Продукція > IPD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPD 2131

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2132

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Red Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2133

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Green Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2545 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Hi-Eff. Red Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2547 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Green Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2548 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Yellow Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD WD 3P2,5 M20 BK

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, black, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

товар відсутній

IPD WD 3P2.5 M20 GY

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, light gray, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

товар відсутній

IPD WD 5P2,5 M25 GY

Phoenix Contact

1047344

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.72 грн
10+	67.15 грн
100+	52.23 грн
500+	41.55 грн
1000+	33.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.01 грн
10+	76.2 грн
100+	51.14 грн
500+	43.35 грн
1000+	37.03 грн
2000+	31.43 грн
10000+	31.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD024N06N

Infineon Technologies

MOSFET 60V TO-252

товар відсутній

IPD024N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD025N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 9441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.69 грн
10+	151.63 грн
100+	105.22 грн
250+	97.23 грн
500+	88.57 грн
1000+	79.91 грн
2500+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06N

Infineon technologies

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	76.91 грн
5000+	71.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 10147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.91 грн
10+	142.44 грн
100+	104.55 грн
250+	96.56 грн
500+	87.9 грн
1000+	75.25 грн
2500+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1971 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	199.91 грн
5+	171.16 грн
8+	134.85 грн
20+	128.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 167W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.05 грн
500+	82.6 грн
1000+	68.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 10441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.01 грн
10+	136.45 грн
100+	108.58 грн
500+	86.22 грн
1000+	73.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	251.01 грн

Мінімальне замовлення: 47

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.59 грн
5+	137.35 грн
8+	112.38 грн
20+	106.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.36 грн
10+	136.71 грн
25+	124.76 грн
100+	104.05 грн
500+	82.6 грн
1000+	68.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.58 грн
10+	103.5 грн
100+	83.21 грн
500+	64.16 грн
1000+	53.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

SP005588978

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.28 грн
10+	72.73 грн
25+	70.71 грн
100+	59.78 грн
250+	52.21 грн
500+	46.62 грн
1000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.32 грн
10+	90.37 грн
100+	62.53 грн
250+	57.67 грн
500+	52.34 грн
1000+	47.41 грн
2000+	41.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	78.33 грн
154+	76.15 грн
175+	66.76 грн
250+	60.72 грн
500+	52.29 грн
1000+	40.4 грн

Мінімальне замовлення: 150

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.67 грн
12+	63.05 грн
100+	49.08 грн
500+	38.98 грн
1000+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	60.58 грн
100+	40.96 грн
500+	34.76 грн
1000+	29.63 грн
2000+	25.17 грн
10000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.15 грн
10+	54.45 грн
100+	42.34 грн
500+	33.67 грн
1000+	27.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.08 грн
500+	38.98 грн
1000+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD031N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

3+	106.44 грн
10+	86.54 грн
100+	58.07 грн
500+	53.08 грн
1000+	46.15 грн
2500+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD031N03L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	76.09 грн
161+	72.62 грн
181+	64.79 грн
200+	60.08 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPD031N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD031N03LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

257+	45.55 грн
258+	45.3 грн
274+	42.7 грн
277+	40.76 грн
500+	37.05 грн
1000+	35.17 грн

Мінімальне замовлення: 257

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.33 грн
10+	52.38 грн
100+	40.29 грн
500+	38.69 грн
1000+	38.09 грн
2500+	37.69 грн
5000+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
13+	60.21 грн
100+	48.48 грн
500+	42.66 грн
1000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.66 грн
19+	43.02 грн
52+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.73 грн
5000+	42.38 грн
10000+	41.04 грн
12500+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	95.83 грн
134+	87.31 грн
165+	71.03 грн
200+	64.09 грн
1000+	52.53 грн
2000+	47.11 грн
5000+	45.83 грн
10000+	44.05 грн

Мінімальне замовлення: 122

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.71 грн
14+	42.3 грн
25+	42.07 грн
100+	38.23 грн
250+	35.04 грн
500+	33.03 грн
1000+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2660 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	85.16 грн
5+	74.34 грн
19+	51.63 грн
52+	48.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.09 грн
5000+	45.64 грн
10000+	44.2 грн
12500+	42.2 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 4271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.23 грн
10+	48.28 грн
100+	42.32 грн
500+	37.3 грн
1000+	36.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD031N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202 грн
10+	166.18 грн
100+	115.21 грн
250+	106.55 грн
500+	96.56 грн
1000+	87.24 грн
2500+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	208.86 грн
59+	200.91 грн
100+	194.09 грн
250+	181.48 грн
500+	163.47 грн
1000+	153.09 грн
2500+	149.71 грн

Мінімальне замовлення: 56

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.45 грн
10+	156.99 грн
100+	114.54 грн
250+	112.54 грн
500+	95.23 грн
1000+	77.91 грн
2500+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	207.35 грн
69+	171.62 грн
100+	142.89 грн
250+	136.29 грн
500+	106.08 грн
1000+	83.2 грн

Мінімальне замовлення: 57

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	83.27 грн
5000+	77.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	167.64 грн
5+	145.23 грн
9+	109.88 грн
25+	104.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	174.39 грн
10+	146.81 грн
25+	145.34 грн
100+	121.21 грн
250+	111.14 грн
500+	86.99 грн
1000+	62.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	353.19 грн
52+	225.2 грн
64+	182.55 грн
100+	164.55 грн
200+	151.48 грн
500+	129.26 грн
1000+	120.75 грн
2000+	117.35 грн
2500+	116.5 грн

