Продукція > IPD

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 0.00205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.16 грн
10+	82.84 грн
100+	64.84 грн
500+	51.04 грн
1000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.45 грн
10+	79.30 грн
100+	46.29 грн
500+	37.89 грн
1000+	34.34 грн
2000+	29.15 грн
4000+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD020N03LF2SATMA1

Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.98 грн
10+	71.15 грн
100+	47.75 грн
500+	35.41 грн
1000+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N03LF2SATMA1

Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.36 грн
10+	74.04 грн
100+	49.58 грн
500+	36.68 грн
1000+	33.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.33 грн
10+	67.45 грн
100+	39.12 грн
500+	32.09 грн
1000+	29.09 грн
2000+	24.65 грн
4000+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N03LF2SATMA1

Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 6665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.22 грн
10+	72.93 грн
100+	41.99 грн
500+	35.49 грн
1000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.86 грн
10+	82.84 грн
100+	52.25 грн
500+	41.57 грн
1000+	35.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	32.89 грн
4000+	29.83 грн
6000+	29.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD023N04NF2SATMA1

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.25 грн
500+	41.57 грн
1000+	35.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD024N06N

MOSFETs 60V TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD024N06NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06N

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 13732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.88 грн
10+	135.05 грн
100+	86.03 грн
500+	73.06 грн
1000+	63.43 грн
2500+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06N

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06N

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	186.12 грн
73+	179.03 грн
100+	172.96 грн
250+	161.72 грн
500+	145.67 грн
1000+	136.42 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 7331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.90 грн
10+	133.48 грн
100+	80.57 грн
500+	67.52 грн
1000+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	192.32 грн
97+	134.53 грн
100+	131.95 грн
500+	97.30 грн
1000+	72.00 грн
2000+	64.69 грн

Мінімальне замовлення: 68

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	190.11 грн
5+	150.55 грн
50+	140.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.43 грн
5+	120.81 грн
50+	116.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	100.37 грн
500+	81.36 грн
1000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 67500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	136.91 грн
500+	122.89 грн
1000+	113.19 грн
10000+	97.70 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 6798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.40 грн
10+	123.15 грн
100+	85.14 грн
500+	66.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	203.92 грн
50+	127.45 грн
100+	100.37 грн
500+	81.36 грн
1000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.73 грн
10+	101.16 грн
100+	73.12 грн
500+	55.25 грн
1000+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	50.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2000+	45.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 3162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.24 грн
10+	91.87 грн
100+	62.52 грн
500+	46.88 грн
1000+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	59.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.73 грн
10+	98.93 грн
100+	57.69 грн
500+	46.97 грн
1000+	44.72 грн
2000+	38.37 грн
4000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.12 грн
500+	55.25 грн
1000+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.23 грн
10+	93.01 грн
25+	90.42 грн
100+	76.45 грн
250+	66.77 грн
500+	59.61 грн
1000+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 139A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 2.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD028N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	86.81 грн
154+	84.39 грн
175+	73.99 грн
250+	67.30 грн
500+	57.96 грн
1000+	44.78 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.03 грн
10+	62.11 грн
100+	41.99 грн
500+	35.64 грн
1000+	30.38 грн
2000+	25.81 грн
10000+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.47 грн
11+	78.46 грн
100+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	59.17 грн
100+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD029N04NF2SATMA1

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.84 грн
15+	56.24 грн
100+	42.70 грн
500+	33.58 грн
1000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.70 грн
500+	33.58 грн
1000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	61.48 грн
100+	35.44 грн
500+	27.99 грн
1000+	26.08 грн
2000+	22.12 грн
4000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD030N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.84 грн
10+	66.79 грн
100+	44.51 грн
500+	32.78 грн
1000+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 9853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	71.01 грн
100+	47.41 грн
500+	35.00 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 2807 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	67.65 грн
24+	50.10 грн
65+	47.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.94 грн
5000+	24.98 грн
7500+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5042 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.24 грн
10+	38.55 грн
100+	28.54 грн
500+	27.92 грн
2500+	24.51 грн
5000+	23.96 грн
10000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.98 грн
17+	47.87 грн
100+	41.18 грн
500+	35.73 грн
1000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.21 грн
20+	38.12 грн
25+	37.74 грн
100+	31.10 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N03M G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.31 грн
10+	169.60 грн
100+	117.43 грн
250+	108.56 грн
500+	98.32 грн
1000+	83.98 грн
2500+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	226.41 грн
60+	217.79 грн
100+	210.40 грн
250+	196.73 грн
500+	177.21 грн
1000+	165.96 грн
2500+	162.29 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	100.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

