99.24 грн
100+57.64 грн
500+45.56 грн
1000+37.07 грн
2000+33.00 грн
4000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.95 грн
100+48.28 грн
500+35.80 грн
1000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.63 грн
500+43.00 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+74.86 грн
100+50.13 грн
500+37.09 грн
1000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+68.20 грн
100+39.56 грн
500+32.45 грн
1000+29.41 грн
2000+24.92 грн
4000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.25 грн
10+83.76 грн
100+52.83 грн
500+42.03 грн
1000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.83 грн
500+42.03 грн
1000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.36 грн
100+51.22 грн
500+37.97 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD024N06NInfineon TechnologiesMOSFETs 60V TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD024N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NInfineon technologies
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
на замовлення 13294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+136.55 грн
100+81.46 грн
500+66.48 грн
1000+61.72 грн
2500+59.16 грн
5000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.95 грн
73+196.18 грн
100+189.53 грн
250+177.21 грн
500+159.62 грн
1000+149.49 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.48 грн
500+82.27 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.39 грн
10+166.63 грн
100+115.58 грн
500+88.00 грн
1000+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
10000+107.05 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+240.01 грн
50+145.78 грн
100+104.70 грн
500+80.77 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.18 грн
5+122.15 грн
50+118.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.74 грн
97+147.42 грн
100+144.58 грн
500+106.62 грн
1000+78.89 грн
2000+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+136.55 грн
100+81.46 грн
500+66.48 грн
1000+61.72 грн
2500+59.16 грн
5000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.22 грн
5000+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.89 грн
100+63.21 грн
500+47.40 грн
1000+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.89 грн
109+130.37 грн
156+91.15 грн
500+70.79 грн
1000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+86.30 грн
166+85.44 грн
203+69.89 грн
250+66.72 грн
500+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 139A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 2.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.47 грн
10+86.30 грн
25+85.44 грн
100+67.40 грн
250+61.78 грн
500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.10 грн
500+55.12 грн
1000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+116.70 грн
100+69.72 грн
500+58.89 грн
1000+52.12 грн
2000+49.36 грн
4000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.53 грн
4000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.94 грн
10+108.73 грн
100+74.10 грн
500+55.12 грн
1000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.53 грн
4000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+81.35 грн
100+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.88 грн
10+62.80 грн
100+42.46 грн
500+36.04 грн
1000+30.72 грн
2000+26.09 грн
10000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+59.83 грн
100+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.17 грн
500+33.95 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+58.26 грн
100+38.66 грн
500+28.39 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+64.54 грн
100+37.28 грн
500+29.20 грн
1000+26.58 грн
2000+23.13 грн
4000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
15+56.86 грн
100+43.17 грн
500+33.95 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03L G E8177Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGINFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.36 грн
16+51.87 грн
100+44.14 грн
500+40.16 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
10+38.98 грн
100+28.86 грн
500+28.23 грн
2500+24.78 грн
5000+24.23 грн
10000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.25 грн
100+46.28 грн
500+34.16 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.19 грн
20+38.98 грн
25+38.59 грн
100+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.11 грн
10+42.05 грн
11+39.47 грн
25+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03M GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+166.72 грн
100+104.93 грн
500+87.67 грн
1000+82.15 грн
2500+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+261.35 грн
57+251.39 грн
100+242.86 грн
250+227.08 грн
500+204.54 грн
1000+191.56 грн
2500+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 53836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.66 грн
10+144.19 грн
100+100.16 грн
500+76.32 грн
1000+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
50+144.17 грн
100+102.29 грн
500+80.77 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+166.72 грн
100+104.93 грн
500+87.67 грн
1000+82.15 грн
2500+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.07 грн
10+131.64 грн
25+130.32 грн
100+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.37 грн
5000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.07 грн
108+131.64 грн
109+130.32 грн
153+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.61 грн
5+132.95 грн
10+120.49 грн
50+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.29 грн
500+80.77 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.66 грн
76+188.94 грн
103+138.85 грн
500+112.16 грн
1000+102.81 грн
2500+95.05 грн
5000+84.47 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1InfineonMOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.13 грн
100+89.76 грн
500+68.02 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD033N06NATMA1Infineon TechnologiesPower Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+126.23 грн
100+74.56 грн
500+60.54 грн
1000+53.85 грн
2500+50.26 грн
5000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GInfineon technologies
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.33 грн
101+140.73 грн
250+135.09 грн
500+125.56 грн
1000+112.47 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.61 грн
5+115.50 грн
10+102.21 грн
50+76.45 грн
100+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.27 грн
50+106.31 грн
100+72.73 грн
500+53.55 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.18 грн
500+88.36 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 29623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.37 грн
100+66.19 грн
500+49.58 грн
1000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 8 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]