Мінімальне замовлення: 34

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.53 грн
500+	100.58 грн
1000+	79.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 71124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.41 грн
10+	147.75 грн
100+	117.57 грн
500+	93.36 грн
1000+	79.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	73.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	67.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.15 грн
10+	162.11 грн
100+	119.53 грн
500+	100.58 грн
1000+	79.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.7 грн
5+	116.54 грн
9+	91.57 грн
25+	86.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.03 грн
10+	111.41 грн
100+	88.7 грн
500+	70.43 грн
1000+	59.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.42 грн
10+	104.92 грн
100+	72.59 грн
250+	70.59 грн
500+	60.53 грн
1000+	51.81 грн
2500+	49.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	109.74 грн
112+	104.83 грн
250+	100.63 грн
500+	93.53 грн
1000+	83.77 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPD034N06N3G

Infineon technologies

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.95 грн
10+	105.33 грн
100+	81.43 грн
500+	63.68 грн
1000+	53.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 11104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.42 грн
10+	93.86 грн
100+	74.68 грн
500+	59.3 грн
1000+	50.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	112.95 грн
5+	95.95 грн
12+	80.74 грн
33+	76.58 грн
500+	74.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.13 грн
5+	77 грн
12+	67.29 грн
33+	63.82 грн
500+	61.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.9 грн
5000+	49.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.43 грн
500+	63.68 грн
1000+	53.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	100.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD036N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD036N04L G
Код товару: 166396

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 7162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.78 грн
10+	82.71 грн
100+	55.47 грн
500+	47.02 грн
1000+	38.36 грн
2500+	35.96 грн
5000+	34.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.71 грн
5000+	35.5 грн
12500+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	92.57 грн
139+	84.32 грн
171+	68.65 грн
200+	61.89 грн
1000+	50.76 грн
2000+	45.49 грн

Мінімальне замовлення: 127

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 41783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.65 грн
10+	73.74 грн
100+	57.35 грн
500+	45.62 грн
1000+	37.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04N G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD038N04N G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N06N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD038N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 17489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.07 грн
10+	113.34 грн
100+	78.58 грн
250+	72.59 грн
500+	65.66 грн
1000+	56.54 грн
2500+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD038N06N3G

Infineon Technologies

Description: IPD038N06N3G

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	116.1 грн
10+	103.55 грн
25+	98.27 грн
100+	71.07 грн
500+	55.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 1233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.88 грн
100+	38.79 грн
500+	30.86 грн
1000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.38 грн
10+	56.21 грн
100+	38.02 грн
500+	32.23 грн
1000+	27.5 грн
2000+	23.37 грн
10000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD03N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 1037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.33 грн
10+	89.14 грн
100+	81 грн
500+	72.74 грн
1000+	72.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LAP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03NLBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD040N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.68 грн
10+	68.69 грн
100+	46.48 грн
500+	39.36 грн
1000+	33.63 грн
2500+	28.57 грн
10000+	28.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD040N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	98.85 грн
10+	97.9 грн
25+	96.96 грн
100+	92.58 грн
250+	84.87 грн
500+	80.67 грн
1000+	79.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	84.27 грн
5+	62.07 грн
22+	45.62 грн
58+	43.12 грн
500+	42.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	105.44 грн
112+	104.42 грн
113+	103.4 грн
250+	98.71 грн
500+	90.49 грн
1000+	85.98 грн

Мінімальне замовлення: 111

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.52 грн
10+	61.81 грн
100+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.22 грн
7+	49.81 грн
22+	38.01 грн
58+	35.93 грн
500+	35.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.77 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.4 грн
10+	116.41 грн
100+	80.58 грн
250+	74.58 грн
500+	67.26 грн
1000+	60.87 грн
2000+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.39 грн
10+	104.19 грн
100+	82.97 грн
500+	65.89 грн
1000+	55.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD042P03L3G

Infineon technologies

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	160.72 грн
78+	149.8 грн
100+	127.98 грн
200+	117.67 грн
500+	100.09 грн
1000+	81.46 грн
2000+	79.09 грн
2500+	78.15 грн

Мінімальне замовлення: 73

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS P3 Power-Transistor

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.78 грн
50+	106.08 грн
100+	92.63 грн
500+	72.84 грн
1000+	56.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 8577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.22 грн
10+	102.87 грн
100+	81.88 грн
500+	65.02 грн
1000+	55.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.07 грн
5000+	56.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 13864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.07 грн
10+	114.87 грн
100+	79.25 грн
500+	67.26 грн
1000+	56.87 грн
2500+	53.94 грн
5000+	52.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.99 грн
5000+	53.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.63 грн
500+	72.84 грн
1000+	56.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.99 грн
5000+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD046N08N5

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.02 грн
10+	147.8 грн
100+	102.55 грн
250+	98.56 грн
500+	85.91 грн
1000+	73.92 грн
2500+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.12 грн
10+	133.33 грн
100+	106.08 грн
500+	84.23 грн
1000+	71.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD048N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD048N06L3 G

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD048N06L3G

Infineon technologies

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPD048N06L3 G

товар відсутній

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.71 грн
5000+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.01 грн
10+	76.2 грн
100+	51.14 грн
500+	43.35 грн
1000+	35.36 грн
2500+	33.23 грн
5000+	31.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 6374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.44 грн
10+	68.05 грн
100+	52.9 грн
500+	42.08 грн
1000+	34.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.22 грн
10+	62.15 грн
25+	60.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD04N03L