MOSFET N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	134.15 грн
101+	128.15 грн
250+	123.01 грн
500+	114.34 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2582 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.62 грн
50+	105.94 грн
100+	97.18 грн
500+	87.28 грн
1000+	76.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.19 грн
10+	135.83 грн
100+	96.95 грн
250+	94.90 грн
500+	82.61 грн
1000+	77.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	95.00 грн
139+	93.54 грн
141+	92.07 грн
143+	87.37 грн
250+	79.59 грн
500+	75.15 грн
1000+	73.89 грн

Мінімальне замовлення: 137

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 59230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.61 грн
10+	135.50 грн
100+	94.08 грн
500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	92.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.79 грн
10+	100.22 грн
25+	98.65 грн
100+	93.61 грн
250+	85.27 грн
500+	80.51 грн
1000+	79.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 562 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	191.17 грн
9+	132.15 грн
25+	125.25 грн
500+	124.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	108.26 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.09 грн
500+	88.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD031N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.62 грн
10+	128.70 грн
100+	88.77 грн
500+	67.27 грн
1000+	62.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD033N06NATMA1

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	133.56 грн
102+	127.58 грн
250+	122.47 грн
500+	113.84 грн
1000+	101.96 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.87 грн
10+	107.57 грн
100+	63.97 грн
500+	51.14 грн
1000+	49.70 грн
2500+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3G

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.43 грн
500+	62.87 грн
1000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.36 грн
5000+	53.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.21 грн
5000+	49.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.97 грн
50+	123.47 грн
100+	84.43 грн
500+	62.87 грн
1000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	102.58 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 699 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	211.35 грн
12+	98.62 грн
33+	93.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.61 грн
10+	101.55 грн
100+	69.40 грн
500+	52.22 грн
1000+	51.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD034N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	102.58 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

IPD035N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04L G
Код товару: 166396

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04L G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.72 грн
5000+	26.61 грн
7500+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.43 грн
500+	37.28 грн
1000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.20 грн
10+	62.81 грн
100+	38.99 грн
500+	33.32 грн
1000+	30.45 грн
2500+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.77 грн
50+	59.82 грн
100+	48.43 грн
500+	37.28 грн
1000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 16996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	75.00 грн
100+	50.20 грн
500+	37.14 грн
1000+	33.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	113.84 грн
184+	70.63 грн
200+	67.78 грн
500+	51.89 грн
1000+	47.05 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD036N04LGBTMA1

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04N G

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N04NGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.50 грн
10+	102.86 грн
100+	60.49 грн
500+	50.66 грн
1000+	44.58 грн
2500+	41.31 грн
5000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3G

Description: IPD038N06N3G

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	148.47 грн
10+	132.42 грн
25+	125.67 грн
100+	90.89 грн
500+	71.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.08 грн
10+	94.01 грн
100+	64.07 грн
500+	48.10 грн
1000+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 2019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.55 грн
10+	59.39 грн
100+	39.50 грн
500+	29.07 грн
1000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 3702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.76 грн
10+	64.23 грн
100+	37.14 грн
500+	29.15 грн
1000+	26.63 грн
2000+	23.62 грн
4000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD038N06NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 120A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LAP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD03NLBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.79 грн
10+	58.42 грн
100+	33.73 грн
500+	26.63 грн
1000+	24.78 грн
2500+	21.03 грн
5000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	38.16 грн
377+	34.37 грн
393+	32.94 грн
500+	29.63 грн
1000+	24.06 грн

Мінімальне замовлення: 339

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	52.74 грн
100+	34.81 грн
500+	25.47 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.18 грн
500+	31.51 грн
1000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 3780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	55.20 грн
100+	31.75 грн
500+	26.15 грн
1000+	23.28 грн
2000+	19.73 грн
4000+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.09 грн
18+	43.30 грн
25+	40.89 грн
100+	35.51 грн
250+	31.52 грн
500+	28.22 грн
1000+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 4050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.77 грн
13+	62.29 грн
100+	41.18 грн
500+	31.51 грн
1000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LF2SATMA1

Power-Transistor MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	26.57 грн
29+	25.73 грн
100+	24.40 грн
250+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.40 грн
10+	55.62 грн
100+	36.88 грн
500+	27.04 грн
1000+	24.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	117.25 грн
36+	32.45 грн
99+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.77 грн
10+	132.23 грн
100+	93.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.24 грн
10+	118.56 грн
100+	71.69 грн
500+	57.90 грн
1000+	56.60 грн
2000+	49.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.27 грн
10+	112.72 грн
100+	77.46 грн
500+	59.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD040N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3G