03+

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA

0522+

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LAG

0522+

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.59 грн
100+	58.3 грн
500+	51.38 грн
1000+	50.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LBG

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD050N03L G

на замовлення 129200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD050N03L G

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD050N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.35 грн
10+	66.63 грн
100+	45.15 грн
500+	38.29 грн
1000+	31.17 грн
2500+	29.3 грн
5000+	27.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.29 грн
12+	48.21 грн
25+	47.72 грн
100+	40.67 грн
250+	37.28 грн
500+	32.22 грн
1000+	26.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.86 грн
500+	38.15 грн
1000+	27.92 грн
2500+	25.61 грн
5000+	25.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	39.89 грн
305+	38.3 грн
500+	36.91 грн
1000+	34.43 грн
2500+	30.94 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.48 грн
5000+	28.87 грн
12500+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.87 грн
5000+	29.01 грн
10000+	28.51 грн
12500+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.6 грн
13+	61.78 грн
100+	48.86 грн
500+	38.15 грн
1000+	27.92 грн
2500+	25.61 грн
5000+	25.1 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	50.93 грн
100+	37.16 грн
500+	33.7 грн
1000+	28.9 грн
2500+	27.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.06 грн
5000+	29.2 грн
10000+	28.7 грн
12500+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

225+	51.92 грн
228+	51.39 грн
257+	45.42 грн
260+	43.36 грн
500+	36.14 грн
1000+	28.56 грн

Мінімальне замовлення: 225

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 13852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.64 грн
10+	59.93 грн
100+	46.64 грн
500+	37.1 грн
1000+	30.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	83.18 грн
5000+	77.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.57 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.77 грн
500+	99.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.39 грн
10+	159.87 грн
100+	121.77 грн
500+	99.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 5073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.41 грн
10+	147.62 грн
100+	117.44 грн
500+	93.25 грн
1000+	79.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 12919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.45 грн
10+	160.06 грн
100+	113.87 грн
250+	111.21 грн
500+	96.56 грн
1000+	81.91 грн
2500+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	331.36 грн
56+	211.31 грн
69+	170.64 грн
100+	154.03 грн
200+	141.73 грн
500+	121.61 грн
1000+	113.1 грн
2000+	110.55 грн
2500+	109.69 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Infineon

товар відсутній

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

3+	139.07 грн
10+	114.11 грн
100+	78.58 грн
250+	73.25 грн
500+	66.26 грн
1000+	59.67 грн
2000+	51.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	88.84 грн
100+	60.13 грн
500+	50.94 грн
1000+	43.55 грн
2500+	36.96 грн
10000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06N3GXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.48 грн
10+	62.56 грн
25+	62.12 грн
100+	50.56 грн
250+	45.56 грн
500+	39.04 грн
1000+	35.39 грн
3000+	34.59 грн
6000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	99.21 грн
129+	90.48 грн
159+	73.61 грн
200+	66.4 грн
500+	61.3 грн
1000+	52.3 грн
2000+	48.81 грн
2500+	48.64 грн

Мінімальне замовлення: 118

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 6883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн
10+	79.15 грн
100+	61.55 грн
500+	48.96 грн
1000+	39.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 17943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	63.95 грн
100+	45.95 грн
500+	40.82 грн
1000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.38 грн
175+	66.89 грн
207+	56.47 грн
250+	52.99 грн
500+	43.8 грн
1000+	38.12 грн
3000+	37.25 грн
6000+	35.87 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.8 грн
14+	54.61 грн
100+	40.34 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD053N08N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	132.99 грн
92+	127.92 грн
100+	123.58 грн
250+	115.55 грн
500+	104.08 грн
1000+	97.48 грн
2500+	95.32 грн

Мінімальне замовлення: 88

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm

на замовлення 21764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.4 грн
10+	118.78 грн
100+	98.61 грн
500+	81.85 грн
1000+	67.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	70.23 грн
5000+	68.89 грн
10000+	51.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	96.76 грн
10+	90.17 грн
25+	89.27 грн
100+	77.95 грн
250+	71.45 грн
500+	64.91 грн
1000+	58.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	104.2 грн
121+	97.1 грн
122+	96.14 грн
135+	83.95 грн
250+	76.95 грн
500+	69.9 грн
1000+	63.2 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 15322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.45 грн
10+	137 грн
100+	109.03 грн
500+	86.58 грн
1000+	73.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.04 грн
5000+	63.8 грн
10000+	47.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 387500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	90.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	77.23 грн
5000+	71.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 64402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.07 грн
10+	117.94 грн
100+	86.57 грн
250+	85.91 грн
500+	77.25 грн
1000+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N08N3GATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	103.1 грн
128+	91.82 грн
133+	88.32 грн
200+	84.97 грн
500+	73.3 грн
1000+	67.36 грн
2000+	66.2 грн
2500+	66.12 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.53 грн
10+	101.09 грн
100+	69.92 грн
250+	64.4 грн
500+	58.47 грн
1000+	52.94 грн
2000+	46.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.1 грн
10+	90.66 грн
100+	72.15 грн
500+	57.29 грн
1000+	48.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.24 грн
500+	60.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.21 грн
10+	101.6 грн
100+	72.24 грн
500+	60.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD05N03

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

товар відсутній

IPD05N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD060N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPD060N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD060N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LG (Транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.23 грн
10+	37.25 грн
11+	33.09 грн
28+	28.79 грн
77+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.44 грн
12+	66.34 грн
100+	47.96 грн
500+	36.7 грн
1000+	26.77 грн
2500+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.79 грн
10+	71.84 грн
25+	70.51 грн
100+	54.48 грн
250+	48.5 грн
500+	38.28 грн
1000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

151+	77.37 грн
154+	75.94 грн
192+	60.84 грн
250+	56.41 грн
500+	42.94 грн
1000+	38.1 грн

Мінімальне замовлення: 151

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 1342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	49.95 грн
100+	38.88 грн
500+	30.93 грн
1000+	25.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 132 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.68 грн
6+	46.42 грн
10+	39.71 грн
28+	34.55 грн
77+	32.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 4159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.63 грн
10+	45.72 грн
100+	32.3 грн
500+	27.97 грн
1000+	24.97 грн
5000+	23.24 грн
10000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LGINCT

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPD068N10N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 40531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.81 грн
10+	142.44 грн
100+	104.55 грн
250+	103.22 грн
500+	89.24 грн
1000+	73.25 грн
2500+	71.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	209.87 грн
63+	186.02 грн
100+	143.72 грн
250+	131.73 грн
500+	103.45 грн

Мінімальне замовлення: 56

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 11252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.49 грн
10+	140.82 грн
100+	112.06 грн
500+	88.99 грн
1000+	75.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.37 грн
5000+	73.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	194.88 грн
10+	174.44 грн
25+	172.73 грн
100+	133.45 грн
250+	122.32 грн
500+	96.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.28 грн
10+	163.6 грн
100+	131.48 грн
500+	100.58 грн
1000+	76.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD068N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD068P03L3 G

на замовлення 157500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD068P03L3G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 6755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	66.32 грн
100+	51.55 грн
500+	41.01 грн
1000+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.95 грн
500+	44.05 грн
1000+	33.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 9866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	74.06 грн
100+	49.88 грн
500+	42.29 грн
1000+	34.43 грн
2500+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Single P-Channel Power Transistor

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	90.17 грн
143+	81.9 грн
170+	68.67 грн
200+	62.65 грн
500+	52.2 грн
1000+	42.11 грн
2500+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.8 грн
5000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.95 грн
50+	66.49 грн
100+	55.95 грн
500+	44.05 грн
1000+	33.1 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.67 грн
13+	46.61 грн
25+	46.4 грн
100+	39.44 грн
250+	36.32 грн
500+	31.76 грн
1000+	26.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	50.2 грн
234+	49.97 грн
266+	44.04 грн
267+	42.24 грн
500+	35.63 грн
1000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 233

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

03+

на замовлення 4077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

07+;

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

TO252

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

0426+

на замовлення 5579 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

07+;

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LA G

TO-252

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

на замовлення 25570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

611+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 611

IPD06N03LAG

TO-252 10+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06P002NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P002NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P003NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P003NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

товар відсутній

IPD06P004NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P004NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P005LATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P005LSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P005NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

товар відсутній

IPD06P007NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD075N03L G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD075N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD075N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1
Код товару: 172911

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.7 грн
9+	41.83 грн
11+	33.57 грн
30+	27.68 грн
81+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	89.65 грн
5+	52.13 грн
10+	40.29 грн
30+	33.21 грн
81+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.23 грн
10+	35.3 грн
100+	25.24 грн
500+	23.77 грн
1000+	21.18 грн
2500+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 18379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.1 грн
10+	34.27 грн
100+	28.43 грн
500+	24.42 грн
1000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.05 грн
5000+	22.92 грн
12500+	22.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3 G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD079N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 8555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	55.43 грн
100+	43.11 грн
500+	34.29 грн
1000+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	61.57 грн
100+	41.75 грн
500+	35.36 грн
1000+	28.77 грн
2500+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.1 грн
5000+	26.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

SP005559925

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.15 грн
11+	74.48 грн
100+	53.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD082N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Код товару: 82995

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.58 грн
5000+	56.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.62 грн
10+	111.04 грн
100+	81.24 грн
250+	78.58 грн
500+	69.26 грн
1000+	58.67 грн
2500+	56.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	158.48 грн
81+	144.41 грн
83+	142.12 грн
100+	115.08 грн
250+	104.08 грн
500+	81.98 грн
1000+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.27 грн
500+	92.26 грн
1000+	70.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 28646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.71 грн
10+	107.45 грн
100+	85.53 грн
500+	67.92 грн
1000+	57.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	147.16 грн
10+	134.1 грн
25+	131.96 грн
100+	106.86 грн
250+	96.65 грн
500+	76.12 грн
1000+	59.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.51 грн
10+	149.41 грн
100+	120.27 грн
500+	92.26 грн
1000+	70.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD088N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD088N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD088N04LG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 22160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPD090N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD090N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD090N03LG

N-MOSFET 30V 40A 42W 9mΩ IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPD090N03LG (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45566