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	178.13 грн
78+	166.03 грн
100+	141.84 грн
200+	130.41 грн
500+	110.93 грн
1000+	90.29 грн
2000+	87.65 грн
2500+	86.61 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 10016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.45 грн
10+	103.26 грн
100+	70.28 грн
500+	52.72 грн
1000+	48.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 8612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.12 грн
50+	100.37 грн
100+	78.62 грн
500+	58.28 грн
1000+	52.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 17998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	88.72 грн
25+	73.74 грн
100+	59.88 грн
250+	59.81 грн
500+	51.28 грн
1000+	51.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.25 грн
5000+	62.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.53 грн
5000+	43.70 грн
7500+	42.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 8612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.62 грн
500+	58.28 грн
1000+	52.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	67.77 грн
5000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

MOSFETs P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD042P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.12 грн
10+	143.69 грн
100+	86.71 грн
500+	74.42 грн
1000+	73.06 грн
2500+	62.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	307.23 грн
58+	223.15 грн
72+	180.03 грн
100+	171.52 грн
200+	157.85 грн
500+	127.51 грн
1000+	109.03 грн
2000+	105.34 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 1649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
10+	134.17 грн
100+	93.17 грн
500+	74.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	116.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD046N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 65W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.7mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн
10+	47.78 грн
100+	31.44 грн
500+	22.91 грн
1000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	50.41 грн
100+	28.88 грн
500+	22.87 грн
1000+	21.03 грн
2000+	17.82 грн
4000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD047N03LF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 4.7mΩ

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3 G

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	100.25 грн
136+	95.76 грн
250+	91.92 грн
500+	85.44 грн
1000+	76.53 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3G

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

MOSFETs IFX FET 60V

на замовлення 5872 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	80.09 грн
100+	46.91 грн
500+	37.14 грн
1000+	34.27 грн
2500+	29.63 грн
5000+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.69 грн
5000+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.25 грн
5000+	30.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 90A; 115W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2500+	37.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.80 грн
5000+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 10437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.19 грн
10+	82.69 грн
100+	55.67 грн
500+	41.36 грн
1000+	37.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	56.89 грн
250+	54.62 грн
500+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD048N06L3GBTMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03L

03+

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA

0522+

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LAG

0522+

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LBG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	56.75 грн

Мінімальне замовлення: 348

В кошику од. на суму грн.

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.98 грн
10+	60.54 грн
100+	34.96 грн
500+	27.58 грн
1000+	24.85 грн
2500+	22.74 грн
5000+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03L G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03L G

на замовлення 129200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.59 грн
10+	40.83 грн
100+	26.70 грн
500+	19.35 грн
1000+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	64.96 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.28 грн
14+	55.62 грн
25+	55.07 грн
100+	42.61 грн
250+	39.06 грн
500+	32.48 грн
1000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.85 грн
5000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	119.06 грн
28+	42.90 грн
75+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.04 грн
15+	55.20 грн
100+	39.99 грн
500+	30.03 грн
1000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	51.92 грн
252+	51.40 грн
314+	41.24 грн
317+	39.37 грн
500+	31.58 грн
1000+	30.01 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 6833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.17 грн
10+	56.07 грн
100+	37.22 грн
500+	27.32 грн
1000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.99 грн
10+	44.83 грн
100+	30.38 грн
500+	25.13 грн
1000+	24.72 грн
2500+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.56 грн
500+	28.85 грн
1000+	26.42 грн
5000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGBTMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 10699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.54 грн
10+	117.78 грн
100+	75.79 грн
500+	65.20 грн
2500+	55.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.86 грн
500+	105.77 грн
1000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	89.29 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

на замовлення 2381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.26 грн
50+	148.96 грн
100+	125.86 грн
500+	105.77 грн
1000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
10+	134.03 грн
100+	92.54 грн
500+	70.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	367.25 грн
56+	234.20 грн
69+	189.12 грн
100+	170.71 грн
200+	157.08 грн
500+	134.78 грн
1000+	125.35 грн
2000+	122.52 грн
2500+	121.58 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.58 грн
10+	122.67 грн
100+	84.43 грн
500+	62.35 грн
1000+	53.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.44 грн
10+	111.49 грн
100+	66.36 грн
500+	53.12 грн
1000+	52.03 грн
2000+	50.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.43 грн
500+	62.35 грн
1000+	53.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD052N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 1673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.37 грн
10+	101.92 грн
100+	69.81 грн
500+	52.61 грн
1000+	48.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.60 грн
10+	87.15 грн
100+	52.44 грн
500+	44.45 грн
1000+	38.44 грн
2500+	32.64 грн
5000+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N3 G