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: /15

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2

на замовлення 34468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.88 грн
10+	42.27 грн
100+	26.37 грн
500+	21.71 грн
1000+	20.24 грн
2500+	17.65 грн
5000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 92324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.43 грн
10+	42.45 грн
100+	29.39 грн
500+	23.05 грн
1000+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 91305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.33 грн
5000+	17.63 грн
12500+	16.33 грн
25000+	15.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.45 грн
500+	24.76 грн
1000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.79 грн
16+	49.53 грн
100+	31.45 грн
500+	24.76 грн
1000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.98 грн
15+	40.4 грн
25+	34.27 грн
100+	29.4 грн
250+	25.83 грн
500+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	36.91 грн
356+	32.84 грн
375+	31.16 грн
607+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 317

IPD090N03LGBTMA1
Код товару: 163865

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD096N08N3G

Infineon technologies

на замовлення 748 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.12 грн
10+	76.58 грн
100+	52.01 грн
500+	44.95 грн
1000+	36.63 грн
2500+	34.5 грн
5000+	32.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.61 грн
500+	46.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.05 грн
10+	70.62 грн
100+	54.9 грн
500+	43.67 грн
1000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.57 грн
10+	80.68 грн
100+	59.61 грн
500+	46.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD096N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD09N032AL-AP

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03L

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

0424+

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LAG

0825+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD09N03LAP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LBG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPD09N03LBG

0521+

на замовлення 4304 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD1-02-D

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.96 грн
10+	65.21 грн
25+	62.57 грн
50+	57.47 грн
100+	54.97 грн
250+	49.97 грн
500+	44.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товар відсутній

IPD1-02-D-K

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	54.25 грн
25+	52.05 грн
50+	47.81 грн
100+	45.73 грн
250+	41.58 грн
500+	36.8 грн
1000+	32.71 грн
2500+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-02-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 24138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.8 грн
10+	69.77 грн
100+	52.28 грн
500+	42.75 грн
1000+	38.09 грн
2500+	34.43 грн
5000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-D-K

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.12 грн
100+	145.51 грн
500+	107.22 грн
1000+	91.23 грн
2500+	83.91 грн
5000+	81.91 грн
10000+	79.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-02-D-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-D-M

Conn Housing RCP 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-P-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	38.73 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPD1-02-S

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.48 грн
10+	60.21 грн
100+	54.09 грн
1000+	36.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-S

Description: SAMTEC - IPD1-02-S - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.1 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 38051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	73.92 грн

Мінімальне замовлення: 158

IPD1-02-S-K

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 11358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	67.55 грн
100+	50.61 грн
500+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-S-K

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 11777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	54.25 грн
25+	52.05 грн
50+	47.81 грн
100+	45.73 грн
250+	41.58 грн
500+	36.8 грн
1000+	32.71 грн
2500+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-02-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 2Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.3 грн
50+	43.25 грн
100+	37.13 грн
250+	32.26 грн
500+	27.66 грн
1500+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 38051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	75.82 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	253.9 грн

Мінімальне замовлення: 46

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-02-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-S-K..

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K.. - Steckverbindergehäuse, Single Row, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm, CC79 Series Socket Crimp Contacts
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: CC79 Series Socket Crimp Contacts
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

IPD1-02-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.24 грн
10+	74.21 грн
100+	55.61 грн
500+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-D

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	54.25 грн
25+	52.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-03-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.8 грн
10+	69.77 грн
100+	52.28 грн
500+	42.75 грн
1000+	38.09 грн
2500+	34.43 грн
5000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-K

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 9025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	54.25 грн
25+	52.05 грн
50+	47.81 грн
100+	45.73 грн
250+	41.58 грн
500+	36.8 грн
1000+	32.71 грн
2500+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-03-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 65554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.93 грн
10+	47.4 грн
100+	36.63 грн
500+	29.57 грн
1000+	27.24 грн
2500+	26.97 грн
10000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-03-D-K

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.3 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-03-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.52 грн
10+	298.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-03-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.12 грн
10+	370.66 грн
100+	269.04 грн
500+	228.42 грн
1000+	194.45 грн
2500+	178.47 грн
5000+	175.14 грн

IPD1-03-D-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-K-M

Description: CONN RECEPT .100" 6POS

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-03-D-K-M
Код товару: 130196

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

IPD1-03-D-K-R

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Conn Housing RCP 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Conn Housing 6 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-S

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-03-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.64 грн
10+	61.74 грн
25+	59.21 грн
50+	54.4 грн
100+	52.03 грн
250+	47.3 грн
500+	41.87 грн
1000+	37.22 грн
2500+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 4892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.8 грн
10+	69.77 грн
100+	52.28 грн
500+	42.75 грн
1000+	38.09 грн
2500+	34.43 грн
5000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 3 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 3-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.94 грн
50+	64.92 грн
100+	57.9 грн
250+	48.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.12 грн
10+	370.66 грн
100+	269.04 грн
500+	228.42 грн
1000+	194.45 грн
2500+	178.47 грн
5000+	175.14 грн

IPD1-03-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.27 грн
10+	323.6 грн
25+	306.55 грн
50+	280.98 грн
100+	267.6 грн
250+	234.15 грн
500+	223.73 грн

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S-P

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-04-D

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D

Description: SAMTEC - IPD1-04-D - Steckverbindergehäuse, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D-K

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 2621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	54.25 грн
25+	52.05 грн
50+	47.81 грн
100+	45.73 грн
250+	41.58 грн
500+	36.8 грн
1000+	32.71 грн
2500+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-04-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 11409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	67.55 грн
100+	50.61 грн
500+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-04-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.7 грн
50+	67.61 грн
100+	60.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-04-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-04-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-S