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 13658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.39 грн
10+	39.18 грн
100+	33.59 грн
500+	33.32 грн
1000+	32.98 грн
2500+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.37 грн
25+	45.90 грн
100+	41.85 грн
250+	38.36 грн
500+	36.70 грн
1000+	36.57 грн
3000+	36.46 грн
6000+	36.33 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	49.05 грн
265+	48.94 грн
266+	48.73 грн
1000+	46.78 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 23015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.42 грн
500+	43.79 грн
1000+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 6381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.88 грн
10+	81.66 грн
100+	55.14 грн
500+	41.10 грн
1000+	38.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 23015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.60 грн
50+	87.62 грн
100+	59.42 грн
500+	43.79 грн
1000+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD053N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

328+	39.56 грн

Мінімальне замовлення: 328

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	147.39 грн
92+	141.78 грн
100+	136.97 грн
250+	128.07 грн
500+	115.35 грн
1000+	108.03 грн
2500+	105.65 грн

Мінімальне замовлення: 88

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	108.88 грн
134+	97.13 грн
138+	94.11 грн
200+	90.02 грн
500+	77.87 грн
1000+	71.52 грн
2000+	70.22 грн
2500+	69.58 грн

Мінімальне замовлення: 119

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 15723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.38 грн
10+	82.84 грн
100+	76.71 грн
500+	64.57 грн
1000+	57.56 грн
5000+	55.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	100.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 52076 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	80.87 грн
100+	65.20 грн
500+	62.27 грн
2500+	60.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.10 грн
10+	114.22 грн
25+	113.07 грн
100+	100.27 грн
250+	92.75 грн
500+	82.85 грн
1000+	73.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	79.64 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 11755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.48 грн
10+	77.59 грн
100+	76.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	96.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.03 грн
500+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.02 грн
10+	79.30 грн
100+	51.07 грн
500+	46.43 грн
1000+	45.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.18 грн
10+	108.33 грн
100+	77.03 грн
500+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.06 грн
10+	106.66 грн
100+	72.73 грн
500+	54.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03L G E8177

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LG (Транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.75 грн
5000+	23.57 грн
7500+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.42 грн
500+	25.15 грн
1000+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.54 грн
1078+	30.00 грн
10000+	26.74 грн
100000+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

877+	14.76 грн
889+	14.57 грн
900+	14.38 грн
912+	13.68 грн
1000+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 877

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 6811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.53 грн
11+	29.21 грн
100+	20.96 грн
500+	19.73 грн
1000+	19.12 грн
2500+	16.39 грн
5000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.22 грн
5000+	17.07 грн
7500+	16.34 грн
12500+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 2421 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	62.56 грн
29+	40.73 грн
79+	38.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.54 грн
1078+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.54 грн
1078+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	41.98 грн
50+	34.41 грн
100+	27.24 грн
500+	23.82 грн
1000+	21.30 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

995+	32.54 грн
1078+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	19.56 грн
46+	16.22 грн
47+	15.25 грн
100+	13.93 грн
250+	13.20 грн
500+	13.03 грн
1000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.29 грн
5000+	22.23 грн
7500+	22.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

447+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 32652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	46.45 грн
100+	30.53 грн
500+	22.22 грн
1000+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGINCT

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	202.90 грн
67+	195.16 грн
100+	188.54 грн
250+	176.29 грн
500+	158.79 грн
1000+	148.71 грн
2500+	145.43 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.07 грн
10+	100.00 грн
100+	68.30 грн
500+	51.39 грн
1000+	50.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.76 грн
10+	78.20 грн
25+	77.41 грн
100+	71.28 грн
250+	63.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.30 грн
500+	62.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	80.04 грн
178+	72.98 грн
180+	72.25 грн
188+	66.53 грн
250+	59.08 грн

Мінімальне замовлення: 162

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 8128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн
10+	65.53 грн
100+	64.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 34415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	69.57 грн
100+	56.46 грн
500+	55.85 грн
1000+	55.58 грн
2500+	51.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.81 грн
50+	77.98 грн
100+	69.30 грн
500+	62.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

на замовлення 157500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	52.96 грн
100+	35.04 грн
500+	25.65 грн
1000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.07 грн
5000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	36.29 грн
14+	29.59 грн
16+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.07 грн
5000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.55 грн
500+	36.69 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.62 грн
5000+	34.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 6851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.49 грн
10+	57.84 грн
100+	40.68 грн
500+	29.96 грн
1000+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5668 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	60.30 грн
100+	37.35 грн
500+	29.77 грн
1000+	27.11 грн
2500+	24.24 грн
5000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

на замовлення 2342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.59 грн
50+	68.11 грн
100+	49.55 грн
500+	36.69 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

676+	47.89 грн
1000+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 676

В кошику од. на суму грн.