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 5455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	67.55 грн
100+	50.61 грн
500+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-04-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.94 грн
50+	64.92 грн
100+	57.9 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-04-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.83 грн
10+	322.22 грн
25+	305.19 грн
50+	279.73 грн
100+	266.41 грн

IPD1-04-S-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm, Samtech Mini Mate IPD1 Series Socket Contacts
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-04-S-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-04-S-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-04-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-05-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	67.55 грн
100+	50.61 грн
500+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 55955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.76 грн
10+	59.45 грн
25+	57.05 грн
50+	52.39 грн
100+	50.11 грн
250+	45.56 грн
500+	40.33 грн
1000+	35.85 грн
2500+	32.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D

Description: SAMTEC - IPD1-05-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.56 грн
50+	55.88 грн
100+	50.13 грн
250+	42.31 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD1-05-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.08 грн
50+	43.48 грн
100+	37.88 грн
250+	33.64 грн
500+	29.58 грн
1500+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-05-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 26341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.47 грн
10+	67.55 грн
100+	50.61 грн
500+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 12122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.63 грн
10+	46.89 грн
25+	45.03 грн
50+	41.35 грн
100+	39.56 грн
250+	35.97 грн
500+	31.84 грн
1000+	28.3 грн
2500+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-05-D-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.21 грн
1000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-05-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-05-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.14 грн
10+	162.86 грн
100+	132.97 грн
250+	101.97 грн
500+	74.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D-M

Conn Housing RCP 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-05-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.04 грн
50+	215.2 грн
100+	173.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-05-D-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.9 грн
10+	315.7 грн
100+	278.19 грн
1000+	189.28 грн

IPD1-05-D-P

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-05-S

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-S-K

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 33488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.48 грн
10+	59.66 грн
100+	53.59 грн
1000+	36.57 грн
5000+	32 грн
10000+	30.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.52 грн
10+	132.15 грн
25+	123.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-05-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" MINI MATE DISCRETE WIRE SOCKET HOUSING

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-05-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-06-D

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.61 грн
10+	66.78 грн
100+	50.08 грн
500+	40.96 грн
1000+	36.43 грн
2500+	32.96 грн
5000+	31.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-D-K

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

на замовлення 2588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 8975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.61 грн
10+	66.78 грн
100+	50.08 грн
500+	40.96 грн
1000+	36.43 грн
2500+	32.96 грн
5000+	31.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.55 грн
50+	67.23 грн
100+	59.84 грн
250+	50.5 грн
500+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-06-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K-M

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-06-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.9 грн
10+	315.7 грн
25+	299.06 грн
50+	274.12 грн
100+	261.07 грн
250+	228.44 грн
500+	218.27 грн
1000+	186.17 грн

IPD1-06-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317.76 грн
10+	271.1 грн
100+	207.77 грн
250+	199.11 грн
500+	193.79 грн
1000+	170.48 грн
5000+	167.82 грн

IPD1-06-D-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.99 грн

IPD1-06-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-06-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 3696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.08 грн
10+	56.98 грн
100+	44.42 грн
500+	39.69 грн
1000+	32.16 грн
2500+	30.97 грн
10000+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-S-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.01 грн
5+	140.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-06-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-06-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-06-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-07-D

Description: SAMTEC - IPD1-07-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 14-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.6 грн
10+	81.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD1-07-D

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн
10+	84.28 грн
100+	75.31 грн
1000+	50.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-07-D

Supercapacitors / Ultracapacitors 100F 2.7V +30% / -10% tol

товар відсутній

IPD1-07-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-07-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 14
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.08 грн
10+	99.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.16 грн
10+	70.62 грн
100+	63.4 грн
1000+	43.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.32 грн
10+	104.92 грн
100+	77.91 грн
500+	65.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.01 грн
112+	215.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	386.83 грн
10+	338.73 грн
25+	320.79 грн
50+	294.05 грн
100+	280.04 грн
250+	245.04 грн

IPD1-07-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-07-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 7POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 7
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-08-D

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-08-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 12514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.6 грн
10+	47.56 грн
100+	35.96 грн
500+	32.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-08-D-K

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.92 грн
10+	61.04 грн
25+	58.55 грн
50+	53.77 грн
100+	51.44 грн
250+	46.76 грн
500+	41.39 грн
1000+	36.79 грн
2500+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.84 грн
50+	41.31 грн
100+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-08-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-08-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.02 грн
10+	313.2 грн
25+	296.65 грн
50+	271.91 грн
100+	258.96 грн
250+	226.59 грн
500+	216.51 грн
1000+	184.67 грн
2500+	171.93 грн

IPD1-08-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.11 грн
10+	359.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-08-D-K-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-D-P-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.35 грн
10+	70.84 грн
100+	53.08 грн
500+	43.42 грн
1000+	38.62 грн
2500+	34.96 грн
5000+	33.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-08-S

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	54.53 грн
100+	41.29 грн
500+	39.76 грн
1000+	38.62 грн
2500+	34.96 грн
5000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-08-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-S-K-M

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	390.02 грн
10+	369.89 грн
100+	263.04 грн
500+	225.09 грн
1000+	193.79 грн
2500+	177.8 грн
5000+	173.81 грн

IPD1-08-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-08-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-S-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-09-D-K

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.22 грн
10+	92.19 грн
25+	88.29 грн
50+	81.01 грн
100+	77.33 грн
250+	69.96 грн
500+	63.38 грн
1000+	54.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-09-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-09-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 9POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 9
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-10-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-10-D

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.92 грн
10+	61.04 грн
25+	58.55 грн
50+	53.77 грн
100+	51.44 грн
250+	46.76 грн
500+	41.39 грн
1000+	36.79 грн
2500+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

на замовлення 1637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	85.28 грн

Мінімальне замовлення: 137

IPD1-10-D

Description: SAMTEC - IPD1-10-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.79 грн
50+	65.96 грн
100+	60.14 грн
250+	50.78 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-10-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	49.11 грн
100+	44.12 грн
1000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.39 грн
11+	70.52 грн
100+	57 грн
500+	46.41 грн
1000+	36.37 грн
2500+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	90.15 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPD1-10-D-K

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	330.78 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPD1-10-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.53 грн
10+	291.42 грн
25+	276.06 грн
50+	253.04 грн
100+	240.99 грн
250+	210.86 грн
500+	201.48 грн

IPD1-10-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.04 грн
10+	348.45 грн
100+	253.06 грн
500+	214.43 грн

IPD1-10-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-K..

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K.. - Steckverbindergehäuse, Dual Row, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79

товар відсутній

IPD1-10-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	419.54 грн
10+	397.46 грн
100+	287.68 грн
500+	244.4 грн

IPD1-10-D-M

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	303.27 грн
10+	265.33 грн
25+	251.36 грн

IPD1-10-D-P

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-P - CONNECTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-D-P-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-10-S

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	85.28 грн

Мінімальне замовлення: 137

IPD1-10-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.39 грн
11+	73.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-10-S-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.24 грн
10+	64.58 грн
25+	61.93 грн
50+	56.88 грн
100+	54.41 грн
250+	49.47 грн
500+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	76.2 грн
100+	57.07 грн
500+	46.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-K-M

Headers & Wire Housings

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.19 грн
10+	217.49 грн
100+	157.16 грн
500+	133.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-10-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-10-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-S-P

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-103-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-11-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-11-D-K

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-11-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-11-D-K-M

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-11-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-11-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-11-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 11POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 11
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 3939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.13 грн
10+	71.6 грн
100+	53.67 грн
500+	43.89 грн
1000+	39.09 грн
2500+	35.36 грн
5000+	34.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-12-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K-M

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-12-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	419.54 грн
10+	397.46 грн
102+	287.68 грн
510+	244.4 грн

IPD1-12-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-12-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-12-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-13-D

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	102.62 грн
100+	73.92 грн
500+	61.73 грн
1000+	52.88 грн
2500+	48.95 грн
5000+	46.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	89.6 грн
100+	67.26 грн
500+	61.73 грн
1000+	50.34 грн
2500+	47.88 грн
5000+	46.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K

Description: CONN RCPT HSG 26POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 26
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.89 грн
10+	88.86 грн
25+	85.05 грн
50+	78.04 грн
100+	74.49 грн
250+	67.4 грн
500+	61.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	422.65 грн
10+	400.53 грн
105+	266.37 грн
255+	259.71 грн
510+	239.74 грн
1005+	209.77 грн
2505+	192.46 грн

IPD1-13-D-K-M

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 13POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 13
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-14-D-K

Description: CONN RCPT HSG 28POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 28
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.73 грн
10+	87.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-14-D-K

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-14-D-K-M

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-14-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-14-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-14-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-15-D

Description: CONN RCPT 30POS .100" DUAL

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-15-D

Description: SAMTEC - IPD1-15-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85389099
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.65 грн
15+	50.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-15-D-K

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-15-D-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.44 грн
10+	69.99 грн
25+	67.15 грн
50+	61.65 грн
100+	58.97 грн
250+	53.61 грн
500+	47.46 грн
1000+	42.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-15-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-15-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.33 грн
50+	60.66 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-15-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	135.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-15-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 30POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 30
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.9 грн
10+	315.42 грн
25+	298.76 грн
50+	273.86 грн
100+	260.81 грн
250+	228.22 грн
500+	218.06 грн
1000+	185.99 грн
2500+	173.16 грн

IPD1-15-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-15-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-15-D-P-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-15-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-15-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-15-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 15 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 15-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-15-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-15-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-15-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 15POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 15
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-16-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.34 грн
100+	137.08 грн
500+	99.22 грн
1000+	84.57 грн
2500+	78.58 грн
5000+	75.25 грн
10000+	73.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-M

Headers & Wire Housings

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-K

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.96 грн
10+	138.11 грн
25+	132.22 грн
50+	121.32 грн
100+	115.81 грн
250+	104.78 грн
500+	94.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	205.35 грн

Мінімальне замовлення: 57

IPD1-16-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 5844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.02 грн
10+	145.51 грн
100+	109.21 грн
500+	100.56 грн
1000+	83.91 грн
2500+	79.91 грн
5000+	77.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-16-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 32 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 32-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-16-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.93 грн
12+	441.12 грн
108+	316.32 грн
252+	296.34 грн
504+	266.37 грн
1008+	233.08 грн
2508+	221.09 грн

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.9 грн
10+	372.85 грн
25+	352.25 грн
50+	322.5 грн