IPD068P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03L

03+

на замовлення 4077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03L

INF

07+;

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

TO252

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

0426+

на замовлення 5579 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

INF

07+;

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA G

TO-252

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAG

TO-252 10+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

на замовлення 25570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	47.77 грн

Мінімальне замовлення: 417

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LAGBUMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD06P002NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P002NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P003NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P003NATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P003NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P004NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P004NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005LATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005LSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005NATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P005NSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD06P007NATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03L G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	32.02 грн
50+	23.66 грн
100+	20.87 грн
500+	19.01 грн
1000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	35.69 грн
47+	25.05 грн
100+	23.96 грн
129+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 8392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.80 грн
13+	24.26 грн
100+	19.73 грн
500+	16.78 грн
1000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.87 грн
500+	19.01 грн
1000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.83 грн
14+	23.01 грн
100+	17.07 грн
500+	16.11 грн
2500+	15.91 грн
5000+	14.06 грн
10000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1
Код товару: 172911

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.01 грн
5000+	15.98 грн
7500+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD075N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3 G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 9592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	71.01 грн
100+	47.39 грн
500+	34.98 грн
1000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

280+	46.25 грн
288+	44.96 грн
1000+	43.24 грн
2500+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 280

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.92 грн
5000+	24.97 грн
7500+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	68.47 грн
100+	40.76 грн
500+	32.50 грн
1000+	29.84 грн
2500+	28.61 грн
5000+	26.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD079N06L3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Код товару: 82995

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.54 грн
500+	62.13 грн
1000+	57.08 грн
5000+	46.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 13807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.91 грн
10+	102.96 грн
100+	70.42 грн
500+	53.02 грн
1000+	52.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

на замовлення 14494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.55 грн
10+	81.25 грн
100+	69.54 грн
500+	62.13 грн
1000+	57.08 грн
5000+	46.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	156.12 грн
18+	65.09 грн
50+	61.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	175.65 грн
81+	160.05 грн
83+	157.51 грн
100+	127.54 грн
250+	115.35 грн
500+	90.86 грн
1000+	71.08 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

MOSFETs N

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.60 грн
10+	94.22 грн
100+	67.93 грн
250+	66.02 грн
500+	58.85 грн
1000+	54.35 грн
2500+	52.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.19 грн
10+	171.49 грн
25+	168.76 грн
100+	136.65 грн
250+	123.59 грн
500+	97.34 грн
1000+	76.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD082N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N04L G

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N04LG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD088N04LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 22160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3G

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	62.20 грн
100+	41.49 грн
500+	30.59 грн
1000+	27.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3G

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: TO252-3
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD088N06N3GBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03L G E8177

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LG

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IPD090N03LGATMA1; zamiennik dla IRLR8729TR; IPD090N03LG; IPD090N03LG-VB; HSU3004; HSU80N03; IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LG (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45566

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: /15

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.26 грн
28+	26.59 грн
43+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.38 грн
50+	30.11 грн
100+	27.48 грн
500+	23.00 грн
1000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 1844 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	48.64 грн
35+	33.83 грн
95+	31.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 64323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	45.64 грн
100+	29.87 грн
500+	21.65 грн
1000+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.89 грн
5000+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2

на замовлення 7884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.61 грн
10+	34.78 грн
100+	23.83 грн
500+	19.53 грн
1000+	17.62 грн
2500+	13.93 грн
5000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.94 грн
5000+	15.02 грн
7500+	14.36 грн
12500+	12.78 грн
17500+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

на замовлення 4024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.48 грн
500+	23.00 грн
1000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.02 грн
5000+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD090N03LGBTMA1
Код товару: 163865

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3G

на замовлення 748 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.35 грн
500+	44.68 грн
1000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	75.37 грн
100+	50.73 грн
500+	37.71 грн
1000+	34.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.28 грн
10+	79.66 грн
100+	57.35 грн
500+	44.68 грн
1000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	82.44 грн
100+	51.96 грн
500+	40.62 грн
1000+	37.35 грн
2500+	35.16 грн
5000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD096N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N032AL-AP

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03L

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA

0424+

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LAG

0825+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LAGBUMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LAP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG

0521+

на замовлення 4304 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPD09N03LBG