IPD1-16-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.68 грн
10+	72.68 грн
100+	54.41 грн
500+	44.55 грн
1000+	39.62 грн
2500+	35.83 грн
5000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-16-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.93 грн
12+	441.12 грн
108+	289.02 грн
252+	281.69 грн
504+	265.04 грн
1008+	233.08 грн
2508+	221.09 грн

IPD1-16-D-M

Conn Housing RCP 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate®

товар відсутній

IPD1-16-D-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.9 грн
10+	372.85 грн
25+	352.25 грн

IPD1-16-D-P

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-S-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-16-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-16-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-17-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-17-S-K

Conn Housing F 17 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-17-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-17-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 17POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 17
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-18-D-K

Description: CONN RCPT HSG 36POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.97 грн
10+	153.1 грн
25+	146.62 грн
50+	134.52 грн
100+	128.41 грн
250+	116.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-18-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.22 грн
100+	140.15 грн
500+	101.22 грн
1000+	87.24 грн
2500+	80.58 грн
5000+	77.25 грн
10000+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-18-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-18-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-18-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-18-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-19-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-19-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 19POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-D

Description: CONN RECEPT .100" 40POS

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-20-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.33 грн
100+	141.68 грн
500+	102.55 грн
1000+	87.9 грн
2500+	81.24 грн
5000+	78.58 грн
10000+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-20-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.82 грн
10+	137.85 грн
100+	99.22 грн
500+	90.57 грн
1000+	73.92 грн
2500+	71.92 грн
10000+	68.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-20-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-20-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 40 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 40-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von SAMTEC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.44 грн
12+	62.53 грн
100+	61.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-20-D-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-20-D-K

Conn Housing F 40 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-20-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.2 грн
10+	346.7 грн
25+	328.39 грн
50+	301.01 грн
100+	286.67 грн
250+	250.84 грн
500+	239.68 грн

IPD1-20-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.79 грн
10+	376.79 грн
100+	273.03 грн
500+	231.75 грн
1000+	197.78 грн
2500+	181.13 грн
5000+	177.8 грн

IPD1-20-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505 грн
10+	477.11 грн
100+	342.29 грн
500+	288.35 грн

IPD1-20-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-P

Headers & Wire Housings Samtec

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	723.32 грн
10+	681.58 грн
100+	498.79 грн
250+	421.54 грн

IPD1-20-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-20-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-21-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-GP-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-K

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 21POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 21
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-22-D

Conn Housing F 44 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-22-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-22-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 22POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-23-D

Conn Housing F 46 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-23-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-23-S-K-M

Headers & Wire Housings

товар відсутній

IPD1-23-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 23POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 23
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-24-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-24-D-R

Description: CONN RCPT HSG 48POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 48
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-24-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	95.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-25-D

Description: CONN HOUSING 50 POS 2.54MM ST

товар відсутній

IPD1-25-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.6 грн
10+	154.7 грн
500+	107.22 грн
1000+	91.23 грн
2500+	82.58 грн
5000+	78.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-25-D-K

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.25 грн
10+	152.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	195.23 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPD1-25-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-25-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 50 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 50-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.56 грн
10+	150.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.48 грн
8+	412.01 грн
104+	291.01 грн
256+	273.7 грн
504+	251.72 грн
1000+	221.09 грн

IPD1-25-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	452.39 грн
10+	394.29 грн
25+	372.48 грн
50+	341.03 грн
100+	323.99 грн
250+	289.88 грн
500+	268.36 грн

IPD1-25-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Conn Housing 50 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Conn Housing RCP 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate®

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 25POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 11806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.93 грн
10+	126.36 грн
100+	93.23 грн
250+	85.91 грн
500+	77.91 грн
1000+	66.59 грн
2500+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	123.14 грн
99+	118.45 грн
102+	114.43 грн
250+	107 грн
500+	96.38 грн
1000+	90.25 грн
2500+	88.27 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.36 грн
500+	83.24 грн
1000+	65.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	175.6 грн
73+	161.72 грн
100+	134.93 грн
200+	123.41 грн
500+	104.53 грн
1000+	96.94 грн
2000+	93.54 грн
2500+	85.04 грн
5000+	81.13 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	110.27 грн
111+	105.33 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 4318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	152 грн
10+	121.26 грн
100+	96.51 грн
500+	76.64 грн
1000+	65.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.03 грн
10+	135.21 грн
100+	99.36 грн
500+	83.24 грн
1000+	65.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	86.37 грн
32500+	78.92 грн
65000+	73.43 грн
97500+	66.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.46 грн
5000+	67.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPD100N04S4L-02

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.69 грн
10+	152.4 грн
100+	105.22 грн
250+	97.23 грн
500+	87.9 грн
1000+	75.25 грн
2500+	71.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.45 грн
10+	137.21 грн
100+	109.19 грн
500+	86.7 грн
1000+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPD100N06S4-03

TO252 09+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	184.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N06S403ATMA2

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.14 грн
10+	112.8 грн
100+	82.92 грн
500+	70.06 грн
1000+	55.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.16 грн
10+	121.77 грн
100+	88.57 грн
250+	81.91 грн
500+	74.58 грн
1000+	63.8 грн
2500+	60.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	144.07 грн
10+	115.5 грн
100+	91.92 грн
500+	72.99 грн
1000+	61.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD105N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 35A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD105N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD105N04LG

SOT-252 09+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD105N04LG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній